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嵌入式系統(tǒng)第四章s(已修改)

2025-05-19 22:32 本頁面
 

【正文】 嵌入式系統(tǒng)講義 第 4章 S3C2410X系統(tǒng)結(jié)構(gòu) S3C2410X主要特性有哪些? S3C2410X的結(jié)構(gòu)分為幾個(gè)部分?每一部分主要由哪些部件構(gòu)成? S3C2410X的存儲(chǔ)器由哪幾部分構(gòu)成,每一部分有什么特點(diǎn)? 存儲(chǔ)器主要有哪些控制寄存器? S3C2410X的 Flash有哪些特點(diǎn)? S3C2410X的 DMA有哪些特點(diǎn)?其工作過程是怎樣的?每個(gè)通道配置有哪些寄存器? S3C2410X的 A/D轉(zhuǎn)換器有哪些特點(diǎn)?有哪些相關(guān)的寄存器? 編寫一程序,用查詢的方式,對(duì) S3C2410X的 A/D轉(zhuǎn)換器的第 0通道連續(xù)進(jìn)行 100次 A/D轉(zhuǎn)換,然后將其結(jié)果求平均值。注意: A/D轉(zhuǎn)換器有獨(dú)立的模擬信號(hào)輸入引腳 AIN0AIN9。 S3C2410X的中斷系統(tǒng)有哪些特點(diǎn)?相關(guān)的寄存器有哪些? S3C2410X的中斷控制器的工作過程是怎樣的?對(duì)于 IRQ,整個(gè)中斷過程是怎樣的(中斷控制器處理,向 CPU請(qǐng)求,轉(zhuǎn)到中斷入口,轉(zhuǎn)去獲得中斷服務(wù)程序的首地址,執(zhí)行中斷服務(wù)程序)? 編寫一程序,使用外部中斷 EINT0,用中斷方式對(duì)端口 C做數(shù)據(jù)輸入。(注意對(duì)中斷系統(tǒng)和相關(guān)引腳進(jìn)行初始化) 提示: C語言指向特定地址的方法: ( 1) define rGPCDAT (*(volatile unsigned *)0x56000024) ( 2) int *rGPCDAT=0x56000024。 ( 3) int *rGPCDAT。 rGPCDAT=0x56000024。 用第一種方法為好。 1 S3C2410X的定時(shí)器系統(tǒng)有哪些特點(diǎn)?由哪幾部分構(gòu)成?相關(guān)的寄存器有哪些?是如何工作的? 1編寫一程序,使用 timer0產(chǎn)生并輸出頻率為 10KHz、占空比為 1/2的方波。設(shè) f pclk=50MHz。(注意對(duì) timer0和相關(guān)引腳初始化) 1編寫一程序,利用 S3C2410X的 PWM功能對(duì)一直流電機(jī)進(jìn)行調(diào)速,要求使用 timer1產(chǎn)生并輸出頻率為 10KHz、占空比可變的方波進(jìn)行控制,電機(jī)的轉(zhuǎn)速變化如下圖所示。設(shè) f pclk=50MHz。(注意對(duì) timer0和相關(guān)引腳初始化) t0 2*t0 t v 0 第 4章 S3C2410X系統(tǒng)結(jié)構(gòu) S3C2410X概述 存儲(chǔ)器配置 DMA ADC和觸摸屏接口 中斷控制器 I/O端口 PWM UART接口 RTC IIC接口 SPI接口 其它接口 主要內(nèi)容 其它接口 USB接口 LCD控制器 SD接口 IIS接口 S3C2410X概述 主要內(nèi)容 ? 主要特性 ? 系統(tǒng)結(jié)構(gòu) ? 引腳信號(hào) S3C2410X概述 S3C2410X是韓國三星公司推出的 16/32位 RISC微控制器,其 CPU采用的是 ARM920T內(nèi)核,加上豐富的片內(nèi)外設(shè),為手持設(shè)備和其它應(yīng)用,提供了低價(jià)格、低功耗、高性能微控制器的解決方案。 一、主要特性 ? 具有 16KB指令 Cache、 16KB數(shù)據(jù) Cache和存儲(chǔ)器管理單元 MMU。 ? 外部存儲(chǔ)器控制器,可擴(kuò)展 8組,每組 128MB,總?cè)萘窟_(dá) 1GB;支持從 Nand flash存儲(chǔ)器啟動(dòng)。 ? 55個(gè)中斷源,可以設(shè)定 1個(gè)為快速中斷,有 24個(gè)外部中斷,并且觸發(fā)方式可以設(shè)定。 ? 4通道的 DMA,并且有外部請(qǐng)求引腳。 ? 3個(gè)通道的 UART,帶有 16字節(jié)的 TX/RX FIFO,支持 。 ? 具有 2通道的 SPI、 1個(gè)通道的 IIC串行總線接口和 1個(gè)通道的 IIS音頻總線接口。 ? 有 2個(gè) USB主機(jī)總線的端口, 1個(gè) USB設(shè)備總線的端口。 ? 有 4個(gè)具有 PWM功能的 16位定時(shí)器和 1個(gè) 16位內(nèi)部定時(shí)器。 ? 