【正文】 計(jì)算機(jī)組成與結(jié)構(gòu)部分習(xí)題及答案（僅供參考）第四章 主存儲(chǔ)器一、選擇題 關(guān)于主存下列敘述正確的是（C　）A 主存的速度可與CPU匹配。B 內(nèi)存是RAM，不包括ROMC 輔存的程序調(diào)入主存中才能執(zhí)行D輔存中不能存放程序，只能存放數(shù)據(jù) 斷電后將丟失信息的是（B ）A）ROM B）RAM C）磁盤(pán) D）光盤(pán) 關(guān)于主存下列敘述正確的是（A　）A CPU可直接訪問(wèn)主存，但不能直接訪問(wèn)輔存B CPU可直接訪問(wèn)主存，也直接訪問(wèn)輔存C CPU不能直接訪問(wèn)主存，也不能直接訪問(wèn)輔存D CPU不能直接訪問(wèn)主存，但能直接訪問(wèn)輔存 16K32位存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線(xiàn)有（C ）A）5條 B）14條 C）32條 D）46條 16K32位存儲(chǔ)芯片的地址線(xiàn)有（B ）A）5條 B）14條 C）32條 D）46條 半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的存儲(chǔ)原理是（A ）A）依靠雙穩(wěn)態(tài)電路保存信息 B) 依靠定時(shí)刷新保存信息C）依靠讀后再生保存信息 D）信息存入后不在變化 動(dòng)態(tài)RAM是指（C ）A）存儲(chǔ)內(nèi)容動(dòng)態(tài)變化 B) 需動(dòng)態(tài)改變?cè)L問(wèn)地址C）需對(duì)存儲(chǔ)內(nèi)容定時(shí)動(dòng)態(tài)刷新 D）每次讀都要重寫(xiě)動(dòng)態(tài)RAM的基本單元電路。常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路有三管式和單管式兩種，它們的共同特點(diǎn)都是靠電容存儲(chǔ)電荷的原理來(lái)寄存信息的。若電容上存有足夠多的電荷表示存“1”，電容上無(wú)電荷表示存“0”。電容上的電荷一般只能維持1～2ms，因此即使電源不掉電信息也會(huì)自動(dòng)消失。為此，必須在2ms內(nèi)對(duì)其所有存儲(chǔ)單元恢復(fù)一次原狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程叫再生或刷新。由于它與靜態(tài)RAM相比，具有集成度更高、功耗更低等特點(diǎn)，因此目前被各類(lèi)計(jì)算機(jī)廣泛應(yīng)用。由Tl、T2，T3三個(gè)MOS管組成的三管MOS動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路：讀出時(shí)，先預(yù)充電使讀數(shù)據(jù)線(xiàn)達(dá)高電平VDD，然后由讀選擇線(xiàn)打開(kāi)T2，若Tl的極間電荷Cg存有足夠多的電荷(被認(rèn)為原存“1”)，使T1導(dǎo)通，則因TTl導(dǎo)通接地，使讀數(shù)據(jù)線(xiàn)降為零電平，讀出“0”信息。若Cg沒(méi)足夠電荷(原存“0”)，則T1截止，讀數(shù)據(jù)線(xiàn)為高電平不變，讀出“1”信息?？梢?jiàn)，由讀出線(xiàn)的高低電平可區(qū)分其是讀“1”，還是讀“0”，只是它與原存信息反相?！　?xiě)入時(shí)，將寫(xiě)入信號(hào)加到寫(xiě)數(shù)據(jù)線(xiàn)上，然后由寫(xiě)選擇線(xiàn)打開(kāi)T3，這樣，Cg便能隨輸入信息充電(寫(xiě)“1”)或放電(寫(xiě)“0”)。為了提高集成度，將三管電路進(jìn)一步簡(jiǎn)化，去掉Tl，把信息存在電容Cs上，將TT3合并成一個(gè)管子T，得單管MOS動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路。讀出時(shí)，字線(xiàn)上的高電平使T導(dǎo)通，若Cs有電荷，經(jīng)T管在數(shù)據(jù)線(xiàn)上產(chǎn)生電流，可視為讀出“1”。