【正文】 第一部分 射線檢測(cè) 共： 690題 其中： 是非題 213題 選擇題 283題 問(wèn)答題 79題 計(jì)算題 115題一、是非題 原子序數(shù)Z等于原子核中的質(zhì)子數(shù)量。 （ ） 為了使原子呈中性，原子核中的質(zhì)子數(shù)必須等于核外的電子數(shù)。 （ ） 當(dāng)原子核內(nèi)的中子數(shù)改變時(shí)，它就會(huì)變?yōu)榱硪环N元素。 （ ） 當(dāng)一個(gè)原子增加一個(gè)質(zhì)子時(shí)，仍可保持元素的種類(lèi)不變。 （ ） 原子序數(shù)相同而原子量不同的元素，我們稱(chēng)它為同位素。 （ ） 不穩(wěn)定同位素在衰變過(guò)程中，始終要輻射γ射線。 （ ） 不同種類(lèi)的同位素，放射性活度大的總是比放射性活度小的具有更高的輻射劑量。 （ ） 放射性同位素的半衰期是指放射性元素的能量變?yōu)樵瓉?lái)一半所需要的時(shí)間。 （ ） 各種γ射線源產(chǎn)生的射線均是單能輻射。 （ ） α射線和β射線雖然有很強(qiáng)的穿透能力，但由于對(duì)人體輻射傷害太大，所以一般不用于工業(yè)探傷。 （ ） 將元素放在核反應(yīng)堆中受過(guò)量中子轟擊，從而變成人造放射性同位素，這一過(guò)程稱(chēng)為“激活”。 （ ） 與其他放射性同位素不同，Cs137是原子裂變的產(chǎn)物，在常溫下呈液態(tài)，使用前須防止泄漏污染。 （ ） 與Ir192相比，Se75放射性同位素的半衰期更短，因此其衰變常數(shù)λ也更小一些。 （ ） 射線能量越高，傳播速度越快，例如γ射線比X射線傳播快。 （ ） X射線或γ射線強(qiáng)度越高，其能量就越大。 （ ） X射線或γ射線是以光速傳播的微小的物質(zhì)粒子。 （ ） 當(dāng)X射線經(jīng)過(guò)2個(gè)半價(jià)層后，其能量?jī)H僅剩下最初的1/4。 （ ） 如果母材的密度比缺陷的密度大一倍，而母材的原子序數(shù)比缺陷的原子序數(shù)小一半時(shí)，缺陷在底片上所成的象是白斑。 （ ） 標(biāo)識(shí)X射線具有高能量，那是由于高速電子同靶原子核相碰撞的結(jié)果。 （ ） 連續(xù)X射線是高速電子同靶原子的軌道電子相碰撞的結(jié)果。 （ ） X射線的波長(zhǎng)與管電壓有關(guān)。 （ ） X射線機(jī)產(chǎn)生X射線的效率比較高，大約有95%的電能轉(zhuǎn)化為X射線的能量。 （ ） 一種同位素相當(dāng)于多少千伏或兆伏能力的X射線機(jī)來(lái)做相同的工作，這種關(guān)系叫做同位素的當(dāng)量能。 （ ） 同能量的γ射線和X射線具有完全相同的性質(zhì)。 （ ） X射線的強(qiáng)度不僅取決于X射線機(jī)的管電流而且還取決于X射線機(jī)的管電壓。 （ ） 與Co60相對(duì)，Cs137發(fā)出的γ射線能量較低，半衰期較短。 （ ） 光電效應(yīng)中光子被完全吸收，而康普頓效應(yīng)中光子未被完全吸收。 （ ） 一能量為300KeV的光子與原子相互作用，使一軌道電子脫離50KeV結(jié)合能的軌道，且具有50KeV動(dòng)能飛出，則新光子的能量是200KeV。 （ ） 光電效應(yīng)的發(fā)生幾率隨原子序數(shù)的增大而增加。 （ ） 光電子又稱(chēng)為反沖電子。 （ ） 隨著入射光子能量的增大，光電吸收系數(shù)迅速減少，康普頓衰減系數(shù)逐漸增大。 （ ） ，與物質(zhì)相互作用的主要形式是電子對(duì)效應(yīng)。 （ ） 連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后，強(qiáng)度減弱，線質(zhì)不變。 （ ） 射線通過(guò)材料后，其強(qiáng)度的9/10被吸收，該厚度即稱(chēng)作1/10價(jià)層。 （ ） 當(dāng)射線穿過(guò)三個(gè)半價(jià)層后，其強(qiáng)度僅剩下最初的1/8。 （ ） 連續(xù)X射線的有效能量是指穿透物質(zhì)后，未被物質(zhì)吸收的能量。所以穿透厚度越大，有效能量越小。 （ ） Co60和Ir192射線源是穩(wěn)定的同位素在核反應(yīng)堆中俘獲中子而得到的，當(dāng)射線源經(jīng)過(guò)幾個(gè)半衰期后，將其放在核反應(yīng)堆中激活，可重復(fù)使用。 （ ） X射線和γ射線都是電磁輻射，而中子射線不是電磁輻射。 （ ） 放射性同位素的當(dāng)量能總是高于其平均能。 （ ） X射線與可見(jiàn)光本質(zhì)上的區(qū)別僅僅是振動(dòng)頻率不同。 （ ） 高速電子與靶原子的軌道電子相撞發(fā)出X射線，這一過(guò)程稱(chēng)作韌致輻射。 （ ） 連續(xù)X射線的能量與管電壓有關(guān)，與管電流無(wú)關(guān)。 （ ） 連續(xù)X射線的強(qiáng)度與管電流有關(guān)，與管電壓無(wú)關(guān)。 （ ） 標(biāo)識(shí)X射線的能量與管電壓、管電流均無(wú)關(guān)，僅取決于靶材料。 （ ） X射線與γ射線的基本區(qū)別是后者具有高能量，可以穿透較厚物質(zhì)。 （ ） 采取一定措施可以使射線照射范圍限制在一個(gè)小區(qū)域，這樣的射線稱(chēng)為窄束射線。 （ ） 對(duì)鋼、鋁、銅等金屬材料來(lái)說(shuō)，射線的質(zhì)量吸收系數(shù)值總是小于線吸收系數(shù)值。 （ ） 原子核的穩(wěn)定性與核內(nèi)中子數(shù)有關(guān)，核內(nèi)中子數(shù)越小，核就越穩(wěn)定。 （ ） 經(jīng)過(guò)一次β－ 衰變，元素的原子序數(shù)Z增加1，而經(jīng)過(guò)一次α衰變，元素的原子序數(shù)Z將減少2。 （ ） 放射性同位素衰變常數(shù)越小，意味著該同位素半衰期越長(zhǎng)。 在管電壓、管電流不變的前提下，將X射線管的靶材料由鉬改為鎢，所發(fā)生的射線強(qiáng)度會(huì)增大。 （ ） 在工業(yè)射線探傷中，使膠片感光的主要是連續(xù)譜X射線，標(biāo)識(shí)譜X射線不起什么作用。 （ ） Ir192射線與物質(zhì)相互作用，肯定不會(huì)發(fā)生電子對(duì)效應(yīng)。 （ ） 高能X射線與物質(zhì)相互作用的主要形式之一是瑞利散射。 （ ） 連續(xù)X射線穿透物質(zhì)后，強(qiáng)度減弱，平均波長(zhǎng)變短。 （ ） X光管的有效焦點(diǎn)總是小于實(shí)際焦點(diǎn)。 （ ） X射線機(jī)中的焦點(diǎn)尺寸，應(yīng)盡可能大，這樣發(fā)射的X射線能量大，同時(shí)也可防止靶過(guò)份受熱。 （ ） X射線管中電子的速度越小，則所發(fā)生的射線能量也就越小。 （ ） 由于X射線機(jī)的電壓峰值（KVP）容易使人誤解，所以X射線機(jī)所發(fā)出的射線能量用電壓的平均值表示。 （ ） 全波整流X射線機(jī)所產(chǎn)生射線的平均能比半波整流X射線機(jī)所產(chǎn)生射線的平均能高。 （ ） 移動(dòng)式X射線機(jī)只能室內(nèi)小范圍移動(dòng)，不能到野外作業(yè)。 （ ） 移動(dòng)式X射線機(jī)有油冷和氣冷兩種絕緣介質(zhì)冷卻方式。 （ ） 相同千伏值的金屬陶瓷管和玻璃管，前者體積和尺寸小于后者。 （ ） “變頻”是減小X射線機(jī)重量的有效措施之一。 （ ） 放射性同位素的比活度越大，其輻射強(qiáng)度也就越大。 （ ） 適宜探測(cè)厚度100mm以上鋼試件γ源的是Co60，透宜探測(cè)厚度20mm以下鋼試件的γ源是Ir192。 （ ） 黑度定義為阻光率的常用對(duì)數(shù)值。 （ ） 底片黑度D＝1，即意味著透射光強(qiáng)為入射光強(qiáng)的十分之一。 （ ） ISO感光度100的膠片。 （ ） 能量較低的射線較更容易被膠片吸收，引起感光，因此，射線透照時(shí)防止散射線十分重要。 （ ） 用來(lái)說(shuō)明管電壓、管電流和穿透厚度關(guān)系的曲線稱(chēng)為膠片特性曲線。 （ ） 膠片達(dá)到一定黑度所需的照射量（即倫琴數(shù)）與射線質(zhì)無(wú)關(guān)。 （ ） 同一膠片對(duì)不同能量的射線具有不同的感光度。 （ ） 比活度越小，即意味著該放射性同位素源的尺寸可以做得更小。 （ ） 膠片灰霧度包括片基固有密度和化學(xué)灰霧密度兩部分。 （ ） 非增感型膠片反差系數(shù)隨黑度的增加而增大，而增感型膠片反差系數(shù)隨黑度增加的增大而減小。 （ ） 在常用的100KV400KV X射線能量范圍內(nèi)，鉛箔增感屏的增感系數(shù)隨其厚度的增大而減小。 （ ） 對(duì)X射線，增感系數(shù)隨射線能量的增高而增大。但對(duì)γ射線來(lái)說(shuō)則不是這樣，例如，鉆60的增感系數(shù)比銥192低。 （ ） 對(duì)X射線機(jī)進(jìn)行“訓(xùn)練”的目的是為了排出絕緣油中的氣泡。 （ ） X和射線的本質(zhì)是相同的，但射線來(lái)自同位素，而X射線來(lái)自于一個(gè)以高壓加速電子的裝置。 （ ） 在任何情況下，同位素都有優(yōu)于X射線設(shè)備，這是由于使用它能得到更高的對(duì)比度和清晰度。 （ ） 對(duì)于某一同位素放射源，其活度越大，則所發(fā)出的射線強(qiáng)度也越大。 （ ） 將一張含有針孔的鉛板放于X射線管和膠片之間的中間位置上，可以用來(lái)測(cè)量中心射線的強(qiáng)度。 （ ） 相同標(biāo)稱(chēng)千伏值和毫安值的X射線機(jī)所產(chǎn)生的射線強(qiáng)度和能量必定相同。 （ ） 所謂“管電流”就是流過(guò)X射線管燈絲的電流。 （ ） 放射源的比活度越大，其半衰期就越短。 （ ） 膠片對(duì)比度與射線能量有關(guān)，射線能量越高，膠片對(duì)比度越小。 （ ） 膠片特性曲線的斜率用來(lái)度量膠片的對(duì)比度。 （ ） 從實(shí)際應(yīng)用的角度來(lái)說(shuō)，射線的能量對(duì)膠片特性曲線形狀基本上不產(chǎn)生影響。 （ ） 寬容度大的膠片其對(duì)比度必然低。 （ ） 顯影時(shí)間延長(zhǎng)，將會(huì)使特性曲線變陡，且在座標(biāo)上的位置向左移。 （ ） 膠片特性曲線在座標(biāo)上的位置向左移，意味著膠片感光速度減小。 （ ） 與一般膠片不同，X射線膠片雙面涂布感光乳劑層，其目的是為了增加感光速度和黑度。 （ ） “潛象”是指在沒(méi)有強(qiáng)光燈的條件下不能看到的影像。 （ ） 鉛增感屏除有增感作用外，還有減少散射線的作用，因此在射線能穿透的前提下，應(yīng)盡量選用較厚的鉛屏。 （ ） 透照不銹鋼焊縫，可以使用碳素鋼絲象質(zhì)計(jì) 透照鈦焊縫，必須使用鈦金屬絲象質(zhì)計(jì)。 （ ） 透照鎳基合金焊縫時(shí)使用碳素鋼絲象質(zhì)計(jì)，如果底片上顯示的線徑編號(hào)剛剛達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值，則該底片的實(shí)際靈敏度肯定達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求。 （ ） 因?yàn)殂U箔增感屏的增感系數(shù)高于熒光增感屏，所以得到廣泛使用。 （ ） 膠片鹵化銀粒度就是顯影后底片的顆粒度。 （ ） 梯噪比高的膠片成像質(zhì)量好。 （ ） 膠片系統(tǒng)分類(lèi)的主要依據(jù)是膠片感光速度和梯噪比。 （ ） 影象顆粒度完全取決于膠片乳劑層中鹵化銀微粒尺寸的大小。 （ ） %，%的缺陷均可被檢出。 （ ） 使用較低能量的射線可得到較高的主因?qū)Ρ榷取?（ ） 射線照相時(shí)，若千伏值提高，將會(huì)使膠片對(duì)比度降低。 （ ） 一般來(lái)說(shuō)，對(duì)厚度差較大的工件，應(yīng)使用較高能量射線透照，其目的是降低對(duì)比度，增大寬容度。 （ ） 增大曝光量可提高主因?qū)Ρ榷取?（ ） 當(dāng)射線的有效量增加到大約250KV以上時(shí)，就會(huì)對(duì)底片顆粒度產(chǎn)生明顯影響。 （ ） 增大最小可見(jiàn)對(duì)比度ΔDmin，有助于識(shí)別小缺陷。 （ ） 射線照相主因?qū)Ρ榷扰c入射線的能譜有關(guān)，與強(qiáng)度無(wú)關(guān)。 （ ） 用增大射源到膠片距離的辦法可降低射線照相固有不清晰度。 （ ） 減小幾何不清晰度的途徑之一，就是使膠片盡可能地靠近工件。 （ ） 利用陽(yáng)極側(cè)射線照相所得到的底片的幾何不清晰度比陰極側(cè)好。 （ ） 膠片的顆粒越粗，則引起的幾何不清晰度就越大。 （ ） 使用γ射線源可以消除幾何不清晰度。 （ ） 增加源到膠片的距離可以減小幾何清晰度，但同時(shí)會(huì)引起固有不清晰度增大。 （ ） 膠片成象的顆粒性會(huì)隨著射線能量的提高而變差。 （ ） 對(duì)比度、清晰度、顆粒度是決定射線照相靈敏度的三個(gè)主要因素。 （ ） 膠片對(duì)比度和主因?qū)Ρ榷染c工件厚度變化引起的黑度差有關(guān)。 （ ） 使用較低能量的射線可提高主因?qū)Ρ榷?，但同時(shí)會(huì)降低膠片對(duì)比度。 （ ） 膠片的粒度越大，固有不清晰度也就越大。 （ ） 顯影不足或過(guò)度，會(huì)影響底片對(duì)比度，但不會(huì)影響顆粒度。 （ ） 實(shí)際上由射線能量引起的不清晰度和顆粒度是同一效應(yīng)的不同名稱(chēng)。 （ ） 當(dāng)缺陷尺寸大大小于幾何不清晰度尺寸時(shí)，影象對(duì)比度會(huì)受照相幾何條件的影響。 （ ） 可以采取增大焦距的辦法使尺寸較大的源的照相幾何不清晰度與尺寸較小的源完全一樣。 （ ） 如果信噪比不夠，即使增大膠片襯度，也不可能識(shí)別更小的細(xì)節(jié)影像。 （ ） 散射線只影響主因?qū)Ρ榷?，不影響膠片對(duì)比度。 （ ） 底片黑度只影響膠片對(duì)比度，與主因?qū)Ρ榷葻o(wú)關(guān)。 （ ） 射線的能量同時(shí)影響照相的對(duì)比度、清晰度和顆粒度。 （ ） 透照有余高的焊縫時(shí)，所選擇的“最佳黑度”就是指是能保證焊縫部位和母材部位得到相同角質(zhì)計(jì)靈敏度顯示的黑度值。 （ ） 由于最小可見(jiàn)對(duì)比度ΔDmin隨黑度的增大而增大，所以底片黑度過(guò)大會(huì)對(duì)缺陷識(shí)別產(chǎn)生不利的影響。 （ ） 底片黑度只影響對(duì)比度，不影響清晰度。 （ ） 試驗(yàn)證明，平板試件照相。 （ ） 固有不清晰度是由于使溴化銀感光的電子在乳劑層中有一定穿越行程而造成的。 （ ） 底片能夠記錄的影象細(xì)節(jié)的最小尺寸取決于顆粒度。 （ ） 對(duì)有余高的焊縫照相，應(yīng)盡量選擇較低能量的射線，以保證焊縫區(qū)域有較高的對(duì)比度。 （ ） 對(duì)比度修正系數(shù)σ值與缺陷的截面形狀有關(guān)，例如裂紋的截面形狀與象質(zhì)計(jì)金屬絲不同，兩者的σ值也不同。 （ ） 由于底片上影象信噪比隨曝光量的增加而增大，所以增加曝光量有利于缺陷影象識(shí)別。 （ ） 射線照相的信噪比與膠片梯噪比具有不同含義。 （ ） 按照“高靈敏度法”的要求，300KVX射線可透照鋼的最大厚度大約是40mm。 （ ） γ射線照相的優(yōu)點(diǎn)是射源尺寸小，且對(duì)大厚度工件照相曝光時(shí)間短。 （ ） 選擇較小的射源尺寸df，或者增大焦距值F，都可以使照相Ug值減小。 （ ） 欲提高球罐內(nèi)壁表面的小裂紋檢出率，采用源在外的透照方式比源在內(nèi)的透照方式好。 （ ） 環(huán)焊縫的各種透照方式中，以源在內(nèi)中心透照周向曝光法為最佳方式。 （ ） 無(wú)論采用哪一種透照方式，一次透照長(zhǎng)度都隨著焦距的增大而增大。 （ ） 所謂“最佳焦距”是指照相幾何不清晰度Ug與固有不清晰度Ui相