8通道的 10位 A/D轉(zhuǎn)換器,最高速率可達(dá) 500kB/s;提供有觸摸屏接口。 ? 具有 117個(gè)通用 I/O口和 24通道的外部中斷源。 ? 兼容 MMC的 SD卡接口。 ? 具有電源管理功能,可以使系統(tǒng)以普通方式、慢速方式、空閑方式和掉電方式工作。 ? 看門狗定時(shí)器。 ? 具有日歷功能的 RTC。 ? 有 LCD控制器,支持 4K色的 STN和 256K色的 TFT,配置有 DMA通道。 ? 具有 PLL功能的時(shí)鐘發(fā)生器,時(shí)鐘頻率高達(dá)203MHz。 ? 雙電源系統(tǒng): , I/O供電。 二、系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 主要由兩大部分構(gòu)成: ARM920T內(nèi)核 片內(nèi)外設(shè)。 ARM920T內(nèi)核 由三部分: ARM9內(nèi)核 ARM9TDMI、 32KB的Cache、 MMU。 片內(nèi)外設(shè) 分為高速外設(shè)和低速外設(shè),分別用 AHB總線和 APB總線。 三、引腳信號(hào) S3C微控制器是272FBGA封裝。 其信號(hào)可以分成 addr0addr2 Data0data3 GPA0GPA22 GPB GPC1 GPD1 GPE1 GPF GPG1 GPH EINT2 nGCS0—nGCS AIN IIC、 SPI、 OM0OM3 等,大部分都是復(fù)用的 S3C2410X的存儲(chǔ)器 主要內(nèi)容 ? 存儲(chǔ)器配置 – 存儲(chǔ)器概述 – 控制寄存器 ? Flash及控制器 – Flash控制器概述 – 控制器主要特性 – 控制器的寄存器 – 控制器的工作原理 存儲(chǔ)器配置 S3C2410X的存儲(chǔ)器配置 一、概 述 S3C2410X的存儲(chǔ)器管理器 提供訪問外部存儲(chǔ)器的所有控制信號(hào): 26位地址信號(hào)、 32位數(shù)據(jù)信號(hào)、 8個(gè)片選信號(hào)、以及讀 /寫控制信號(hào)等。 S3C2410X的存儲(chǔ)空間分成 8組 ,最大容量是 1GB,bank0bank5為固定 128MB, bank6和 bank7的容量可編程改變,可以是 1 3 6 128MB,并且bank7的開始地址與 bank6的結(jié)束地址相連接,但是二者的容量必須相等。 bank0可以作為引導(dǎo) ROM,其數(shù)據(jù)線寬只能是 16位和32位,復(fù)位時(shí)由 OM0、 OM1引腳確定;其它存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)線寬可以是 8位、 16位和 32位。 S3C2410X的存儲(chǔ)器格式, 可以編程設(shè)置為大端格式,也可以設(shè)置為小端格式。 注意:補(bǔ)充引腳信號(hào) 二、存儲(chǔ)器的控制寄存器 內(nèi)存控制器為訪問外部存儲(chǔ)空間提供存儲(chǔ)器控制信號(hào), S3C2410X存儲(chǔ)器控制器共有 13個(gè)寄存器。 寄存器 地 址 功 能 操作 復(fù)位值 BWSCON 0x48000000 總線寬度和等待控制 讀 /寫 0x0 BANKCON0 0x48000004 BANK0控制 讀 /寫 0x0700 BANKCON1 0x48000008 BANK1控制 讀 /寫 0x0700 BANKCON2 0x4800000C BANK2控制 讀 /寫 0x0700 BANKCON3 0x48000010 BANK3控制 讀 /寫 0x0700 BANKCON4 0x48000014 BANK4控制 讀 /寫 0x0700 BANKCON5 0x48000018 BANK5控制 讀 /寫 0x0700 BANKCON6 0x4800001C BANK6控制 讀 /寫 0x18008 BANKCON7 0x48000020 BANK7控制 讀 /寫 0x18008 REFRESH 0x48000024 SDRAM刷新控制 讀 /寫 0xAC0000 BANKSIZE 0x48000028 可變的組大小設(shè)置 讀 /寫 0x0 MRSRB6 0x4800002C BANK6模式設(shè)置 讀 /寫 xxx MRSRB7 0x48000030 BANK7模式設(shè)置 讀 /寫 xxx 總線寬度和等待控制寄存器 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 ST7 WS7 DW7 ST6 WS6 DW6 ST5 WS5 DW5 ST4 WS4 DW4 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 ST3 WS3 DW3 ST2 WS2 DW2 ST1 WS1 DW1 X DW0 X STn:控制存儲(chǔ)器組 n的 UB/LB引腳輸出信號(hào) 。 