電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)題(已修改)
2025-04-29 07:00 本頁(yè)面
【正文】 21與信息電子電路中的二極管相比，電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力？答：，使得硅片中通過電流的有效面積增大，顯著提高了二極管的通流能力。，也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體，由于摻雜濃度低，低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。22. 使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？ 答：使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓，并在門極施加觸發(fā)電流（脈沖）?；颍簎AK0且uGK0。 23. 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么？怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷？ 答：維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流，即維持電流。 要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷， 可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。 211常見的全控型電力電子器件有哪些？答：門極可關(guān)斷晶閘管, 電力晶閘管，電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，絕緣柵雙極晶體管。 31單相半波可控整流電路對(duì)電感負(fù)載供電，L=20Mh，U2=100V，求當(dāng)時(shí)和時(shí)的負(fù)載電流Id，并畫出Ud與Id波形。解：時(shí)，在電源電壓U2的正半周期晶閘管導(dǎo)通時(shí)，負(fù)載電感L儲(chǔ)能，在晶閘管開始導(dǎo)通時(shí)刻，負(fù)載電流為零。在電源電壓U2的負(fù)半周期，負(fù)載電感L釋放能量，晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通。因此，在電源電壓U2的一個(gè)周期中下列方程成立：考慮到初始條件：當(dāng)時(shí)id=0可解方程：Ud與Id的波形如下圖： 當(dāng)a=時(shí)，在U2的正半周期~期間，晶閘管導(dǎo)通使電感L儲(chǔ)能，電感L儲(chǔ)藏的能量在U2負(fù)半周期~期間釋放，因此在U2的一個(gè)周期中~期間，下列微分方程成立：考慮到初始條件：當(dāng)時(shí)id=0可解方程得：id=其平均值為Id=此時(shí)Ud與id的波形如下圖：35單相橋式全控整流電路，U2 =100V，負(fù)載R=20，L值極大，反電勢(shì)E=60V，當(dāng)時(shí)，要求：①作出Ud、Id和I2的波形；；②求整流輸出平均電壓Ud、電流Id，變壓器二次側(cè)電流有效值I2；③考慮安全裕量,確定晶閘管的額定電壓和額定電流。解：①Ud、Id和I2的波形如下圖：②整流輸出平均電壓Ud、電流Id、變壓器二次測(cè)電流有效值I分別為： Ud==100cos=(V) Id=(Ud一E)/R=()/2=9(A) I2=Id=9(A)③晶閘管承受的最大反向電壓為： U2=100=(V) 流過每個(gè)晶閘管的電流有效值為： IVT=Id
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