材料科學(xué)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)大綱(已修改)
2025-04-29 03:39 本頁面
【正文】 . . . . .材料科學(xué)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)大綱第二章晶體結(jié)構(gòu) 結(jié)晶學(xué)基礎(chǔ)概念:晶體晶胞晶胞參數(shù)七大晶系晶面指數(shù)晶面族晶向指數(shù)晶向族晶面指數(shù)和晶向指數(shù)的計算 結(jié)合力與結(jié)合能按照結(jié)合力性質(zhì)不同分為物理鍵和化學(xué)鍵化學(xué)鍵包括離子鍵共價鍵金屬鍵物理鍵包括范德華鍵氫鍵晶體中離子鍵共價鍵比例估算(離子晶體晶格能 堆積(記憶常識最緊密堆積原理及其使用范圍:原理略適用范圍:典型的離子晶體和金屬晶體原因:該原理是建立在質(zhì)點(diǎn)在電子云分布呈球形對稱以及無方向性的基礎(chǔ)上的兩種最緊密堆積方式:面心立方最緊密堆積ABCABC 密排六方最緊密堆積ABABAB系統(tǒng)中:每個球周圍有6個八面體空隙 8個四面體空隙N個等徑球體做最緊密堆積時系統(tǒng)有2N個四面體空隙N個八面體空隙八面體空隙體積大于四面體空隙空間利用率:晶胞中原子體積與晶胞體積的比值(要學(xué)會計算﹪(等徑球堆積時影響晶體結(jié)構(gòu)的因素內(nèi)因:質(zhì)點(diǎn)相對大小(決定性因素配位數(shù)(概念及計算極化(概念,極化對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的影響外因(了解:同質(zhì)多晶類質(zhì)多晶同質(zhì)多晶轉(zhuǎn)變 單質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)(了解 無機(jī)化合物結(jié)構(gòu)(重點(diǎn)每年必考分析結(jié)構(gòu)從以下幾個方面入手:晶胞分子數(shù),何種離子做何種堆積,何種離子添隙,添隙百分比,正負(fù)離子配位數(shù),正負(fù)離子電價是否飽和,配位多面體,添隙半徑的計算(剛好相切時,隙結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。NaCl型:4個NaCl分子 Cl離子做面心立方密堆積,Na離子填充八面體空隙,填充率100﹪,正負(fù)離子配位數(shù)均為6,電價飽和?！綨aCl6】或【ClNa6】八面體結(jié)構(gòu)與性能:此結(jié)構(gòu)在三維方向上鍵力均勻,因此無明顯解理,破碎后呈顆粒狀,粒為多面體形狀。離子鍵結(jié)合,因此有較高的熔點(diǎn)和硬度立方ZnS結(jié)構(gòu):4個ZnS分子S離子做面心立方密堆積,Zn離子填充四面體空隙填充率50﹪,離子配位數(shù)均為4,電價飽和,【ZnS4】四面體會畫投影圖(:一定要畫虛線,一定要標(biāo)高,一定要有圖例(白球黑球代表什么離子螢石(CaF2結(jié)構(gòu):(唯一正離子做堆積的結(jié)構(gòu)4個CaF2分子 Ca離子做面心立方密堆積,F離子填充四面體空隙,填充率100﹪。正離子配位數(shù)為8,負(fù)離子配位數(shù)為4,電價飽和,【CaF8】或【FCa4】結(jié)構(gòu)與性能:與NaCl相比,綜合電價和半徑因素,螢石質(zhì)點(diǎn)間鍵力比NaCl強(qiáng),表現(xiàn)為螢石硬度熔點(diǎn)密度高于NaCl而水中溶解度低于NaCl。由于螢石結(jié)構(gòu)中有一半的立方體空隙沒有被Ca離子填充,所以在{111}面網(wǎng)方向上存在毗鄰的同號離子層,其靜電斥力起主要作用,導(dǎo)致晶體在平行與
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