太陽電池階段工藝總結(jié)pecv(已修改)
2024-12-08 17:14 本頁面
【正文】 PECVD階段工藝調(diào)試總結(jié) zhaokexiong@ zhao 主要內(nèi)容 ? 引言 ? SiNx的折射率與膜厚研究 ? SiNx的鈍化效果研究 ? 管式 PECVD和板式 PECVD的對(duì)比 ? 后期實(shí)驗(yàn)計(jì)劃 在工藝調(diào)試的第一階段主要對(duì)設(shè)備的結(jié)構(gòu)、參數(shù)及維護(hù)等進(jìn)行了學(xué)習(xí)和調(diào)試，第二階段則在第一階段的基礎(chǔ)之上對(duì)薄膜的折射率、膜厚及鈍化進(jìn)行了較為詳細(xì)的研究，此外對(duì)比了板式和管式 PECVD的鍍膜效果。 在工藝調(diào)試之前必須明白好的氮化硅薄膜應(yīng)具有哪些特點(diǎn)，概括起來主要有以下三點(diǎn)： ◆ 無吸收的減反射層； ◆ 好的表面鈍化效果； ◆ 好的體鈍化效果。 在知道了工藝調(diào)試的目標(biāo)后，還應(yīng)該理清影響氮化硅薄膜的各個(gè)因素。板式 PECVD的影響因素分工藝參數(shù)和外部環(huán)境及認(rèn)為因素，它們對(duì) SiNx膜的厚度、折射率和鈍化效果均有一定程度的影響，詳見圖11。 2. SiNx的折射率與膜厚研究 ? 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) ? 試驗(yàn)結(jié)果與分析 ? 薄膜厚度對(duì)反光率及電池片光電性能的影響 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 實(shí)驗(yàn)已經(jīng)表明薄膜厚度及折射率的主要影響因素分別是載板速度和氣流量比，但是別的因素的影響規(guī)律尚不清楚，因此實(shí)驗(yàn)主要考查溫度、硅氮比、壓力和微波功率對(duì)折射率和膜厚的影響。實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)采用 DOE正交法，詳見表 21。實(shí)驗(yàn)為 4因子 2水平，按照 DOE設(shè)計(jì)原理，需要做 2^N1組實(shí)驗(yàn)，也就是 8組，考慮到實(shí)驗(yàn)的重復(fù)性及需要加入的中心點(diǎn)個(gè)數(shù)，實(shí)驗(yàn)總計(jì)要進(jìn)行 18組。 導(dǎo)電漿料的基本組成 表 21 正交實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 標(biāo)準(zhǔn)序 運(yùn)行序 中心點(diǎn) 區(qū)組 Temperature Power Pressure Gas ratio 11 1 1 1 350 3400 4 1 2 1 1 350 2200 14 3 1 1 400 2200 15 4 1 1 350 3400 17 5 0 1 375 2800 18 6 0 1 375 2800 7 7 1 1 350 3400 3 8 1 1 350 3400 4 9 9 1 1 350 2200 4 10 1 1 400 3400 2 11 1 1 400 2200 4 8 12 1 1 400 3400 4 16 13 1 1 400 3400 4 13 14 1 1 350 2200 4 6 15 1 1 400 2200 10 16 1 1 400 2200 4 12 17 1 1 400 3400 5 18 1 1 350 2200 4 試驗(yàn)結(jié)果與分析 薄膜厚度的變化規(guī)律 21012999050101殘差百分比807570101擬合值殘差86420殘差頻率18161412108642101觀測值順序殘差正態(tài)概率圖 與擬合值直方圖 與順序d 殘差圖ACADACABDB20211050項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)化效應(yīng)A TemperatureB PowerC PressureD Gasratio因子 名稱標(biāo)準(zhǔn)化效應(yīng)的 P a
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