電池片全工序基礎(chǔ)工藝培訓(xùn)資料(已修改)
2025-06-28 14:52 本頁面
【正文】 培訓(xùn)資料前道一 制絨工藝制絨目的。，增加太陽光的吸收減少反射。工藝流程來料，開盒，檢查，裝片，稱重，配液加液，制絨，甩干，制絨后稱重，絨面檢查，流出。單晶制絨1號機(jī)槽號123456789 作用超聲溢流制絨槽超聲噴淋溢流成份檸檬酸/雙氧水+氨水純水NaOH+IPA+Na2SiO3純水配液6瓶/25L+25L5瓶+3瓶+3瓶補(bǔ)加 液100150g+1L無溫度90/606080常溫時間300/600200/5001200s3003004002號機(jī)槽號123456789 作用酸腐制絨槽酸洗溢流酸洗溢流溢流噴淋成份純水HCL純水HF純水配液16L12L補(bǔ)加 液時間440 420 400400200400200200300甩干噴水（S）噴氮（S）延時（S）壓力MPa低速/高速（r/m）溫度3032010～200/300128基本原理1超聲去除有機(jī)物和表面機(jī)械損傷層。目前采用檸檬酸超聲，和雙氧水與氨水混合超聲。3456制絨利用NaOH溶液對單晶硅片進(jìn)行各向異性腐蝕的特點(diǎn)來制備絨面。當(dāng)各向異性因子（（100）面與（111）面單晶硅腐蝕速率之比）=10時，可以得到整齊均勻的金字塔形的角錐體組成的絨面。絨面具有受光面積大，反射率低的特點(diǎn)?？梢蕴岣邌尉Ч杼柲茈姵氐亩搪冯娏?，從而提高太陽能電池的光轉(zhuǎn)換效率。化學(xué)反應(yīng)方程式：Si+2NaOH+H2O=Nasio3+2H2↑影響因素溫度過高，首先就是IPA不好控制，溫度一高，IPA的揮發(fā)很快，氣泡印就會隨之出現(xiàn)，這樣就大大減少了PN結(jié)的有效面積，反應(yīng)加劇,還會出現(xiàn)片子的漂浮，造成碎片率的增加。可控程度：調(diào)節(jié)機(jī)器的設(shè)置，可以很好的調(diào)節(jié)溫度。金字塔隨時間的變化：金字塔逐漸冒出來；表面上基本被小金字塔覆蓋，少數(shù)開始成長；金字塔密布的絨面已經(jīng)形成，只是大小不均勻，反射率也降到比較低的情況；金字塔向外擴(kuò)張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有下降。可控程度：調(diào)節(jié)設(shè)備參數(shù)，可以精確的調(diào)節(jié)時間。，調(diào)節(jié)各向因子。純NaOH溶液在高溫下對原子排列比較稀疏的100晶面和比較致密的111晶面破壞比較大，各個晶面被腐蝕而消融，IPA明顯減弱NaOH的腐蝕強(qiáng)度，增加了腐蝕的各向異性，有利于金字塔的成形。乙醇含量過高，堿溶液對硅溶液腐蝕能力變得很弱，各向異性因子又趨于1?？煽爻潭龋焊鶕?jù)首次配液的含量，及每次大約消耗的量，來補(bǔ)充一定量的液體，控制精度不高。形成金字塔絨面。NaOH濃度越高，金字塔體積越小，反應(yīng)初期，金字塔成核密度近似不受NaOH濃度影響，堿溶液的腐蝕性隨NaOH濃度變化比較顯著，濃度高的NaOH溶液與硅反映的速度加快，再反應(yīng)一段時間后，金字塔體積更大。NaOH濃度超過一定界限時，各向異性因子變小，絨面會越來越差，類似于拋光。可控程度：與IPA類似，控制精度不高。SI和NaOH反應(yīng)生產(chǎn)的Na2SiO3和加入的Na2SiO3能起到緩沖劑的作用，使反應(yīng)不至于很劇烈,變的平緩。Na2SiO3使反應(yīng)有了更多的起點(diǎn)，生長出的金字塔更均勻，更小一點(diǎn) Na2SiO3多的時候要及時的排掉，Na2SiO3導(dǎo)熱性差，會影響反應(yīng),溶液的粘稠度也增加，容易形成水紋、花藍(lán)印和表面斑點(diǎn)。可控程度：很難控制。4酸洗HCL去除硅片表面的金屬雜質(zhì)鹽酸具有酸和絡(luò)合劑的雙重作用，氯離子能與多種金屬離子形成可溶與水的絡(luò)合物。6酸洗HF去除硅片表面氧化層，SiO2+6HF=H2[siF6]+2H2O?？