華南理工大學(xué)高電壓復(fù)習(xí)要點(已修改)
2025-05-28 10:22 本頁面
【正文】 P1. 根據(jù)外界給予原子或分子的能量形式的不同，電離方式課分為熱電離、光電離、碰撞電離和分級電離。 P4. SF6氣體含 F，其分子捕獲電子的能力很強，屬強電負(fù)性氣體?？諝庵械?O2與 H2O也有一定的電負(fù)性。 P5. 間隙中電離過程只靠外施電壓已能維持，不再需要外電力因素了，此時的放電稱為自持放電。 P6. 放電由非自持向自持轉(zhuǎn)化的機制與氣體的壓強和長度的乘積有關(guān)，乘積較小時可以用湯遜理論來解釋，而乘積較大時要用流注理論來解釋。 P6. 電子崩形成過程及其示意圖（圖 14） 1. 氣體放電的基本物理過程 P7. 湯遜理論認(rèn)為二次電子的來源是正離子撞擊陰極使陰極表面發(fā)生電子逸出。 P8. 均勻電場中自持放電的條件。 P8. 氣隙擊穿電壓是氣壓和間隙乘積的函數(shù)，這一規(guī)律稱為巴申定律。根據(jù)巴申定律，隨著氣壓和間隙乘積的變化，擊穿電壓出現(xiàn)極小值。 P9. 流注理論認(rèn)為，二次電子的主要來源是空間的光電離。 P14. 什么是不均勻電場中放電的極性效應(yīng)： L8－ 11 P14. 畫圖說明不均勻電場（正極性）中放電的極性效應(yīng)：L1324和 P11. L79 圖 112a 2. 氣體間隙的擊穿強度 P17. 均勻電場中空氣間隙的擊穿強度約為 30kV/cm。 P20. 標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊波的波形參數(shù) ?；操作沖擊波的波形參數(shù) ? 250/2500us。 P21. 同一間隙的 50％沖擊擊穿電壓與穩(wěn)態(tài)擊穿電壓之比，稱為沖擊系數(shù)。 P22. 均勻電場和稍不均勻電場的沖擊系數(shù)接近 1，極不均勻場的沖擊系數(shù)大于 1。 P25. 大氣中間隙的放電電壓隨空氣密度的增大而提高。 P25. 在極不均勻電場中，空氣中的水分（濕度增大）能使間隙的擊穿電壓有所提高。 P27. 隨著海拔高度增加，外絕緣的放電電壓將下降。 P29. SF6氣體絕緣設(shè)備中經(jīng)常遇到的是稍不均勻電場間隙。 P30. SF6氣體在極不均勻電場中擊穿的異常現(xiàn)象：一是擊穿電壓隨氣壓的變化出現(xiàn)駝峰現(xiàn)象；二是在駝峰氣壓范圍內(nèi)，雷擊沖擊擊穿電壓明顯低于穩(wěn)態(tài)擊穿電壓。 3. 氣體中沿固體絕緣表面的放電 P38. 在均勻電場中固體介質(zhì)的引入并不影響電極間的電場分布，但放電總是發(fā)生在界面，且閃絡(luò)電壓比空氣間隙的擊穿電壓要低得多。 L1532。理解套管沿面放電的等值電路圖圖 37。 P41. 要提高套管的電暈起始電壓和滑閃放電電壓可以采?。阂粶p小比電容：增大固體介質(zhì)厚度，加大法蘭處外套管的外徑，采用瓷 油絕緣代替純瓷介質(zhì)；二減小絕緣表面電阻：套管附近靠近法蘭處涂半導(dǎo)體釉。 P42. 330kV絕緣子柱采用均壓環(huán)來改善電壓分布。 P43. 330kV以上的懸式絕緣子串一般也裝有均壓環(huán)，以改善沿絕緣子串的電壓分布
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