半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)(2)(已修改)
2025-05-26 12:03 本頁面
【正文】 半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 一． 半導(dǎo)體概要 二． 載流子模型 三． 載流子輸運(yùn) 四． pn結(jié)的靜電特性 五． pn結(jié)二極管： IV特性 六． pn結(jié)二極管：小信號(hào)導(dǎo)納 七． pn結(jié)二極管：瞬態(tài)特性 八． BJT的基礎(chǔ)知識(shí) 9. BJT靜態(tài)特性 10. BJT動(dòng)態(tài)響應(yīng)模型 11. MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ) 12. MOSFET器件基礎(chǔ) 13. JFET 和 MESFET簡(jiǎn)介 半導(dǎo)體器件 基本概念 ? Bipolar Junction Transistor N+ N P P E B C E B C E B C NPN PNP 半導(dǎo)體器件 晶體管的發(fā)明 第一個(gè)點(diǎn)接觸式的 晶體管 (transistor) Bardeen, Brattain, and Schockley獲 1956年諾貝爾物理獎(jiǎng) 半導(dǎo)體器件 晶體管的特性 半導(dǎo)體器件 制備工藝 半導(dǎo)體器件 理想 NPN摻雜分布 ? 集電結(jié)外延，發(fā)射結(jié)離子注入 e b c 半導(dǎo)體器件 ? 兩個(gè)獨(dú)立的 PN結(jié)構(gòu)成 晶體管的靜電特性 N+ P N 半導(dǎo)體器件 背靠背二極管 半導(dǎo)體器件 工作原理 半導(dǎo)體器件 特性參數(shù) ? 發(fā)射效率 (PNP) ? 基區(qū)輸運(yùn)系數(shù) EnEpEpEEpIIIII????EpCpT II??半導(dǎo)體器件 特性參數(shù) 1 ? 共基極直流電流增益 CnCBTdcCBEdcCIIIII????00????半導(dǎo)體器件 特性參數(shù) 2 ? 共發(fā)射極直流電流增益 dcCBCEdcdcdcdcCBBdcdcCCBBCdcCCEBdcCIIIIIIIIIIII??????????????????????1,111)(00000???BCdc II??半導(dǎo)體器件 小結(jié) ? BJT的基本概念 ? BJT的結(jié)構(gòu)與工藝 ? BJT的工作原理 ?特性參數(shù) 半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 一． 半導(dǎo)體概要 二． 載流子模型 三． 載流子輸運(yùn) 四． pn結(jié)的靜電特性 五． pn結(jié)二極管： IV特性 六． pn結(jié)二極管：小信號(hào)導(dǎo)納 七． pn結(jié)二極管：瞬態(tài)特性 八． BJT的基礎(chǔ)知識(shí) 9. BJT靜態(tài)特性 10. BJT動(dòng)態(tài)響應(yīng)模型 11. MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ) 12. MOSFET器件基礎(chǔ) 13. JFET 和 MESFET簡(jiǎn)
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