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正文內(nèi)容

簡(jiǎn)易計(jì)算器_單片機(jī)課程設(shè)計(jì)報(bào)告(已修改)

2025-09-09 12:38 本頁(yè)面
 

【正文】 目錄一、概述 2二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 3三、硬件設(shè)計(jì) 31 設(shè)計(jì)總體框圖 32 實(shí)際電路 4(1)復(fù)位電路 4(2)時(shí)鐘電路 5(3)EA/VPP(31腳)的功能和接法 6(4)鍵盤輸入電路 6(5)數(shù)碼管顯示電路 7四、軟件設(shè)計(jì) 91 程序內(nèi)容 92 C語(yǔ)言程序 9五、Protues仿真 9六、設(shè)計(jì)總結(jié) 10七、附錄 111 C語(yǔ)言程序: 112焊接電路板實(shí)物圖 193 芯片引腳圖 19一、概述單片機(jī)課程設(shè)計(jì)是一門實(shí)踐課程,要求學(xué)生具有制作調(diào)試單片機(jī)最小系統(tǒng)及外設(shè)的能力,能夠掌握單片機(jī)內(nèi)部資源的使用。單片機(jī)課程設(shè)計(jì)內(nèi)容包括硬件設(shè)計(jì)、制作及軟件編寫、調(diào)試,學(xué)生在熟練掌握焊接技術(shù)的基礎(chǔ)上,能熟練使用單片機(jī)軟件開發(fā)環(huán)境Keil C51編程調(diào)試,并使用STC ISP調(diào)試工具采用串口下載方式聯(lián)調(diào)制作的單片機(jī)最小系統(tǒng)。單片機(jī)課程設(shè)計(jì)題目包含基本部分及擴(kuò)展部分,基本部分即單片機(jī)最小系統(tǒng)部分,擴(kuò)展部分是對(duì)單片機(jī)內(nèi)部資源及外部IO口的功能擴(kuò)展,使制作的單片機(jī)系統(tǒng)具有一定的功能。二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容自制一個(gè)單片機(jī)最小系統(tǒng),包括串口下載、復(fù)位電路,采用外部小鍵盤輸入數(shù)據(jù),能夠?qū)崿F(xiàn)加法、乘法及一個(gè)科學(xué)計(jì)算,計(jì)算結(jié)果顯示在四位一體的數(shù)碼管上。三、硬件設(shè)計(jì)1 設(shè)計(jì)總體框圖2 實(shí)際電路(1)復(fù)位電路在單片機(jī)系統(tǒng)中,復(fù)位電路是非常關(guān)鍵的,當(dāng)程序跑飛(運(yùn)行不正常)或死機(jī)(停止運(yùn)行)時(shí),就需要進(jìn)行復(fù)位?! CS5l 系列單片機(jī)的復(fù)位引腳RST( 第9 管腳) 出現(xiàn)2個(gè)機(jī)器周期以上的高電平時(shí),單片機(jī)就執(zhí)行復(fù)位操作。如果RST 持續(xù)為高電平,單片機(jī)就處于循環(huán)復(fù)位狀態(tài)。復(fù)位操作通常有兩種基本形式:上電自動(dòng)復(fù)位和開關(guān)復(fù)位。上電瞬間,電容兩端電壓不能突變,此時(shí)電容的負(fù)極和RESET 相連,電壓全部加在了電阻上,RESET 的輸入為高,芯片被復(fù)位。隨之+5V電源給電容充電,電阻上的電壓逐漸減小,最后約等于0,芯片正常工作。并聯(lián)在電容的兩端為復(fù)位按鍵,當(dāng)復(fù)位按鍵沒有被按下的時(shí)候電路實(shí)現(xiàn)上電復(fù)位,在芯片正常工作后,通過按下按鍵使RST管腳出現(xiàn)高電平達(dá)到手動(dòng)復(fù)位的效果。一般來(lái)說(shuō),只要RST 管腳上保持10ms 以上的高電平,就能使單片機(jī)有效的復(fù)位。本次課程設(shè)計(jì)選用開關(guān)復(fù)位電路,設(shè)計(jì)如下:(2)時(shí)鐘電路XTAL1(19 腳) :芯片內(nèi)部振蕩電路輸入端?! TAL2(18 腳) :芯片內(nèi)部振蕩電路輸出端。XTAL1 和XTAL2 是獨(dú)立的輸入和輸出反相放大器,它們可以被配置為使用石英晶振的片內(nèi)振蕩器,或者是器件直接由外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)。本次課程設(shè)計(jì)采用的是內(nèi)時(shí)鐘模式,即采用利用芯片內(nèi)部的振蕩電路,在XTALXTAL2 的引腳上外接定時(shí)元件(一個(gè)石英晶體和兩個(gè)電容),內(nèi)部振蕩器便能產(chǎn)生自激振蕩。 ~ 12MHz 之間任選,甚至可以達(dá)到24MHz 或者更高,但是頻率越高功耗也就越大。 的石英晶振。和晶振并聯(lián)的兩個(gè)電容的大小對(duì)振蕩頻率有微小影響,可以起到頻率微調(diào)作用。當(dāng)采用石英晶振時(shí),電容可以在20 ~ 40pF 之間選擇(本實(shí)驗(yàn)套件使用30pF);當(dāng)采用陶瓷諧振器件時(shí),電容要適當(dāng)?shù)卦龃笠恍?,?0 ~ 50pF 之間。通常選取33pF 的陶瓷電容就可以了。具體電路如下:(3)EA/VPP(31腳)的功能和接法  51 單片機(jī)的EA/VPP(31 腳) 是內(nèi)部和外部程序存儲(chǔ)器的選擇管腳。當(dāng)EA 保持高電平時(shí),單片機(jī)訪問內(nèi)部程序存儲(chǔ)器;當(dāng)EA 保持低電平時(shí),則不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器,只訪問外部存儲(chǔ)器。  對(duì)于現(xiàn)今的絕大部分單片機(jī)來(lái)說(shuō),其內(nèi)部的程序存儲(chǔ)器(一般為flash)容量都很大,因此基本上不需要外接程序存儲(chǔ)器,而是直接使用內(nèi)部的存儲(chǔ)器?! ? 在本實(shí)驗(yàn)套件中,EA 管腳接到了VCC 上,只使用內(nèi)部的程序存儲(chǔ)器。(4)鍵盤輸入電路在鍵盤中按鍵數(shù)量較多時(shí),為了減少I/O口的占用,通常將按鍵排列成矩陣形式,如圖1所示。在矩陣式鍵盤中,每條水平線和垂直線在交叉處不直接連通,而是通過一個(gè)按鍵加以連接。這樣,一個(gè)端口(如P1口)就可以構(gòu)成4*4=16個(gè)按鍵,比之直接將端口線用于鍵盤多出了一倍,而且線數(shù)越多,區(qū)別越明顯,比如再多加一條線就可以構(gòu)成20鍵的鍵盤,而直接用端口線則只能多出一鍵(9鍵)。由此可見,在需要的鍵數(shù)比較多時(shí),采用矩陣法來(lái)做鍵盤是合理的。由于本次實(shí)驗(yàn)是制
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