教程第12章電路仿真分析(已修改)
2025-05-31 05:46 本頁(yè)面
【正文】 2 第 12章 電路仿真分析 內(nèi)容提示： Protel 99 SE不但可以繪制電路圖和制作印制電路板，而且還提供了電路仿真工具 Advanced SIM 99。用戶可以方便地對(duì)設(shè)計(jì)的電路信號(hào)進(jìn)行模擬仿真。本章將講述 Protel 99 SE的仿真工具的設(shè)置和使用，以及電路仿真的基本方法。 學(xué)習(xí)要點(diǎn)： 仿真元件 激勵(lì)源及其屬性設(shè)置 初始狀態(tài)設(shè)置 仿真設(shè)置 3 仿 真 概 述 Protel 99 SE中的模擬器可對(duì)單個(gè)或多個(gè)原理圖直接進(jìn)行數(shù)字模擬仿真，它使用最新的 Berkeley的 SPICE3f5/Sspice版本，能夠進(jìn)行模擬數(shù)字混合仿真，采用事件驅(qū)動(dòng)的數(shù)字器件行為模型，不需要進(jìn)行 D/A或 A/D變換就可以進(jìn)行精確的數(shù)字和模擬器件的仿真。 Protel 99 SE采用一種特殊的語(yǔ)言描述數(shù)字器件，允許使用Xspice的事件驅(qū)動(dòng)版本，用于仿真的數(shù)字器件都用數(shù)字 SimCode語(yǔ)言描述并且存放在 Simulatioready原理圖庫(kù)中。 下面介紹電路仿真的一般流程，流程如圖 。 4 仿真元件示例 要使仿真順利進(jìn)行，得到比較接近真實(shí)的結(jié)果，應(yīng)對(duì)元器件的參數(shù)進(jìn)行適當(dāng)?shù)脑O(shè)置。當(dāng)然，這些元器件很多參數(shù)都有初始值，而且滿足絕大部分仿真要求。 對(duì)于元器件中的一些基本項(xiàng)這里不再重復(fù)說(shuō)明，如 Designator是相應(yīng)元器件的名稱， Part Type是相應(yīng)元器件的數(shù)值， L代表長(zhǎng)度， W是寬度， Temp為工作溫度，默認(rèn)為 27攝氏度。 5 電阻 在 Simulation 庫(kù)中，包含了如下 4種電阻器。 RES：固定電阻。 RESSEMI：半導(dǎo)體電阻。 RPOT：電位器。 RVAR：可變電阻。 仿真庫(kù)中的電阻類型如圖。 這些元件有一些特殊的仿真屬性。在放置過(guò)程中按下Tab鍵，或放置后雙擊該元件，彈出屬性設(shè)置對(duì)話框，如圖 。 6 電容 在 Simulation ，包含了如下 3種電容。 CAP：定值無(wú)極性電容。 CAPSEMI：半導(dǎo)體電容。 CAP2：定值有極性電容。 仿真庫(kù)中的電容類型如圖 。 電容的屬性設(shè)置對(duì)話框如圖 。 7 電感 在 Simulation ，只有一種電感INDUCTOR，如圖 。元件列表如圖 示。 8 電感 電感的屬性設(shè)置對(duì)話框如圖 。 對(duì)話框中部分重要項(xiàng)目的含義如下。 Designator：電感的名稱，如“ L1”。 Part Type：電感值，以微亨為單位。 IC：在 Part Fields選項(xiàng)卡中，表示初始條件，即電感的初始電流值。該項(xiàng)僅在仿真分析工具傅立葉變換中的初始條件選項(xiàng)被選中后才有效。 9 二極管 在 ，包含了大量的以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)部件命名的二極管，如圖。以其中的部分圖示為例，如圖 所示。 二極管的屬性設(shè)置對(duì)話框如圖 。 10 三極管 在 ，包含了大量的以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)部件命名的三極管，如圖 。以其中的部分圖示為例，如圖 。 三極管的屬性設(shè)置對(duì)話框如圖 。 11 JFET結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管包含在。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的模型是建立在 Shichman和Hodge的場(chǎng)效應(yīng)管的模型上的。在元件庫(kù)中有很多標(biāo)準(zhǔn)，如圖 示。以其中的部分圖示為例，如圖 。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的屬性設(shè)置對(duì)話框如圖 。 12 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 在 中。包含了數(shù)目巨大的以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)部件命名的MOS場(chǎng)效應(yīng)管。如圖。仿真器支持Shichman Hodges、BSIM
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