crt顯示原理ppt課件(已修改)
2025-01-18 13:51 本頁面
【正文】 CRT顯示技術曾叱咤風云 —— 今天逐漸人老珠黃，是否能再覓春天 ？ 第三章 CRT顯示原理 CRT顯示的基本原理 電場或磁場把陰極發(fā)射的電子聚成束，同時控制其運動方向，依次轟擊不同部位的熒光粉使之發(fā)光。 我們所看到的顯示圖像就是把加在電子槍柵極或陰極上的隨時間變化的視頻電信號變成熒光屏上按空間分布的亮度隨電信號強弱而變化的相應光信號，從而得到與原被攝景物幾何相似明暗對應的適合人眼視覺特性要求的光學圖像。 導 帶滿 帶GAT激 活 劑 產(chǎn) 生的 局 部 能 級的 基 態(tài) 能 級G激 活 劑 產(chǎn) 生局 部 能 級 的激 發(fā) 態(tài) 能 級A協(xié) 同 激 活 劑產(chǎn) 生 的 電 子陷 阱 能 級T 陰極射線致發(fā)光的基本理論 （ 1）復合發(fā)光模型 能量吸收在基質(zhì)中進行，而能量輻射則在激活劑上產(chǎn)生，即發(fā)光全過程在整個晶體內(nèi)完成。由于全過程中晶體內(nèi)伴隨有電子和空穴的漂移或擴散，從而常常產(chǎn)生光電導現(xiàn)象，因此，復合發(fā)光又稱光電導型發(fā)光。相對而言，復合發(fā)光余輝較長，一般稱為磷光。 晶態(tài)發(fā)光體的復合發(fā)光的特點： ■ 典型的陰極射線致復合發(fā)光體能帶模型 Z nS [ C u A g A u] ( C l B r I )或 或 或 或基質(zhì) 激活劑 協(xié)同激活劑 AGT協(xié)同激活劑構成的陷阱能極 S構成的滿帶 Zn++構成的導帶 激活劑構成的局部基態(tài)能級（發(fā)光中心） 激活劑構成的局部能級的激發(fā)態(tài) o基 態(tài)o激 發(fā) 態(tài)電 子 基 態(tài)電 子 激 發(fā) 態(tài)A基 態(tài)A激 發(fā) 態(tài)B激 發(fā) 態(tài)B基 態(tài)斯托克斯損失 實際上，晶格點處的原子 (或離子 )并不完全靜止在平衡位置上，而是在平衡點附近振動。因此，原子的位置不一定在平衡點上，而可能在平衡點附近的一段線段的任一點上，亦即有一個吸收帶。同樣，也有 — 個發(fā)射帶。所以，晶態(tài)發(fā)光體的發(fā)射光譜具有一定的帶寬，并且，光譜分布通常是鐘形的。 （ 2）分立發(fā)光的位形坐標模型 分立發(fā)光的特點是能量的吸收和輻射發(fā)生在晶體單分子中的激活劑附近，也即發(fā)光中心上，因而稱其為短時非光電尋型發(fā)光（熒光）。 （ 3）陰極射線發(fā)光體的發(fā)光動力學 由于晶態(tài)發(fā)光體的發(fā)光機構比較復雜，致使其發(fā)光在激發(fā)時的增長和激發(fā)停止后的衰落，雖有某種規(guī)律，但卻相當復雜。 研究發(fā)光體發(fā)光的增長和衰落的理論。 ■ 發(fā)光動力學 發(fā)光的增長和衰落的規(guī)律，特別是長余輝的哀落過程， 一般分三種類型： ① 發(fā)光增長呈拋物線，然后趨于飽和，衰減規(guī)律則呈雙曲線。 It② 增長時呈拋物線，但衰減時首先急副下降，然后近乎雙曲線式緩慢減小。 It③ 激發(fā)增長瞬時非常迅速，然后緩慢上升，激發(fā)停止后發(fā)光強度突然跌落，然后又緩慢下降，近乎雙曲線。 tI（ 4）陰極射線發(fā)光中的電子穿透深度與二次電子發(fā)射 ■ 電子穿透深度 當具有一定能量的一次電子，射向晶態(tài)發(fā)光體表面時，將發(fā)生三種情況； ① 彈性散射： 一次電子在發(fā)光體表面受到點陣原子的碰撞而離開發(fā)光體。但只改變方向，沒有任何能量損失。 ② 非彈性散射 一次電子入射到發(fā)光體表面時因碰撞而損失部分能量，改變了運動方向。 彈性散射、非彈性散射、穿透進入發(fā)光體 一次電子進入發(fā)光體內(nèi)部，在穿行路徑上不斷地與點陣原子相碰撞，電子的動量逐漸減小，速度逐漸減慢，碰撞截面增大，被其激發(fā)的電子數(shù)增多，而這些被激發(fā)的電子，在其運動過程中，又相繼碰撞被激發(fā)的另一些電子，顯然，當一次電子的速度減慢而接近于熱振動的速度，也就是說，在電子運動行程終點附近時，產(chǎn)生的激發(fā)電子數(shù)量最多。此時，便在發(fā)光體內(nèi)部形成一個 近乎球形 的一次電子和二次電子的散射空間。當一次電子能量增加，其穿透深度也增加，球形區(qū)域離開表面較遠，出現(xiàn)了一個 狹長的頸部 。 ③ 穿透進入發(fā)光體 ■ 二次電子發(fā)射 電子轟擊發(fā)光體時，引起表面原子強烈震動，使一部分與原子核結合較松的電子脫落出來，如果這些電子從轟擊電子獲得能量足以克服壁壘的話，電子就可以跑出物體。 Nxx0 當一次電子射入發(fā)光體時，沿著它們的途徑產(chǎn)生二次電子，二次電子一部分從晶體中逸出，另一部分參于發(fā)光過程。 二次電子的密度隨一次電子穿透深度而變化。 如果二次電于產(chǎn)生處的深度大于二次電子的自由程，則這些二次電子將不能抵達表面，即二次電子發(fā)射不充分，屏將被充電排斥一次電子，使一次電子能量降低，發(fā)光效率降低。 二次電子產(chǎn)生的數(shù)量近似地與所在處入射電子能量的平方倒數(shù)成正比，因此二次電子的最大數(shù)量，將發(fā)生在一次電子途徑的終點附近。 二次電子的發(fā)射率對發(fā)光顯示十分重要 二次電子發(fā)射比 發(fā)射出來的二次電子與入射電子的數(shù)量之比。 二次電子
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