隔離技術(shù)的研究與應(yīng)用課程設(shè)計(jì)(已修改)
2025-06-20 22:07 本頁面
【正文】 隔離技術(shù)的研究與應(yīng)用 系 電子信息工程系 （宋體三號(hào)） 專業(yè) 姓名 班級(jí) 學(xué)號(hào) _______________ 指導(dǎo)教師 職稱 指導(dǎo)教師 職稱 設(shè)計(jì)時(shí)間 － 摘 要 隨著半導(dǎo)體集成 電路技術(shù)的不斷發(fā)展，要求在有限的晶圓表面做盡可能多的器件，晶圓表面的面積變得越來越緊張，器件之間的空間也越來越小，因此對(duì)器件的隔離工藝要求越來越高。 本課程設(shè)計(jì) 主要介紹了半導(dǎo)體制造工藝中隔離技術(shù) 的作用 和 發(fā)展 ，簡(jiǎn)單描述了結(jié)隔離、介電質(zhì)隔離、 局部氧化 隔離 工藝 和 淺溝槽隔離 等 常用 隔離技術(shù)。由于集成電路的發(fā)展，其他的隔離技術(shù)已不適應(yīng)現(xiàn)在的半導(dǎo)體工藝，本文以淺槽隔離技術(shù) 工藝為重點(diǎn)詳細(xì)介紹了隔離技術(shù)在半導(dǎo)體中的應(yīng)用 淺溝道隔離是目前大規(guī)模集成電路制造中用于器件隔離的主要方法 。 關(guān)鍵詞： 結(jié)隔離，介電質(zhì)隔離 ， 局部氧化隔離工 藝， STI 目 錄 摘 要 ........................................................................................................................................ 2 目 錄 ........................................................................................................................................ 3 第 1 章 緒 論 ............................................................................................................................ 4 集成電路工藝技術(shù)概述 ....................................................................................... 4 隔離技術(shù)簡(jiǎn)介 ....................................................................................................... 4 第 2 章 隔離技術(shù)的原理 .......................................................................................................... 6 隔離技術(shù)的原理 ................................................................................................... 6 隔離技術(shù)的新發(fā)展 ............................................................................................... 6 第 3 章 隔離技術(shù)的工藝及發(fā)展 .............................................................................................. 7 結(jié)隔離 ................................................................................................................... 7 介電質(zhì)隔離 ........................................................................................................... 8 局部氧化隔離（ LOCOS）工藝 ............................................................................. 9 淺溝槽隔離（ STI）工藝簡(jiǎn)介 ........................................................................... 11 第 4 章 淺溝槽隔離技術(shù) ........................................................................................................ 14 淺溝槽隔離技術(shù) (ST 工 )在半導(dǎo)體器件中的作用 ............................................ 14 淺溝槽隔離刻蝕步驟 ......................................................................................... 15 隔離氧化層成長(zhǎng) .................................................................................................... 15 氮化物淀積 ........................................................................................................... 15 光刻掩膜 .............................................................................................................. 15 淺溝槽刻蝕 ........................................................................................................... 16 隔離技術(shù)的關(guān)鍵工藝 ......................................................................................... 16 氧化和氮化硅生長(zhǎng) ................................................................................................ 16 溝壑 (Trench)光刻與刻蝕 ........................................................................................ 16 二氧化硅 CMP ...................................................................................................... 17 總結(jié)與展望 ..
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