【總結(jié)】....第1章檢測(cè)題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組
2025-06-23 15:22
【總結(jié)】第1章檢測(cè)題()一、填空題:()1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電。2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)
2025-08-05 09:36
【總結(jié)】....第一組:計(jì)算題一、(本題20分)試寫(xiě)出圖示邏輯電路的邏輯表達(dá)式,并化為最簡(jiǎn)與或式。解:二、(本題25分)時(shí)序邏輯電路如圖所示,已知初始狀態(tài)Q1Q0=00。(1)試寫(xiě)出各觸發(fā)器的驅(qū)動(dòng)方程
2025-06-20 00:35
【總結(jié)】中南大學(xué)現(xiàn)代遠(yuǎn)程教育課程考試復(fù)習(xí)題及參考答案《電子技術(shù)基礎(chǔ)》模擬電子技術(shù)部份第1章 半導(dǎo)體二極管習(xí)題選解第2章半導(dǎo)體三極管習(xí)題選解第3章放大電路基礎(chǔ)習(xí)題選解
2025-06-23 22:35
【總結(jié)】《電工電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、電路的組成部分包括(1)、(2)和(3)。2、(4)型半導(dǎo)體中,自由電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子。3、為提高多級(jí)放大電路的帶負(fù)載能力,常選用(5)電路作為輸出級(jí)。4、三極管的輸出特性
2024-11-05 05:29
【總結(jié)】電力電子技術(shù)試題1、請(qǐng)?jiān)诳崭駜?nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱:電力晶體管GTR;可關(guān)斷晶閘管GTO;功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET;絕緣柵雙極型晶體管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合管。2、晶閘管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率
2024-11-07 18:17
【總結(jié)】《數(shù)字電子技術(shù)》模擬試題一、填空題(每題2分,共20分)1、十六進(jìn)制數(shù)97,對(duì)應(yīng)的十進(jìn)制數(shù)為151。2、“至少有一個(gè)輸入為0時(shí),輸出為0”描述的是與運(yùn)算的規(guī)則。3、4變量邏輯函數(shù)有16個(gè)最小項(xiàng)。4、基本邏輯運(yùn)算有:與、或和非運(yùn)算。5、兩二進(jìn)制數(shù)相加時(shí),不考慮低位的進(jìn)位信號(hào)是半加器。6、TTL器件輸入腳懸空相當(dāng)于輸入
2025-06-22 14:53
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)試題(一)一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門(mén)輸出的三種狀態(tài)分別為:、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)
2025-06-24 06:56
【總結(jié)】中南大學(xué)現(xiàn)代遠(yuǎn)程教育課程考試(??疲?fù)習(xí)題及參考答案電子技術(shù)基礎(chǔ)一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測(cè)得某PNP型三極管各極點(diǎn)位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(A)放大狀態(tài)、(B)飽和狀
2025-05-31 12:20
【總結(jié)】第1頁(yè)共39頁(yè)答案參見(jiàn)我的新浪博客:1數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)一.1.(15分)試根據(jù)圖示輸入信號(hào)波形分別畫(huà)出各電路相應(yīng)的輸出信號(hào)波形L1、L2、L3、L4、和L5。設(shè)各觸發(fā)器初態(tài)為“0”。AAB10L2AEN
2024-10-22 00:53
【總結(jié)】一、填空題1.已知圖中U1=2V,U2=-8V,則UAB=-10。2.電路的三種工作狀態(tài)是通路、斷路、短路。3.有三個(gè)6Ω的電阻,若把它們串聯(lián),等效電阻是18Ω;若把它們并聯(lián),等效電阻2Ω;若兩個(gè)并聯(lián)后再與第三個(gè)串聯(lián),等效電阻是9Ω。4.用電流表測(cè)量電流時(shí),應(yīng)把電流表串聯(lián)在被測(cè)電路中;用電壓表測(cè)量電壓時(shí),應(yīng)把電
2025-06-23 23:34
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)測(cè)試題測(cè)試題A一、填空題,是指它的工作狀態(tài)處于()狀態(tài)和()狀態(tài)。邏輯門(mén)電路的典型高電平值是()V,典型低電平值是()V。()和()。()
2024-10-18 17:03
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無(wú)關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻
2025-06-23 22:48
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》模擬試題一一、填空題:(每空1分共40分)1、PN結(jié)正偏時(shí)(導(dǎo)通),反偏時(shí)(截止),所以PN結(jié)具有(單向)導(dǎo)電性。2、漂移電流是(溫度)電流,它由(少數(shù))載流子形成,其大小與(溫度)有關(guān),而與外加電壓(無(wú)關(guān))。3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為(0),等效成一條直線;當(dāng)其反偏時(shí),結(jié)電阻為
2025-05-31 18:04
【總結(jié)】一、填空題:(每空1分,共10分)1.()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=(1)。3.三態(tài)門(mén)輸出的三種狀態(tài)分別為:高電平、低電平和高阻態(tài)。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個(gè)觸發(fā)器可以存儲(chǔ)4位二進(jìn)制數(shù)。6.存儲(chǔ)容量為4K×8位的RAM存儲(chǔ)器,其地
2025-03-25 02:54