刂泣c(diǎn)1．減薄量定義：硅片制絨前后的前后重量差。控制范圍單晶125，硅片厚度在200177。25微米以上，177。；硅片厚度在200177。25微米以上，177。單晶156，177。；177。2．絨面判斷標(biāo)準(zhǔn)：成核密度高，大小適當(dāng)，均勻?？刂品秶簡尉В航鹱炙叽?~10um。3．外觀無缺口，斑點(diǎn)，裂紋，切割線，劃痕，凹坑，有無白斑，贓污。異常處理問題原因解決方法硅片表面大部分發(fā)白，發(fā)白區(qū)域未出絨面，不能充分進(jìn)行反應(yīng)，或者IPA含量過高，抑止反應(yīng)進(jìn)行。，減少IPA的用量。，重新配制溶液。，則可以斷定NaOH濃度不夠。采用稀堿超聲。延長超聲時間。，補(bǔ)加溶液必須先溶解，加入之后必須進(jìn)行溶液充分?jǐn)嚢?，使用燒杯或竿進(jìn)行“8”字形狀攪拌溶液。硅片表面有白斑，部分白斑區(qū)域出現(xiàn)在不同硅片同一位置，白斑區(qū)域明顯表現(xiàn)為被覆蓋沒有出絨現(xiàn)象硅片表面的有機(jī)物等污染物粘附于硅片表面，阻止硅片制絨。只使用檸檬酸進(jìn)行超聲，中間對超聲槽溶液進(jìn)行更換。硅片過腐，表現(xiàn)為絨面角錐體過大，減薄量過大堿濃度過大或反應(yīng)溫度過大，導(dǎo)致在100面上反應(yīng)速率遠(yuǎn)大于111面上反應(yīng)速率。測試溫度，確定是否為80度；稀釋溶液濃度，同時保證溶液的均勻性；降低下次堿配制的濃度。單晶硅片四邊都有白邊仍有白邊部份硅片反應(yīng)不夠充分，這部份對中間無白邊部份偏厚。換言之，整個硅片化學(xué)反應(yīng)不夠均勻，中間部份反應(yīng)放熱不易，導(dǎo)致反應(yīng)激烈。保證溶液均勻，控制硅片中心速度，增加緩沖劑。硅酸鈉溶液可視為緩沖劑。硅片兩側(cè)出現(xiàn)“花藍(lán)印”的白邊由于溶液中硅酸鈉的濃度過大，粘稠度增加，使得承片盒與硅片接觸的地方得不到充分反應(yīng)。視花藍(lán)印的嚴(yán)重程度和數(shù)量。通常需要對溶液進(jìn)行部分排放，并進(jìn)行補(bǔ)對。鼓泡此時一定要開啟。雨點(diǎn)氫氣泡粘附或氫氣泡移動緩慢形成。雨點(diǎn)處的絨面相對正常區(qū)域主要表現(xiàn)為制絨不夠。 及早發(fā)現(xiàn)，并進(jìn)行IPA補(bǔ)加，通常會去掉或消弱痕跡。 即使形成雨點(diǎn)狀不必繼續(xù)返工，鍍完減反射膜，可以蓋住。但這并不是成為做出雨點(diǎn)而不加以改善的理由。制絨時槽內(nèi)硅片區(qū)域性發(fā)白溶液不均勻或硅片本身原因?qū)е?。長時間制絨未見效果，對相應(yīng)區(qū)域進(jìn)行少許NaOH補(bǔ)充，撒在相應(yīng)槽區(qū)域即可；下次制絨之前需要對溶液攪拌均勻。制絨時硅片漂浮制絨IPA量不足，導(dǎo)致氫氣粘附于硅片表面，沒有及時被帶走。補(bǔ)加相應(yīng)IPA量即可。返工處理返工類型返工方法減薄量實(shí)測值小于控制計劃規(guī)定下限重新制絨，制絨時間可視實(shí)際情況調(diào)整各種硅片表面異常根據(jù)減薄量的大小確定返工二 擴(kuò)散工藝擴(kuò)散目的在來料硅片P型硅片的基礎(chǔ)上擴(kuò)散一層N型磷源，形成PN結(jié)。擴(kuò)散原理POCl3在高溫下（600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反應(yīng)式如下：5POCl3 =3PCl5+P2O5生成的P2O5在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng)，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反應(yīng)式如下： 2P2O
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1