led芯片制作流程ppt課件(已修改)
2025-01-26 03:52 本頁面
【正文】 LED芯片制作流程 報告內(nèi)容 ? ? ? LED芯片結(jié)構(gòu) MQW=Multiquantum well,多量子阱 LED 制造過程 襯底材料生長 LED結(jié)構(gòu)MOCVD生長 芯片加工 芯片切割 器件封裝 Sapphire藍(lán)寶石 LED制程工藝 步驟 內(nèi)容 前段 外延片襯底及外延層生長 中段 蒸鍍、光刻、研磨、切割過程 后段 將做好的 LED芯片進行封裝 LED三個過程：材料生長、芯片制備、器件封裝。 外延片制作 襯底 外延 可用 LED襯底 GaAs襯底 GaAs襯底：在使用 LPE (液相磊晶 )生長紅光 LED時，一般使用 AlGaAs外延層，而使用 MOCVD生長紅黃光 LED時，一般生長 AlInGaP外延結(jié)構(gòu)。 優(yōu)點 晶格匹配，容易生長出較好的材料 不足 吸收光子 藍(lán)寶石 Al2O3襯底 優(yōu)點 化學(xué)穩(wěn)定性好 丌吸收可見光 價格適中 制造技術(shù)相對成熟 不足 導(dǎo)電性能差 堅硬，丌易切割 導(dǎo)熱性差 SiC襯底 優(yōu)點 化學(xué)穩(wěn)定性好 導(dǎo)電性能好 導(dǎo)熱性能好 丌吸收可見光 不足 價格高 晶體品質(zhì)難以達(dá)到 Al2O3和 Si那么好 機
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