嵌入式重點(diǎn)word版(已修改)
2025-01-19 15:23 本頁面
【正文】 ：只對包內(nèi)部的指令進(jìn)行內(nèi)部指令相關(guān)性檢查，依靠編譯器確定必然的相關(guān)性，運(yùn)行時候不需要分析數(shù)據(jù)的相關(guān)性，所以比超標(biāo)量處理器更小，功耗更低，非常適合于信號處理和多媒體應(yīng)用 ： ROM：全名為唯讀記憶體，它相當(dāng)于 PC 機(jī)上的硬盤，用來存儲和保存數(shù)據(jù)。 ROM 數(shù)據(jù)不能隨意更新，但是在任何時候都可以讀取。即使是斷電， ROM也能夠保留數(shù)據(jù)。 但是資料一但寫入后只能用特殊方法或根本無法更改 SRAM：靜態(tài) RAM， SRAM 速度非?？?， 非常昂貴 EEPROM： Electrically Erasable Programmable ROM， 電可擦除可編程 ROM。價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。但它的寫入、擦除不需要借助于其它設(shè)備，是以電子信號來修改其內(nèi)容的。用廠商提供的專用刷新程序并利用一定的編程電壓就可以輕而易舉地改寫內(nèi)容。 Nor Flash：特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行 (XIP, eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在 flash 閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng) RAM中。 NAND Flash： 沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)， 它的讀取是以一次讀取一快的形式來進(jìn)行的 ，通 常是一次讀取 512 個字節(jié)，采用這種技術(shù)的 Flash 比較廉價。 用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash 上的代碼 。 Ddr：允許在時鐘脈沖的上升和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因此速度是SDRAM 的兩倍。 Sd：重量輕，高記憶容量，快速數(shù)據(jù)傳輸率，極大地移動靈活性，安全性。 指令集，后綴 s 和！的作用與區(qū)別： ARM 指令集可以分為數(shù)據(jù)處理指令，數(shù)據(jù)加載指令和存儲指令，分支指令，程序狀態(tài)寄存器（ PSR）處理指令，協(xié)處理器指令和異常產(chǎn)生指令六大類 S 后綴：指令中使用 S 后綴時，指令執(zhí)行后程序狀態(tài)寄存器的條件標(biāo)志位將被刷新 ，常用于對條件進(jìn)行測試，如是 否有溢出，是否進(jìn)位等 ！后綴：如果指令地址表達(dá)式中不含！后綴，則基址寄存器中的地址值不會發(fā)生變化。加上此后綴后，基址寄存器中的值（指令執(zhí)行后） = 指令執(zhí)行前的值 + 地址偏移量 指令的含義： 數(shù)據(jù)傳送指令： MOV MVN（取反） 移位指令： LSL、 LSR、 ASR（算數(shù)右移）、 ROR（循環(huán)右移）、 RRX（循環(huán)右移一位，用 C 標(biāo)志位作為最高位擴(kuò)展）算術(shù)指令： ADD、
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