若Cs無(wú)電荷，則數(shù)據(jù)線(xiàn)上無(wú)電流，可視為讀出“0”。讀操作結(jié)束時(shí)，Cs的電荷已泄放完畢，故是破壞性讀出，必須重寫(xiě)。 計(jì)算機(jī)主存儲(chǔ)器讀寫(xiě)的時(shí)間數(shù)量級(jí)為（D?。〢）秒 B）毫秒 C）微秒 D）納秒計(jì)算機(jī)主存由（D ）A）RAM組成 B) ROM組成C）ROM與RAM組成 D）內(nèi)存與外存組成用戶(hù)程序所放的主存空間屬于（B?。〢）RAM B) ROMC）ROM與RAM D）內(nèi)存與外存1在下列存儲(chǔ)器中，( A )可以作為主存儲(chǔ)器。A 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 B 硬盤(pán) C 光盤(pán) D 磁帶1關(guān)于主存，以下敘述正確的是（A?。〢 主存比輔存小，但速度快。　　B 主存比輔存大，且速度快。C 主存比輔存小，且速度慢?！　　主存比輔存大，但速度慢。1EPROM是指(D ) 1下列說(shuō)法正確的是(C ) ，且斷電后仍能保持記憶 ，而靜態(tài)RAM的存儲(chǔ)信息是不易失的 、動(dòng)態(tài)RAM都屬易失性存儲(chǔ)器，前者在電源不掉時(shí)，不易失 ，且集成度比動(dòng)態(tài)RAM高，所以計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上常使用它 1CPU不能直接訪問(wèn)的是( D) 1存儲(chǔ)器的字線(xiàn)是(A ),故稱(chēng)為字線(xiàn)1CPU可隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)器是（B ）A。光盤(pán)存儲(chǔ)器B。主存儲(chǔ)器C。磁盤(pán)存儲(chǔ)器D。磁帶存儲(chǔ)器1和MOS和RAM比較，雙極型RAM的特點(diǎn)是（A ）A。速度快，集成度低，位功耗高 B。速度快，集成度高，位功耗高C。速度快，集成度低，位功耗低 C。速度慢，集成度高，位功耗底1字位結(jié)構(gòu)為1M*4位的DRAM存儲(chǔ)芯片，其地址引腳與數(shù)據(jù)引腳之和為（C ）A。28 B。14 C。24 D。12二、填空題 1GB=1024 MB= 1024*1024 KB =1024*1024*1024 B. 計(jì)算機(jī)中的存儲(chǔ)器用于存放　程序和數(shù)據(jù)　　　。主存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)有主存容量主存容量、存儲(chǔ)器存取時(shí)間、存儲(chǔ)周期時(shí)間。要組成容量為4Kⅹ8位的存儲(chǔ)器，需要__8___片4Kⅹ1位的靜態(tài)RAM芯片并聯(lián)，或者需要_4__片1Kⅹ8位的靜態(tài)RAM芯片串聯(lián)。 靜態(tài)RAM是利用觸發(fā)器電路的兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)來(lái)表示信息“0”和“1”，故在不斷開(kāi)電源時(shí)，可以長(zhǎng)久保持信息；動(dòng)態(tài)RAM利用電容器上存儲(chǔ)的電荷來(lái)表示信息“0”和“1”，因此需要不斷進(jìn)行刷新。三、簡(jiǎn)答題 簡(jiǎn)述SRAM與DRAM的主要區(qū)別。 DRAM的優(yōu)點(diǎn)：1. DRAM的功耗僅為SRAM的1/62. DRAM的價(jià)格僅為SRAM的1/4 DRAM的缺點(diǎn) 1．DRAM由于使用動(dòng)態(tài)元件（電容），速度比SRAM低。，故需配置再生電路 因此，容量不大的高速存儲(chǔ)器大多用靜態(tài)RAM實(shí)現(xiàn)，如高速緩存（Cache）。SRAM的存儲(chǔ)單元由雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器構(gòu)成，它不需要刷新，讀出之后不需要重寫(xiě) 在已有的芯片基礎(chǔ)上，如何進(jìn)行位擴(kuò)充、如何進(jìn)行字?jǐn)U充。