單元式幕墻相關(guān)技術(shù)與規(guī)范(已修改)
2024-11-24 08:56 本頁(yè)面
【正文】 單元式幕墻 相關(guān)技術(shù)與規(guī)范 由于單元式幕墻接縫構(gòu)造上的特點(diǎn)，決定了單元式幕墻構(gòu)造上的特殊性，這主要表現(xiàn)在下述三個(gè)方面： 1． 封口技術(shù) 單元式幕墻通過(guò)對(duì)插完成接縫，這樣在上、下、左、右四個(gè)單元連接點(diǎn)上必然有一 個(gè)四個(gè)單元組件對(duì)插件均不能到達(dá)的地方，此處必然有一個(gè)內(nèi)外貫穿的洞（圖 823），如何堵好這個(gè)洞是單元式幕墻設(shè)計(jì)中必須解決好的問(wèn)題，即在設(shè)計(jì)型材前就要將封口的構(gòu)造設(shè)計(jì)好，在設(shè)計(jì)型材斷面時(shí)就要將封口構(gòu)造體現(xiàn)在型材上，擠壓出的型材斷面就包含有封口構(gòu)造要求，如果在設(shè)計(jì)時(shí)不考慮好封口構(gòu)造，將造成不可彌補(bǔ)的損失。 封口示意圖（上、下、左、右四個(gè)單元連接處內(nèi)外貫穿的洞） 圖 823 對(duì)這個(gè)部位的處理，現(xiàn)在有兩種方案，即 橫滑型 和 橫鎖型 ，這兩種分類方法是根據(jù)在地震作用下，單元組件反應(yīng)的差別來(lái)劃分的。 橫滑型 構(gòu)造是在左、右相鄰兩單元組件上框中設(shè)封口板，用這個(gè)封口板將上、下、左、右4 個(gè)單元組件結(jié)合部位內(nèi)外貫通的開口封堵，此封口板除了具有封口功能外，還是集水槽和分隔板（把豎框分隔成每層一個(gè)單元）。由于這個(gè)封口板嵌 在單元組件上框的滑槽內(nèi)，它比上單元下框公槽大，上單元下框可以在封口板槽內(nèi)自由滑動(dòng)，它不限制上單元下框在兩相鄰下單元組件上框內(nèi)滑動(dòng)，在地震作用下，在主體結(jié)構(gòu)層間變位時(shí)原來(lái)上下一、一對(duì)齊的兩單元組件，在主體結(jié)構(gòu)層間變位影響下，上下兩層單元組件發(fā)生相對(duì)位移，這時(shí)候上單元組件不再定位在原來(lái)對(duì)齊的下單元組件上框中，而有可能局部滑入相鄰下單元組件的上框，由于這種滑動(dòng)，在地震中單元組件本身平面內(nèi)變形比主體結(jié)構(gòu)層間位移小。以前國(guó)外有些人從擬靜力試驗(yàn)的結(jié)果（擬靜力試驗(yàn)時(shí)采用規(guī)律性左右變位，單元組件有規(guī)律同向運(yùn)動(dòng)）認(rèn)為單元式幕 墻由于這種滑動(dòng)而減少了單元組件本身的平面變形。但在地震時(shí)單元式幕墻不像擬靜力試驗(yàn)中只有同向運(yùn)動(dòng)而是隨機(jī)運(yùn)動(dòng)， 94 年同濟(jì)大學(xué)用振動(dòng)臺(tái)法進(jìn)行單元式幕墻抗震試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)單元式幕墻平面內(nèi)變位帶有隨機(jī)性（不是有規(guī)律同向運(yùn)動(dòng)），即在地震發(fā)生的最初階段是同向運(yùn)動(dòng)，以后陸續(xù)發(fā)生異向運(yùn)動(dòng)，即相向運(yùn)動(dòng)和背向運(yùn)動(dòng)，相向運(yùn)動(dòng)時(shí)可能會(huì)發(fā)生相鄰兩單元接縫處桿件碰撞；背向運(yùn)動(dòng)時(shí)，相鄰兩單元接縫拉開，由于三維地震作用影響，拉開后恢復(fù)時(shí)桿件錯(cuò)位而碰撞（圖 824），因此《高層民用建筑鋼結(jié)構(gòu)技術(shù)規(guī)程》 JGJ9998 第九章第 條規(guī)定幕墻 與主體結(jié)構(gòu)連接設(shè)計(jì)應(yīng)考慮防碰撞問(wèn)題。因此在設(shè)計(jì)單元組件左右接縫時(shí)，要使其搭接量比預(yù)期變位量大 1mm，防止兩單元組件碰撞。 1999 年 10 月中國(guó)建筑科學(xué)研究院建筑結(jié)構(gòu)研究所背栓式連接石材幕墻抗震試驗(yàn)，試驗(yàn)中栓接頭在大震中開始滑動(dòng)，明顯看到石材板塊的滑移和碰撞（縫間未注膠），這就要求對(duì)石材面板的留縫要比計(jì)算結(jié)果大 1mm，以防碰撞。 圖 824 振動(dòng)臺(tái)單元式幕墻抗震試驗(yàn) 橫滑型封口板的集水、排水功能比較成熟，如果設(shè)計(jì)得好，則可大大提高幕墻水密性能，即可以達(dá)到超高性能 （≥ 2500P
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