實驗三單級低頻放大電路(已修改)
2025-05-31 07:11 本頁面
【正文】 電子技術(shù)實驗 實驗三 單級晶體管放大器 電子技術(shù)實驗 、符號、分類 B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三極管 PNP型三極管 電子技術(shù)實驗 (一 ) 結(jié)構(gòu)： NPN型、 PNP型（根據(jù)三極管內(nèi)三個摻雜區(qū)排列方式的不同）。 其中箭頭表示發(fā)射結(jié)正向?qū)〞r的電流方向。 NPN型與 PNP型的差別在于電流方向相反。 (二 ) 材料： Si、 Ge (三 ) 功率：小功率、 (四 ) 工作頻率：低頻管、高頻管 f T（截止頻率） ≥ 3MHz 大功率管 PcM（集電極最大功耗） ≥ 1W 電子技術(shù)實驗 P20 （ 1）區(qū)分三極管的基極 b： （ 2）區(qū)分三極管的極性（ NPN、 PNP）： （ 3）測量三極管是否損壞： （ 4）區(qū)分發(fā)射極和集電極： 三極管的損壞，是因為三極管的 PN結(jié)損壞所致 。 PN結(jié)的損壞分為兩種情況： 短路和斷路 。短路是指 PN結(jié)失去 “ 單向 ”導(dǎo)電性，成為通路，正、反向電阻都近似為零；斷路是指PN結(jié)內(nèi)部開路，電阻無窮大。使用萬用表判別三極管是否損壞，就是通過測量三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)是否具有單向?qū)щ娦詠砼袆e三極管的好壞。 注： 電子技術(shù)實驗 怎樣測量三極管的好壞 （ 1）檢查三極管的兩個 PN結(jié)： 我們以 PNP管為例來說明，一只PNP型的三極管的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于兩只二極管，負(fù)極靠負(fù)極接在一起。我們首先用萬用表 R 100或 R 1K擋測一下 e與 b之間和 e與 c之間的正反向電阻。當(dāng)紅表筆接 b 時，用黑表筆分別接 e和 c應(yīng)出現(xiàn)兩次阻值小的情況。然后把接 b 的紅表筆換成黑表筆，再用紅表筆分別接 e和 c，將出現(xiàn)兩次阻值大的情況。被測三極管符合上述情況，說明這只三極管是好的。 (注意：萬用表內(nèi)部電源接法） （ 2）檢查三極管的穿透電流： 我們用三極管 c、 e之間的反向電阻間接反映穿透電流。用萬用表紅表筆接 PNP三極管的集電極 c , 黑表筆接發(fā)射極 e，看表的指示數(shù)值，這個阻值一般應(yīng)大于幾千歐，越大越好，越小說明這只三極管穩(wěn)定性越差。 （ 3）測量三極管的放大性能： 分別用表筆接三極管的 c和 e看一下萬用表的指示數(shù)值，然后再 c與 b間連接一只 50100K的電阻看指針向右擺動的多少，擺動越大說明這只管子的放大倍數(shù)越高。外接電阻也可以用人體電阻代替，即用手捏住 b和 c. 電子技術(shù)實驗 三極管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠地工作，必須注意它的參數(shù)。 ⑴ 共射直流電流放大系數(shù) C CE OBIII???當(dāng) 時， C CEOII??BCII??⑵ 共基直流電流放大系數(shù) ?當(dāng) 可忽略時， CBOIECII??電子技術(shù)實驗 (3)極間反向電流 ① 反向飽和電流 CBOI指發(fā)射級開路時，集電極與基極間的反向飽和電流。 ② 穿透電流 CEOI 指基極開路時，集電極與發(fā)射極間的穿透電流。它與 的關(guān)系是 CBOI ? ?C B OC E O II ??? 1（描述晶體管對于動態(tài)信號的性能指標(biāo)） ⑴ 共射交流電流放大系數(shù) ?CECB UCII?????⑵ 共基交流電流放大系數(shù) ?CECE UCII?????近似分析中可以認(rèn)為 ， ??? ???電子技術(shù)實驗 （表征在使用管子時不宜超過的限度） ⑴ 集電極最大允許功耗 CMP 集電極的功率損耗 (簡稱功耗 ) 。使用時，要求 ，否則管子會過熱而燒毀。 值決定于管子允許的溫升。 CECC UIP ??CMC PP ? CMP 臨界功耗線是一條雙曲線，如圖所示。在需要輸出大功率時，應(yīng)選 值大的功率管，同時必須注意滿足其散熱要求。 CMP三極管的極限參數(shù) 電子技術(shù)實驗 ⑵ 集電極最大允許的電流 CMI 在放大區(qū)內(nèi)， 值基本不變，但當(dāng) IC 超過一定數(shù)值后， β 將明顯下降。規(guī)定當(dāng) 下降到額定值的 時對應(yīng)的 值為 。 的區(qū)域稱過流區(qū)。 ?? 32 CI CMI CMC II ?(3)反向擊穿電壓 ① E B OBRU )( 指集電極開路時，發(fā)射結(jié)允許加的最高反向電壓。 ② C B OBRU )( 指發(fā)射極開路時，集電結(jié)允許加的最高反向電壓。 ③ C E OBRU )(指基極開路時，集電極與發(fā)射極間允許加的最高反向電壓 。
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