1:使 UB/LB與 nBE[3: 0]相連; 0:使 UB/LB與 nWBE[3: 0]相連 WSn:使用 /禁用存儲(chǔ)器組 n的 WAIT狀態(tài) 1:使能 WAIT; 0:禁止 WAIT DWn:控制存儲(chǔ)器組 n的數(shù)據(jù)線寬 00: 8位; 01: 16位; 10: 32位; 11:保留 Tacs:設(shè)置 nGCSn有效前地址的建立時(shí)間 00: 0個(gè) ; 01: 1個(gè); 10: 2個(gè); 11: 4個(gè)時(shí)鐘周期 Tcos:設(shè)置 nOE有效前片選信號(hào)的建立時(shí)間 00: 0個(gè) ; 01: 1個(gè); 10: 2個(gè); 11: 4個(gè)時(shí)鐘周期 Tacc:訪問周期 000: 1個(gè); 001: 2個(gè); 010: 3個(gè); 011: 4個(gè)時(shí)鐘 100: 6個(gè): 101: 8個(gè); 110: 10個(gè); 111: 14個(gè) 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Tacs Tcos Tacc Tcoh Tcah Tacp PMC BANKn存儲(chǔ)器組控制寄存器 ( n=05) 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 Tcoh: nOE無效后片選信號(hào)的保持時(shí)間 00: 0個(gè) ; 01: 1個(gè); 10: 2個(gè); 11: 4個(gè)時(shí)鐘 Tcah: nGCSn無效后地址信號(hào)的保持時(shí)間 00: 0個(gè) ; 01: 1個(gè); 10: 2個(gè); 11: 4個(gè)時(shí)鐘 Tacp:頁模式的訪問周期 00: 2個(gè) ; 01: 3個(gè); 10: 4個(gè); 11: 6個(gè)時(shí)鐘 PMC:頁模式的配置,每次讀寫的數(shù)據(jù)數(shù) 00: 1個(gè) ; 01: 4個(gè); 10: 8個(gè); 11: 16個(gè) 注: 00為通常模式。 注:紫色為實(shí)驗(yàn)箱上的配置 ,其值為 0x0700 MT: 設(shè)置存儲(chǔ)器類型 00: ROM或者 SRAM, [3: 0]為 Tacp和 PMC; 11: SDRAM, [3: 0]為 Trcd和 SCAN; 0 10:保留 Trcd:由行地址信號(hào)切換到列地址信號(hào)的延時(shí)時(shí)鐘數(shù) 00: 2個(gè)時(shí)鐘; 01: 3個(gè)時(shí)鐘; 10: 4個(gè)時(shí)鐘 SCAN:列地址位數(shù) 00: 8位; 01: 9位; 10: 10位 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Tacs Tcos Tacc Tcoh Tcah Tacp/ Trcd PMC/ SCAN BANK6/7存儲(chǔ)器組 6/7控制寄存器 31 …… 17 16 15 保留 MT REFEN:刷新控制 。 1: 使能刷新; 0:禁止刷新 TREFMD:刷新方式 。 1:自刷新 0: 自動(dòng)刷新 Trp:設(shè)置 SDRAM行刷新時(shí)間 (時(shí)鐘數(shù)) 00: 2個(gè)時(shí)鐘; 01: 3個(gè); 10: 3個(gè); 11: 4個(gè)時(shí)鐘 Tsrc:設(shè)置 SDRAM行操作時(shí)間 (時(shí)鐘數(shù)) 00: 4個(gè)時(shí)鐘; 01: 5個(gè); 10: 6個(gè); 11: 7個(gè)時(shí)鐘 注: SDRAM的行周期 = Trp + Tsrc。 Refresh_count:刷新計(jì)數(shù)值 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 保 留 Refresh_count REFRESH刷新控制寄存器 31 …… 24 23 22 21 20 19 18 17 16 保 留 REFEN TREFMD Trp Tsrc 保留 Refresh_count:刷新計(jì)數(shù)器值 計(jì)算公式: 刷新周期 =( 211 Refresh_count+1) /HCLK 例子:設(shè)刷新周期 =, HCLK=60MHz 則 刷新計(jì)數(shù)器值 =211+160 =1113 1113=0x459=0b10001011001 高 24位未用。 BURST_EN: ARM突發(fā)操作控制 0:禁止突發(fā)操作; 1:可突發(fā)操作 SCKE_EN: SCKE使能控制 SDRAM省電模式 0:關(guān)閉省電模式; 1:使能省電模式 SCLK_EN: S
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