專題八電場ppt課件(已修改)
2025-05-17 18:47 本頁面
【正文】 專題八 電場 帶電粒子在電場中的運動 一、帶電體的分類 二、帶電粒子在電場中的運動 帶電粒子在電場中的平衡 帶電粒子在電場中的直線運動 （ 2） 在非勻強電場中 (1) 在勻強電場中 帶電粒子在勻強電場中的偏轉(zhuǎn) （僅受電場力， v0垂直 E 類平拋運動） 帶電粒子在勻強電場中的偏轉(zhuǎn) （受重力電場力， 做 勻變速曲線 運動 ） 基本粒子 帶電顆粒 【 例 1】 真空中的某裝置如圖 5所示 ,其中平行金屬板 A、 B之間有加速電場 ,C、 D之間有偏轉(zhuǎn)電場 ,M為熒光屏 .今有質(zhì)子、氘核和粒子均由 A板從靜止開始被加速電場加速后垂直于電場方向進入偏轉(zhuǎn)電場 ,最后打在熒光屏上 .已知質(zhì)子、氘核和粒子的質(zhì)量之比為 1∶2∶4, 電荷量之比為 1∶1∶2, 則下列判斷中正確的是 ( ) B板運動到熒光屏經(jīng)歷的時間相同 1, 1∶2∶2 5,8 1∶2∶4 8,7 2022v2121 LmdqUaty ????022024v2 dUULmdqU Ly ??U0 U qU0=mv02/2 B W偏轉(zhuǎn) =qEy∝ q 偏轉(zhuǎn)電場的電場力對三種粒子做功之比為 1∶1∶2 【 例 2】 如圖 9所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖 .在 Oxy平面的 ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個場強大小均為 E的勻強電場 Ⅰ 和 Ⅱ ，兩電場的邊界均是邊長為 L的正方形（不計電子所受重力）。 （ 1）在該區(qū)域 AB邊的中點處由靜止釋放電子，求電子離開 ABCD區(qū)域的位置 . （ 2）在電場 Ⅰ 區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子，電子恰能從 ABCD區(qū)域左下角 D處離開，求所有釋放點的位置 . （ 3）若將左側(cè)電場 Ⅱ 整體水平向右移動 L/n（ n≥1 ），仍使電子從 ABCD區(qū)域左下角 D處離開（ D不隨電場移動），求在電場 Ⅰ 區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。 F y 2012eE L m v?（ 1） 22011()2 2 2L e E Ly atmv??? ? ?????電子離開 ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo)為 （－ 2L， L/4) ） y=L/4 （ 2） 設(shè)釋放點在電場區(qū)域 I中，其坐標(biāo)為（ x， y），在電場 I中電子被加速到 v1，然后進入電場 II做類平拋運動，并從 D點離開 xy=L2/4 y x y=at2/2=eEL2/2v12m=L2/4x v0 eEx=mv12/2 v1 【 例 2】 如圖 9所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖 .在 Oxy平面的 ABCD區(qū)域內(nèi)，存在兩個場強大小均為 E的勻強電場 Ⅰ 和 Ⅱ ，兩電場的邊界均是邊長為 L的正方形（不計電子所受重力）。 （ 3）若將左側(cè)電場 Ⅱ 整體水平向右移動 L/n（ n≥1 ），仍使電子從 ABCD區(qū)域左下角 D處離開（ D不隨電場移動），求在電場 Ⅰ 區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。 （ 3） ） 2212eE x m v?y x 2ye E Lv a tmv??設(shè)電子從（ x， y）點釋放，在電場 I中加速到 v2，進入電場 II后做類平拋運動，在高度為 y2處離開電場 II時的情景與（ 2）中類似，然后電子做勻速直線運動，經(jīng)過 D點，則有 2 1124x y Ln????????y1=at2/2=eEL2/2v22m=L2/4x y1 y1+y2=y y2 y2=L2/2nx v2 y2=vyt2=vy(L/nv2) L/n 拓展 2： 對偏移公式的討論： 20222121VLmdqUaty ????對于不同的帶電粒子 （ 1）若以相同的速度射入， （ 2）若以相同的動能射入， 則 y∝ q/m 則 y∝q 拓展 2： 對偏移公式的討論： 20222121VLmdqUaty ????對于不同的帶電粒子 （ 1）若以相同的速度射入， （ 2）若以相同的動能射入， 0220242 dUULm dVqU Ly ??y與 q m無關(guān) ,隨加速電壓的增大而減小，隨偏轉(zhuǎn)電壓的增大而增大。 則 y∝ q/m 則 y∝q （ 3）先由同一加速電場加速后，再進入偏轉(zhuǎn)電場
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