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半導(dǎo)體三極管及其放大電路(已修改)

2025-01-30 18:59 本頁(yè)面
 

【正文】 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 1 用 H 參數(shù)的簡(jiǎn)化模型 (微變等效電路)分析共射極基本放大電路 ? 1. 放大電路的微變等效電路 (以 圖 ) (1) 先畫出放大電路的交流通路, P89圖(b) ? (2) 用晶體管的簡(jiǎn)化模型代替交流通路中的晶體管。如圖 (b)所示。 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 2 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 3 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 4 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 5 ? (3) 標(biāo)出圖中電壓、電流的正方向。如圖(b)所示。 ? 2. 求電壓增益 vAVV???、從而求出、出 根據(jù)微變等效電路計(jì)算 io由圖可以看出, LbLcLo 39。39。39。39。Lo RRRR IIIIV L????????????? ?2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 6 bebi rIV???式中 R’L=Rc //RL 所以: )(39。beb39。iobeLLc               ?。健RRvrIIVVA ??????????2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 7 ?例 如圖 ,若 BJT為 3DG6,已知在 Q點(diǎn)上的 β=40,計(jì)算電壓增益 。 vA?μA40k Ω300V12bCCB ??? RVI 解: (1) 確定 Q點(diǎn) 因已知 β,故可用簡(jiǎn)單計(jì)算法確定 Q點(diǎn): 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 8 IE ≈IC= βIB= 40 40μA= VCE= VCC- ICRc = 12 V- mA 4 k = V ? (2) 求 r be,利用式 (),得 : k )mA()mV(26)401(200)mA()mV(26)1(200Ebe=    ??????????Ir ?2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 9 vA?92240//39。beLcbeL??????????   rRRrRvA ??(3) 求 利用式 (),得 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 10 3. 輸入、輸出電阻的計(jì)算 (1)輸入電阻計(jì)算 由圖 ()所示, 點(diǎn):據(jù)節(jié)點(diǎn)電定律,圖中為相應(yīng)的測(cè)試電流,根為外加測(cè)試電壓,         bTTTTiIVIVR?????[轉(zhuǎn) 12] 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 11 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 12 由于 Rbrbe,所以, Ri≈rbe。按圖 (a)所給數(shù)據(jù),可得: Ri= Rb∥ rbe= 300kΩ∥ ≈ bebbebbebibeb//TTTTbT brRrRrRRrRIVVVIIIR???????????????故           2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 13 ? (2) 輸出電阻的計(jì)算 ?如圖 ,根據(jù)輸出電阻的定義式,當(dāng)測(cè)試電壓加在放大電路的輸出端時(shí),由于 cJ處于反向偏置,故 Ib= 0,所以 Ic= 0,得: [轉(zhuǎn) 15] 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 14 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 15 co0ocTTTTTsRRRRVIVVIv?????????故        而                因已知 Rc= 4kΩ,故 Ro= 4kΩ。 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 16 ?討論: (P100) ?對(duì)于放大電路來說,一般要求輸入電阻高一些,特別是在信號(hào)源內(nèi)阻 Rs較大的場(chǎng)合,作為放大電路輸入級(jí)來說有為重要;對(duì)于輸出級(jí)來說,則往往需要輸出電阻 Ro越小越好,從而可以提高放大電路的帶負(fù)載能力。在分析、設(shè)計(jì)放大電路時(shí),應(yīng)全面的加以考慮。 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 17 ? ? ① 圖解分析法可用來分析放大電路的靜態(tài)、動(dòng)態(tài),主要用于靜態(tài)分析,可以很方便、直觀的設(shè)計(jì) Q點(diǎn); ? ② 當(dāng)輸入的交流信號(hào)幅度較小或晶體管基本工作在線性區(qū)時(shí),應(yīng)用小信號(hào)模型 (微變等效電路 )。 ? ③ 當(dāng)輸入的交流信號(hào)幅度較大,晶體管工作區(qū)延伸到非線性區(qū)時(shí),應(yīng)采用圖解分析法。 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 18 放大電路工作點(diǎn)的穩(wěn)定 ?如前所述的固定偏置電路,當(dāng)基極偏置電阻Rb確定以后, Q點(diǎn)已經(jīng)確定,只要 Rb選擇合適,即可獲得合適的 Q點(diǎn)。但是,當(dāng)更換晶體管或是環(huán)境溫度發(fā)生變化引起管子參數(shù)變化時(shí), Q點(diǎn)的位置將引起變化,甚至使 Q點(diǎn)移到不合適的位置而使放大電路無法正常工作。 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 19 ?為使在更換晶體管或是溫度變化引起管子參數(shù)變化時(shí),不影響放大電路正常工作 (即使 Q點(diǎn)的位置基本不變 ),必須設(shè)計(jì)能自動(dòng)調(diào)整工作點(diǎn)的偏置電路。 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 20 溫度對(duì)工作點(diǎn)的影響 ? (觀看 教學(xué)課件 :溫度對(duì)晶體管 V- I 特性的影響 ) ?當(dāng)溫度升高時(shí),晶體管的參數(shù)將發(fā)生下列變化: ? (1) VBE的溫度系數(shù)為:- (2~)mV/ oC。VBE的減小通過 IB使 Q點(diǎn)的位置上移 (此處 VBE的減小是指 eJ實(shí)際所需的工作電壓減小 )。 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 21 ? (2) 溫度每升高 1oC, β值將增加 %~%左右。β值的增大使輸出特性曲線的間隔變寬, Q點(diǎn)的位置上移。 ? (3) 溫度每升高 10oC, ICBO增大約一倍 ( 即 ICEO增大約一倍 )。從而使 IC升高, Q點(diǎn)的位置上移。但因?yàn)?ICBO較小,其影響可以忽略不計(jì)。 ? 綜上所述:溫度的變化將使 Q點(diǎn)的位置發(fā)生變化,從而影響放大電路的正常工作。 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 22 射極偏置電路 (分壓式電流負(fù)反饋偏置電路 ) ? 由上分析可知,穩(wěn)定工作點(diǎn)其實(shí)就是穩(wěn)定晶體管的集電極電流 IC。其穩(wěn)定電路如圖。 ?1. 電路組成與要求 ? (1) 組成:在放大電路的基極加一下偏置電阻 Rb2;在發(fā)射極到地之間串聯(lián)一個(gè)電阻R e。 [轉(zhuǎn) 24] 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 23 [轉(zhuǎn) 27] 2022年 2月 15日星期二 第 3章 2 24 ? (2) 要求:要使放大電路具有穩(wěn)定 Q點(diǎn)功能,必須滿足: I1 IB (I1為流過 Rb Rb2的直流電流 ) ? 2. 穩(wěn)定過程 ?因?yàn)?I1 IB,所以,晶體管的基極電位近似
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