電子科技大學(xué)研究生學(xué)位論文撰寫格式范例(已修改)
2025-07-06 04:40 本頁(yè)面
【正文】 研究生學(xué)位論文撰寫格式范例說(shuō)明為簡(jiǎn)約描述我校“研究生學(xué)位論文撰寫格式規(guī)范” ，有利于研究生撰寫學(xué)位論文格式的規(guī)范和統(tǒng)一，研究生院將中英文摘要，目錄，正文（此處指從緒論到結(jié)論） ，致謝，參考文獻(xiàn)，攻博/碩期間取得的成果 做了一個(gè)示范，并對(duì)一些易出現(xiàn)問(wèn)題的地方作了說(shuō)明。請(qǐng)研究生參照此示范的格式撰寫學(xué)位論文。、英文摘要和目錄只有一頁(yè)，則單面印制，頁(yè)碼單面編排（即背面頁(yè)為空白，不編頁(yè)碼和頁(yè)眉） ，中文摘要、英文摘要和目錄的頁(yè)碼就分別編排為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ；若中文摘要、英文摘要和目錄為兩頁(yè)，正面和背面就連續(xù)編排頁(yè)碼雙面印制，中文摘要、英文摘要和目錄自動(dòng)就以奇數(shù)頁(yè)開始（即分別以Ⅰ、Ⅲ、Ⅴ開始） ；其他情況，參照上述兩種情況編排和裝訂；頁(yè)碼編排用羅馬數(shù)字；（第“1”頁(yè)）開始，第一章開始以后連續(xù)編排，其他章不是一定以奇數(shù)頁(yè)開始；頁(yè)碼編排用阿拉伯?dāng)?shù)字。如第一章最后一頁(yè)為第 17 頁(yè)，則第二章就以第 18 頁(yè)開始。：（1）對(duì)中文摘要、英文摘要、目錄等前置部分，頁(yè)眉全用各部分內(nèi)容的標(biāo)題；（2）從第一章開始，奇數(shù)頁(yè)頁(yè)眉用“本章標(biāo)題” ，偶數(shù)頁(yè)頁(yè)眉用“電子科技大學(xué)博士/碩士學(xué)位論文” ；如某博士學(xué)位論文的“第二章 ⅩⅩⅩⅩⅩⅩ”在編排上可能排在第 18 頁(yè)，則其頁(yè)眉為“電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文” ； A4 紙，頁(yè)邊距上下為 ，左右均為 3cm，頁(yè)眉和頁(yè)腳距邊界均為； 、圖、表等規(guī)范性，同頁(yè)中的公式編號(hào)須對(duì)齊，并注意公式、圖、表等與正文之間應(yīng)保持 6 磅的行間距； （范例中已有示例） ，撰寫時(shí)一定要注意格式(請(qǐng)按照范例，用半角) ，且序號(hào)與題目之間有 1 空格；，第二個(gè)標(biāo)題的段前距就設(shè)置為 0（在范例中已有示范） ；1 / 11，請(qǐng)參看范例的具體撰寫格式或參閱“研究生學(xué)位論文撰寫格式規(guī)范”。，請(qǐng)與研究生院學(xué)位辦聯(lián)系，電話：83204428摘 要多層陶瓷電容器（MLCC）是表面組裝電路中最重要的電子元件之一。使用賤金屬（Ni 或 Cu）代替昂貴的貴金屬 Pd 或 Ag/Pd 合金作為內(nèi)電極，可以極大地降低 MLCC 的生產(chǎn)成本。 ┅┅本論文正是針對(duì)上述問(wèn)題，以 BaTiO3 基抗還原陶瓷材料為主要的研究對(duì)象，在深入分析 BaTiO3 陶瓷的改性機(jī)理的基礎(chǔ)上，對(duì)材料和工藝問(wèn)題作了創(chuàng)新性和探索性研究。主要內(nèi)容為：1．詳細(xì)研究了稀土元素對(duì) BaTiO3MgR（R=稀土元素La、Pr、Ce、Nd、Sm、Gd、Dy、Ho、Er、Yb）體系的微觀結(jié)構(gòu)和介電性能的影響。┅┅2．詳細(xì)研究了各種摻雜離子對(duì)殼－芯結(jié)構(gòu)的 BaTiO3MgR（R＝Y(jié)b 、Ho）系統(tǒng)的介電性能的影響及其改性機(jī)理。┅┅3．研究了 3d 元素對(duì) BaTiO3YbM（M＝3d 元素 Cr、Mn、Fe、Co、Ni 和Zn）系統(tǒng)的改性機(jī)理。┅┅4．研究以溶膠－凝膠法制備的復(fù)合氧化物摻雜劑對(duì)( Ba,Ca)(Ti,Zr)O3（ BCTZ）和 BaTiO3 粉料進(jìn)行改性，從而制備抗還原 Y5V 和 X8R 材料的新工藝。┅┅關(guān)鍵詞：改性機(jī)理，抗還原，殼－芯結(jié)構(gòu)，復(fù)合氧化物摻雜劑III / 11ABSTRACTCeramic multilayer capacitors (MLCC) are one of the most important electronic ponents at the surface mounting of electronic circuits. A substantial cost saving
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