【正文】 xx學(xué)院畢業(yè)論文（設(shè)計(jì)）熱震溫度對(duì)C/SiC復(fù)合材料連接的影響 畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）原創(chuàng)性聲明和使用授權(quán)說(shuō)明原創(chuàng)性聲明本人鄭重承諾：所呈交的畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文），是我個(gè)人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的成果。盡我所知，除文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，不包含其他人或組織已經(jīng)發(fā)表或公布過(guò)的研究成果，也不包含我為獲得 及其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或?qū)W歷而使用過(guò)的材料。對(duì)本研究提供過(guò)幫助和做出過(guò)貢獻(xiàn)的個(gè)人或集體，均已在文中作了明確的說(shuō)明并表示了謝意。作 者 簽 名：　　 　 　　日　 期：　　 　 　　 指導(dǎo)教師簽名：　　 　 　　 日　　期：　　 　 　　 使用授權(quán)說(shuō)明本人完全了解 大學(xué)關(guān)于收集、保存、使用畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的規(guī)定，即：按照學(xué)校要求提交畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的印刷本和電子版本；學(xué)校有權(quán)保存畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的印刷本和電子版，并提供目錄檢索與閱覽服務(wù)；學(xué)?？梢圆捎糜坝　⒖s印、數(shù)字化或其它復(fù)制手段保存論文；在不以贏利為目的前提下，學(xué)校可以公布論文的部分或全部?jī)?nèi)容。作者簽名：　　 　 　　 日　 期：　　 　 　　 學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)行研究所取得的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)的成果作品。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律后果由本人承擔(dān)。作者簽名： 日期： 年 月 日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)　　 　 　大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。涉密論文按學(xué)校規(guī)定處理。作者簽名： 日期： 年 月 日導(dǎo)師簽名： 日期： 年 月 日【摘要】：利用熱震試驗(yàn)法分別在室溫，500℃ ，700℃，900℃時(shí)對(duì)C/SiC復(fù)合材料的連接進(jìn)行高溫?zé)崽幚頍嵴鹪囼?yàn)。研究高溫?zé)崽幚頊囟葘?duì)C/SiC復(fù)合材料的連接的影響。結(jié)果表明C/SiC復(fù)合材料的連接的呈現(xiàn)規(guī)律性變化，隨著溫度的升高其拉伸強(qiáng)度和壓縮強(qiáng)度都類似的規(guī)律下降，從而影響其連接。在500℃時(shí)高溫?zé)崽幚韺?duì)C/SiC復(fù)合材料的連接影響較小，宜選用此溫度來(lái)進(jìn)行C/SiC復(fù)合材料的連接?！娟P(guān)鍵詞】：C/SiC復(fù)合材料 高溫?zé)崽幚? 熱震試驗(yàn) 拉伸強(qiáng)度 壓縮強(qiáng)度 Thermal shock temperature on C/SiC effect of posite connection Author: Wen jun wei Instructor: tong qiaoying Subject: electronic information engineering Yancheng teachers 39。 College of physical science and electronic technology College Yancheng in May 2010 【abstract】: Use thermal shock test method respectively at roomtemperature, 500 ℃。 700 ℃。 900 ℃to C/SiC posite connection for hightemperature heat treatment of thermal shock test. High temperature annealing temperature on C/SiC posite connections. Results indicate that C/SiC posite connection of rendering the regularity, as temperatures increase its tensile strength and pression strength are similar laws fall, thus affecting its connection. At 500 amp。176。 c on C/SiC posites less impact on the connection, use this temperature to C/SiC posite connections. 【Key words】: C/SiC posites heattreated thermal shock test tensile strength pressive strength 第 23 頁(yè) 共 23 頁(yè)目 錄第一章 緒 論 3 C/SiC復(fù)合材料 3 C/SiC復(fù)合材料的應(yīng)用 3 C/SiC復(fù)合材料的主要制備方法 4 C/SiC復(fù)合材料的連接 4 4 5 粘接 5 機(jī)械連接 5 焊接 7 8 在線液相滲透連接方法 8 復(fù)合材料鉚接方法 9 本實(shí)驗(yàn)采用的連接方法 10 熱震試驗(yàn) 10 研究?jī)?nèi)容 10第 二 章 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 11 試樣制備 11 原材料 11 制備PyC界面相和SiC基體所用氣源物質(zhì) 11 12 13第 三 章 結(jié)論 15參考文獻(xiàn)： 16致 謝 18第一章 緒 論 C/SiC復(fù)合材料自七十年代以來(lái)，為了尋求將熱防護(hù)、結(jié)構(gòu)承載以及防氧化結(jié)合于一體的新途徑，人們從提高基體抗氧化性能著手進(jìn)行了廣泛而深入的研究，用抗氧化性能優(yōu)異的SiC取代C作為基體的C/SiC復(fù)合材料，成為繼C/C復(fù)合材料之后新一代熱結(jié)構(gòu)材料，受到了極大的關(guān)注。SiC為共價(jià)的三維晶體，以α和β兩種晶態(tài)存在。其中，β