流注先導(dǎo)主放電(1)(已修改)
2025-05-12 01:49 本頁(yè)面
【正文】 高電壓工程系 何正浩 第 2講回顧 ?帶電粒子的產(chǎn)生與消失 ?湯遜理論 ?巴申定律的解釋 ?湯遜理論的適用范圍 2 3 第 3 講 氣體電介質(zhì)的絕緣特性（二） 流注理論 ? 在高氣壓長(zhǎng)間隙條件下的氣體放電理論 ? 特點(diǎn)：認(rèn)為電子碰撞電離及空間 光電離 是維持自持放電的主要因素 ， 并強(qiáng)調(diào)了 空間電荷畸變電場(chǎng) 的作用 ? 通過大量的實(shí)驗(yàn)研究 （ 主要在電離室中進(jìn)行的 ） 說明放電發(fā)展的機(jī)理 4 ? 電子崩階段 空間電荷畸變外電場(chǎng) ? 流注階段 光電離形成二次電子崩 ， 等離子體 5 （ 1） 電子崩階段 6 ????????????????????)(c )(d?? ?????????????????????）（a)(b??????（ a）初始電子崩 陽(yáng)極側(cè)電子崩數(shù)目多 正空間電荷加強(qiáng)了原電場(chǎng)，同時(shí)向周圍放射出大量光子 （一）流注理論 （ b）二次電子崩 ? 光子使附近的氣體因光電離而產(chǎn)生二次電子 ? 它們?cè)谟烧臻g電荷所引起的畸變和加強(qiáng)了的局部電場(chǎng)作用下 ， 又形成新的電子崩 ， 即二次電子崩 7 ?????????????????????)(c )(d?? ???????????????????）（a)(b?????（ 2）流注的形成和發(fā)展 ?二次電子崩中的電子＋初始電子崩的正空間電荷 —— 混合通道 （ 流注 ） 。 流注通道＋二次崩留下的正電荷 ， 大大加強(qiáng)了流注發(fā)展方向的電場(chǎng) ， 產(chǎn)生新電子崩 ， 從而使流注向前發(fā)展 8 ?????????????????????)(c )(d?? ????????????????????）（a)(b??????（ 3）間隙的擊穿 ?流注不斷向陰極推進(jìn) ， 頭部電場(chǎng)越來(lái)越強(qiáng) ， 因而其發(fā)展也越快 ?流注發(fā)展到陰極 ， 間隙被導(dǎo)電良好的等離子通道所貫通 —— 間隙擊穿 9 ?
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