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高電壓工程基礎(chǔ),施圍邱毓昌第2章氣體放電的基本物理過(guò)程(已修改)

2025-01-20 13:24 本頁(yè)面
 

【正文】 《 高電壓工程基礎(chǔ) 》 施圍 邱毓昌 張喬根(西安交通大學(xué)) 編著 劉青(西安科技大學(xué)) 制作 高電壓工程基礎(chǔ) 第 2章 氣體放電的基本物理過(guò)程 帶電粒子的產(chǎn)生與消失 放電的電子崩階段 自持放電條件 不均勻電場(chǎng)中放電的極性效應(yīng) 高電壓工程基礎(chǔ) 帶電粒子的產(chǎn)生與消失 ? 氣體中電子與正離子的產(chǎn)生 ( 1)熱電離 32W kT?波爾茨曼常數(shù) 1023J/K 熱力學(xué)溫度 ( 2)光電離 Wh??普朗克常數(shù) 1034Js ( 3)碰撞電離 ihcW? ?條件:212 im v e E x W??iUxE?條件:高電壓工程基礎(chǔ) ( 4)分級(jí)電離 原子中電子在外界因素的作用下可躍遷到能級(jí)較高的外層軌道,稱之為激勵(lì),所需的能量稱為激勵(lì)能。 氣體 電離能 激勵(lì)能 N2 O2 CO2 SF6 H2O 若混合氣體中甲氣體的亞穩(wěn)激勵(lì)態(tài)能高于乙氣體的電離能,則會(huì)出現(xiàn) 潘寧效應(yīng) ,可使混合氣體的擊穿強(qiáng)度低于這兩種氣體各自的擊穿強(qiáng)度。 高電壓工程基礎(chǔ) ? 電極表面的電子逸出 一些金屬的逸出功 金屬 逸出功 鋁 銀 銅 鐵 氧化銅 ( 1)正離子撞擊陰極 ( 2)光電子發(fā)射 ( 3)強(qiáng)場(chǎng)發(fā)射 ( 4)熱電子發(fā)射 高電壓工程基礎(chǔ) ? 氣體中負(fù)離子的形成 電子與氣體分子或原子碰撞時(shí),也有可能發(fā)生電子附著過(guò)程而形成負(fù)離子,并釋放
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