模擬電路ppt課件(已修改)
2024-11-15 23:19 本頁面
【正文】 總復習 一、緒論：了解 二、二極管及其基本電路 1．半導體的基本知識 1）本征半導體：不含雜質(zhì)、完全純凈的半導體 2）雜質(zhì)半導體 : N型半導體：摻入少量的 5價元素。 多數(shù)載流子是自由電子，少數(shù)載流子是空穴，以電子導電為主。 P型半導體：摻入少量的 3價元素。 少數(shù)載流子是自由電子，多數(shù)載流子是空穴，以空穴導電為主。 2． PN結與二極管 單向?qū)щ娦裕? 外加正向電壓（正偏）時，外電場與內(nèi)電場方向相反，空間電荷區(qū)變窄，形成較大的擴散電流， PN結呈現(xiàn)很小的電阻，稱為正向?qū)ǎ? 外加反向電壓（反偏）時，外電場與內(nèi)電場方向相同，空間電荷區(qū)變寬，形成較小的漂移電流， PN結呈現(xiàn)很大的電阻，稱為反向截止。 3．二極管基本電路分析： 1）二極管的理想模型 2）二極管的恒壓降模型 要求： a） 判斷二極管是否導通，（ P97 習題 ） b） 分析限幅電路中二極管的工作狀態(tài)，畫輸出 電壓的波形。 三、 半導體三極管及放大電路基礎 1） 結構： NPN型和 PNP型 分為三區(qū)：發(fā)射區(qū)、集電區(qū)和基區(qū)； 兩結：發(fā)射結 Je和集電結 Jc 2）各極間電流分配關系 IC＝ ?IB＋ ICEO ? ?IB IE＝ IB＋ IC ? IC IE＝（ 1＋ ?） IB＋ ICEO ?（ 1＋ ?） IB 3） 放大條件：發(fā)射結正偏，集電結反偏。 各極之間的電位關系為： NPN管： VC＞ VB＞ VE PNP管： VC＜ VB＜ VE 4） 特性曲線 輸入特性曲線： Si管： Vth = 0. 5V ， Ge管： Vth = 半導體三極管 BJT 5）三極管的三種工作狀態(tài)： 放大狀態(tài)：工作在放大區(qū)，發(fā)射結正偏，集電結反偏 截止狀態(tài)：工作在截止區(qū)，發(fā)射結反偏，集電結反偏 飽和狀態(tài)：工作在飽和區(qū)，發(fā)射結正偏，集電結正偏 要求能根據(jù)各電極的電位，判斷三極管的管腳和工作狀態(tài)。（ P185 習題 、 ） 當 BJT處于工作狀態(tài)時， Si管： VBE = ~ (取 ) [Ge管：
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