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正文內(nèi)容

材料科學(xué)電導(dǎo)ppt課件(已修改)

2025-01-31 08:19 本頁面
 

【正文】 電 子電導(dǎo) 主要內(nèi)容: 一、電子遷移率 二、載流子濃度 三、電子電導(dǎo)率 四、影響電子電導(dǎo)的因素 五、晶格缺陷與電子電導(dǎo) 難點(diǎn)內(nèi)容: 一、載流子濃度 二、影響電子電導(dǎo)的因素 三、晶格缺陷與電子電導(dǎo) 課次: 17 課型:理論課 玻璃態(tài)電導(dǎo) 主要內(nèi)容:雙堿效應(yīng)、壓堿效應(yīng) 經(jīng)典力學(xué)理論 質(zhì)量 me的電子,在外電場(chǎng) E的作用下自由電子的加速度: a=eE/me 電子每?jī)纱闻鲎仓g的平均時(shí)間 2?; 單位時(shí)間平均散射次數(shù) 1/2 ? ; 自由電子的平均速度: V= ?eE/me ; 自由電子的遷移率: ?e=V/E= ?e/me ; 量子力學(xué)理論 電子的運(yùn)動(dòng)速度:V g=2π( dγ/dk) γ:德布羅意波的頻率; k:波數(shù)。 因 E=hγ,則 V g=( 2π/h)( dE/dk) a=V g/dt= ( 2π/h) .( d2E/dk2) . ( dk/dt) 在外電場(chǎng) Eo的作用下,在 dt時(shí)間內(nèi),能量變化 dE: dE= ( dE/dk) . dk=e Eo dk= e Eo ( V g dt ) 得: m*= ( h2 / 4π2 )( d2 E/dk2) 1 E 3? /a ?/a 0 ? /a 3?/a k E E與 k的關(guān)系 能帶 簡(jiǎn)約布里淵區(qū) 導(dǎo)帶 價(jià)帶 允帶 允帶 禁帶 晶體中電子的能帶 Ⅳ Ⅲ Ⅱ Ⅰ 電子的有效質(zhì)量的意義 原因: ( 1)晶體中的電子一方面受到外力的作用,另一方面,受到內(nèi)部原子及其他電子的勢(shì)場(chǎng)作用。 ( 2)電子的加速度應(yīng)是所有場(chǎng)的綜合效果。 ( 3)內(nèi)部電場(chǎng)計(jì)算困難。 意義: ? ( 1)引入有效質(zhì)量可使問題簡(jiǎn)單化,直接把外力和加速度聯(lián)系起來,而內(nèi)部的勢(shì)場(chǎng)作用由有效質(zhì)量概括。 ? ( 2)解決晶體中電子在外力作用下,不涉及內(nèi)部勢(shì)場(chǎng)的作用,使問題簡(jiǎn)化。 ? ( 3)有效質(zhì)量可以直接測(cè)定。 電子和空穴的有效質(zhì)量是由材料的性質(zhì)決定的。 電子的平均速度: V= ?eE/ me* ; 電子的遷移率: μ=eτ/ me* 平均自由運(yùn)動(dòng)時(shí)間是由載流子的散射強(qiáng)度決定的 摻雜濃度和溫度對(duì)遷移率的影響是對(duì)載流子散射強(qiáng)弱的影響。 散射越弱, τ越長(zhǎng),遷移率越高。 電子松弛時(shí)間 半導(dǎo)體的主要散射(附加勢(shì)場(chǎng))機(jī)構(gòu)有: 1. 電離雜質(zhì)的散射 2. 晶格振動(dòng)的散射 晶格中的原子在其平衡位置作微振動(dòng),引起周
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