位擴(kuò)充：連接方式是將多片存儲(chǔ)器的地址線(xiàn)、片選CS、讀寫(xiě)控制端R／W相應(yīng)并聯(lián)，數(shù)據(jù)端分別引出。 1）地址的總位數(shù)不變，總存儲(chǔ)器字容量（字?jǐn)?shù)量）不變。 　　　例如，芯片的地址線(xiàn)是A0～A13，存儲(chǔ)器的地址總線(xiàn)還是A0～A13 。 2）數(shù)據(jù)線(xiàn)的位數(shù)增加，增加的數(shù)量等于各芯片位數(shù)之和。 例如，共兩個(gè)芯片，每個(gè)芯片4位，總存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線(xiàn)是8位。? 字?jǐn)U展：只在字向擴(kuò)充，而位數(shù)不變。? 　　將各芯片的地址線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)、讀寫(xiě)控制線(xiàn)相應(yīng)并聯(lián)，而由片選信號(hào)　　　　　　　　來(lái)區(qū)分各芯片的地址范圍。 　　　1）地址的總位數(shù)增加，總存儲(chǔ)器字容量增加。字容量增加等于各芯片字容量乘以芯片個(gè)數(shù)。 　　　例如，芯片的字容量是16K，4個(gè)芯片，總存儲(chǔ)器的字容量為416K=64K。 2）數(shù)據(jù)線(xiàn)的位數(shù)不變，總存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線(xiàn)位數(shù)等于各芯片位數(shù)。 例如，共4芯片，每個(gè)芯片8位，總存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線(xiàn)是8位。第五章 指令系統(tǒng)一、選擇題 指令系統(tǒng)采用不同尋址方式的目的是（B?。〢）增加內(nèi)存容量 　　　 　 　B) 縮短指令長(zhǎng)度、擴(kuò)大尋址空間C）提高訪問(wèn)內(nèi)存的速度 　D）簡(jiǎn)化指令譯碼電路 指令操作所需的數(shù)據(jù)不會(huì)來(lái)自（D　）A）寄存器　 B) 指令本身 C）主存中　 D）控制存儲(chǔ)器 關(guān)于機(jī)器指令的敘述不正確的是（D ）A）機(jī)器指令系統(tǒng)是計(jì)算機(jī)所具有的全部指令的集合。B) 機(jī)器指令通常包括操作碼、地址碼兩部分，按地址個(gè)數(shù)分為零地址指令、一地址指令、二地址指令、三地址指令。C）機(jī)器指令的長(zhǎng)度取決于操作碼長(zhǎng)度、操作數(shù)地址長(zhǎng)度、操作數(shù)個(gè)數(shù)。D）系列計(jì)算機(jī)是指指令系統(tǒng)完全相同、基本體系結(jié)構(gòu)相同的一系列計(jì)算機(jī)。 下列說(shuō)法不正確的是（　C?。〢）變址尋址時(shí)，有效數(shù)據(jù)存放在主存。B) 堆棧是先進(jìn)后出的隨機(jī)存儲(chǔ)器。C）堆棧指針ＳＰ的內(nèi)容表示當(dāng)前堆棧內(nèi)所存放的數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)。D）內(nèi)存中指令的尋址和數(shù)據(jù)的尋址是交替進(jìn)行的。 關(guān)于尋址方式的敘述不正確的是（D ）A）尋址方式是指確定本條指令中數(shù)據(jù)的地址或下一條指令地址的方法。B) 在指令的地址字段中直接指出操作數(shù)本身的尋址方式稱(chēng)為立即尋址方式C）基址尋址用于為數(shù)據(jù)和程序分配存儲(chǔ)區(qū)域，支持多道程序和程序浮動(dòng)。D）變址尋址與基址尋址類(lèi)似，沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別。 在相對(duì)尋址方式中，若指令中的地址碼為X，則操作數(shù)的地址為（B ）A）X B) （PC）+X C）X+段地址 D）X+變址寄存器 堆棧中保持不變的是（B?。