電工學(xué)半導(dǎo)體器ppt課件(已修改)
2025-05-13 07:33 本頁面
【正文】 海南風(fēng)光 ， P型硅， N型硅 PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管 穩(wěn)壓二極管 三極管 第 10章 半導(dǎo)體器件 中國礦業(yè)大學(xué)（北京）信息所 ? 模擬電路：研究輸出與輸入信號(hào)之間的大小、相位、失真等方面的關(guān)系。 ? 基本電路元件 ：晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、集成運(yùn)算放大器。 ? 基本模擬電路 ：信號(hào)放大及運(yùn)算（信號(hào)放大、功率放大）、信號(hào)處理（采樣保持、電壓比較、有源濾波）、信號(hào)發(fā)生（正 弦 波發(fā)生器、三角波發(fā)生器等）。 ? 研究方法 ：建立等效模型，近似計(jì)算。 本征半導(dǎo)體 現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。 Si 硅原子 Ge 鍺原子 167。 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵共 用電子對(duì) +4 +4 +4 +4 +4表示除去價(jià)電子后的原子 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為 本征半導(dǎo)體 。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 N型半導(dǎo)體 （主要載流子為電子，電子半導(dǎo)體） P型半導(dǎo)體 （主要載流子為空穴，空穴半導(dǎo)體） N型半導(dǎo)體 多余電子 磷原子 硅原子 + N型硅表示 Si P Si Si 硅或鍺 +少量磷 ? N型半導(dǎo)體 空穴 P型半導(dǎo)體 硼原子 P型硅表示 Si Si Si B 硅原子 空穴被認(rèn)為帶一個(gè)單位的正電荷，并且可以移動(dòng) 硅或鍺 +少量硼 ? P型半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半導(dǎo)體 PN 結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了 PN結(jié)。 167。 PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管 P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng) E 漂移運(yùn)動(dòng) 空間電荷區(qū) PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng) 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。 漂移運(yùn)動(dòng) P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + +
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