【總結(jié)】第三章晶體管放大電路基礎(chǔ)(全書(shū)重點(diǎn))放大電路的工作原理及分析方法BJT偏置電路(直流通路:提供合適的靜態(tài)工作點(diǎn)Q點(diǎn),保證BJT發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,放大信號(hào)始終處在放大工作區(qū),避免出現(xiàn)截止及飽和失真。介紹固定基流電路,基極分壓射極偏置電路)放大電路的技術(shù)指標(biāo)及基本放大電路(本章討論小信號(hào)放大器的基本指
2025-08-01 16:49
【總結(jié)】晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)VLSIC是高度復(fù)雜的集成系統(tǒng),為保證設(shè)計(jì)的正確性并且降低設(shè)計(jì)難度,提高設(shè)計(jì)效率,避免由于在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中采用復(fù)雜結(jié)構(gòu)而引入不可靠因素,因此,在VLSI的設(shè)計(jì)技術(shù)中大量地采用規(guī)則結(jié)構(gòu),晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)就是其中之一。在這個(gè)結(jié)構(gòu)中的基本單元就是MOS晶體管或CMOS晶體管對(duì)。晶體管陣列及其邏輯
2025-02-22 23:42
【總結(jié)】雙極型晶體管晶體管的結(jié)構(gòu)和類(lèi)型晶體管的電流分配關(guān)系和放大作用晶體管的特性曲線晶體管的主要參數(shù)溫度對(duì)晶體管參數(shù)的影響第四章晶體管硅晶體管鍺晶體管晶體管類(lèi)型NPN型PNP型第三節(jié)雙極型晶體管可簡(jiǎn)稱(chēng)為晶體管,或半導(dǎo)體三極管,用BJT(Bipolar
2024-12-08 03:40
【總結(jié)】雙極型晶體管雙極型三極管BJT結(jié)構(gòu)PNebcNebc集電區(qū)N發(fā)射區(qū)N基區(qū)Pebc集電結(jié)發(fā)射結(jié)集電極發(fā)射極基極PebNPcPNP電路符號(hào)bPNeNcNPN電路符號(hào)第二章
2024-12-07 23:52
【總結(jié)】常用晶體管三極管資料大全2006-11-2晶體管型號(hào)反壓Vbe0電流Icm功率Pcm放大系數(shù)特征頻率管子類(lèi)型2SA1012Y60V5A25W**PNP2SC752G40V**NPN2SA1013R160V1A**PNP2SA933S50V**PNP
2025-08-22 20:47
【總結(jié)】HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案雙極型半導(dǎo)體晶體管雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)雙極型晶體管的電流分配關(guān)系晶體管的電流放大系數(shù)晶體管的特性曲線晶體管的參數(shù)
2025-05-12 23:17
【總結(jié)】制作:浙江廣廈建設(shè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院信息與控制工程學(xué)院晶體管開(kāi)關(guān)電路1一、模擬電路和數(shù)字電路?模擬信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上連續(xù)的信號(hào)。?數(shù)字信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上不連續(xù)的(即離散的)信號(hào)。?對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱(chēng)為模擬電路。?對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行傳輸、處理的電子線路稱(chēng)為數(shù)字電路。2數(shù)字電路和模擬電路特
2025-04-30 18:47
【總結(jié)】Bipolarjunctiontransisitor(BJT)第三章雙極晶體管第三章雙極晶體管?雙極晶體管的工作原理?少子的分布與直流特性?低頻共基極電流增益?非理想效應(yīng)?等效電路模型?頻率特性?大信號(hào)開(kāi)關(guān)特性?其他的雙極晶體管結(jié)構(gòu)?無(wú)源器件(pa
2025-01-14 10:46
【總結(jié)】封面西藏·班公湖返回返回引言本頁(yè)完本頁(yè)完引言倍頻器是一種輸出頻率等于輸入頻率整數(shù)倍的電路,用以提高頻率,其優(yōu)點(diǎn)為返回返回1、發(fā)射機(jī)主振器的頻率可以降低,對(duì)穩(wěn)頻有利。振蕩器的頻率越高,頻率穩(wěn)定度應(yīng)越低。一般主振器頻率不宜超過(guò)5MHz。因此發(fā)射頻率高于5MHz,一般宜采用倍頻器。2、在采用石英晶體
2025-05-12 08:47
【總結(jié)】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來(lái)看,晶體管由兩個(gè)十分靠近的,分別稱(chēng)為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個(gè)P-N結(jié)將晶體管劃分為三個(gè)區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個(gè)區(qū)引出的電極分別稱(chēng)為發(fā)射極、基極和集電極,用符號(hào)E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-05-06 18:03
【總結(jié)】實(shí)驗(yàn)二、晶體管共射極單管放大器1、學(xué)會(huì)放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)試方法,并觀察靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)放大器輸出波形的影響。2、掌握放大器電壓放大倍數(shù),輸入電阻,輸出電阻的測(cè)試方法。3、測(cè)量放大器的通頻帶4、熟悉常用電子儀器及模擬電路實(shí)驗(yàn)設(shè)備的使用。圖2-1為電阻分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定單管放大器實(shí)驗(yàn)電路圖,它的偏置電路采用RB1,RB2組成的分壓電路,并在發(fā)射極中有電阻RE。以穩(wěn)定放大器的靜
2025-04-17 02:38
【總結(jié)】1功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是20世紀(jì)70年代中后期開(kāi)發(fā)的新型功率半導(dǎo)體器件,通常又叫絕緣柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)為PMOSFET,用字母PM表示。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強(qiáng)型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-08 00:18
【總結(jié)】湖南省技工學(xué)校理論教學(xué)教案教師姓名:學(xué)科變頻調(diào)速執(zhí)行記錄日期星期檢查簽字班級(jí)節(jié)次課題單結(jié)晶體管的識(shí)別與檢測(cè)課的類(lèi)型實(shí)驗(yàn)教學(xué)目的了解單結(jié)晶體管及觸發(fā)電路的工作原理。教
2025-08-05 03:27
【總結(jié)】大功率晶體管技術(shù)畢業(yè)論文1緒論選題背景上世紀(jì)末,隨著大功率晶體管技術(shù)發(fā)展、大規(guī)模集成電路和計(jì)算機(jī)技術(shù)的飛躍發(fā)展,交流電機(jī)的變頻調(diào)速技術(shù)已日趨完善,并在各行各業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用,尤其在暖通空調(diào)和加工領(lǐng)域其節(jié)能效益顯著。隨著經(jīng)濟(jì)改革的不斷深入,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的不斷加劇,節(jié)能降耗已經(jīng)成為降低生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)品質(zhì)量的重要手段之一。改善現(xiàn)有設(shè)備的運(yùn)行狀況,提高系統(tǒng)安全可靠性和設(shè)備利用率,延
2025-06-24 21:38
【總結(jié)】微電子器件原理第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類(lèi)§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開(kāi)關(guān)特性§
2025-05-01 22:36