〢）棧頂 B) 棧底 C）堆棧指針　　 D）棧中的數(shù)據(jù) 設(shè)變址寄存器為X，形式地址為D，（X）表示寄存器中的內(nèi)容，變址尋址方式的有效地址可表示為（A ）A）EA=（X）+D B) EA=（X）+（D）C）EA=（（X）+D）D）EA=（（X）+（D））程序控制類(lèi)的指令的功能是（D　）A）算術(shù)運(yùn)算和邏輯運(yùn)算。B) 主存和ＣＰＵ之間的數(shù)據(jù)交換。C）Ｉ／Ｏ和ＣＰＵ之間的數(shù)據(jù)交換。D）改變程序執(zhí)行順序。設(shè)寄存器R的內(nèi)容(R)=1000H，內(nèi)存單元1000H的內(nèi)容為2000H，內(nèi)存單元2000H的內(nèi)容為3000H，PC的值為4000H，采用相對(duì)尋址方式，形式地址為2000H的操作數(shù)是（C ）A）1000H B) 2000H C）3000H D）4000H1下列幾項(xiàng)不符合RISC特點(diǎn)的是（C ）A）指令長(zhǎng)度固定，指令種類(lèi)少。B) 尋址方式種類(lèi)盡量多，指令功能盡可能強(qiáng)。C）選取使用率高的一些簡(jiǎn)單指令，以及很有用但不復(fù)雜的指令。D）增加寄存器數(shù)目，盡量減少訪存操作。1移位操作中移出的位存入（C　）A零標(biāo)志位 B 溢出標(biāo)志位 C 進(jìn)位標(biāo)志位 D 符號(hào)位1零地址指令的操作數(shù)一般隱含在(C )中。A 磁盤(pán) B 磁帶 C 寄存器 D 光盤(pán)1為了縮短指令中某個(gè)地址段的位數(shù)，有效的方法是采?。― ）。A 立即尋址 B 變址尋址 C 間接尋址 D 寄存器尋址1堆棧指針SP的內(nèi)容是（B）。A 棧頂單元內(nèi)容 B 棧頂單元地址 C 棧底單元內(nèi)容 D 棧底單元地址1假設(shè)寄存器R中的數(shù)為200，主存地址為200和300的存儲(chǔ)單元中存放的內(nèi)容分別是300和400，若訪問(wèn)到的操作數(shù)為200，則所采用的尋址方式為( A )。A 立即尋址200 B 寄存器間接尋址(R)C 存儲(chǔ)器間接尋址(200) D 直接尋址2001算術(shù)右移指令的操作是( B )。A 符號(hào)位填0，并順序右移一位，最低位移入進(jìn)位標(biāo)志位。B 符號(hào)位不變，并順序右移一位，最低位移入進(jìn)位標(biāo)志位。C 符號(hào)位填1，并順序右移一位，最低位移入進(jìn)位標(biāo)志位。D 進(jìn)位標(biāo)志位填至符號(hào)位，并順序右移一位，最低位移入進(jìn)位標(biāo)志位。( C)不能支持?jǐn)?shù)值處理。 19．如果指令中的地址碼就是操作數(shù)的有效地址，那么這種尋址方式稱(chēng)為(B )。A、立即尋址 B、直接尋址 C、間接尋址 D、寄存器尋址設(shè)指令中的地址碼為A，變址寄存器為X，程序計(jì)數(shù)器為PC，則變址尋址方式的操作數(shù)地址為（ D）A。（PC）+A B。（A）+（X）C。（A+X） D。A+（X）2采用擴(kuò)展操作碼的重要原則是（B ）A。操作碼長(zhǎng)度可變 B。使用頻度高的指令采用短操作碼C。使用頻度低的指令采用短操作碼D。滿(mǎn)足整數(shù)邊界原則二、填空題　指令系統(tǒng)　。它是計(jì)算機(jī) 　硬件 與　軟件　 的接口。，目標(biāo)地址可放在任意寄存器中。 否(是/否)。： 不論數(shù)的正負(fù)，連同符號(hào)位將數(shù)右移一位，并保持符號(hào)位不變　　　條指令，指令可分為：　零地址指令、　一地址指令、　二地址指令、　三地址指令、 多地址指令。，有效地址= (變址寄存器) + (基址寄存器)*+ 地址碼A。 縮短指令長(zhǎng)度，擴(kuò)大尋址空間，提高編程靈活性。 控制程序執(zhí)行順序 。 機(jī)器 周期內(nèi)執(zhí)行完。指令系統(tǒng)的優(yōu)化表示有兩個(gè)截然相反的方向 RISC 和 　CISC 。三、簡(jiǎn)答題什么是指令？解：即用二進(jìn)制代碼組成的指令，一條機(jī)器指令控制