【總結(jié)】集成電路后端設(shè)計(jì)簡介第一部分簡單導(dǎo)言集成電路的發(fā)展?集成電路(IC:IntegratedCircuit)是指通過一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容、電感等無源器件,按照一定的電路互連,“集成”在一塊半導(dǎo)體晶片上,并封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的一種器件。?1965年,In
2025-01-07 01:54
【總結(jié)】集成電路工藝概述課程介紹普通高校專業(yè)學(xué)科目錄(1998版)?01哲學(xué)?02經(jīng)濟(jì)學(xué)?03法學(xué)?04教育學(xué)?05文學(xué)?06歷史學(xué)?07理學(xué)?08工學(xué)?09農(nóng)學(xué)?10醫(yī)學(xué)?11管理學(xué)?0806電氣信息類?080601電氣工程及其自動(dòng)化?080
2025-01-06 18:36
【總結(jié)】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料:N型半導(dǎo)體:N-NN+P型半導(dǎo)體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-11 01:31
【總結(jié)】1第八章雙極型集成電路2內(nèi)容提要?集成電路制造工藝?電學(xué)隔離?pn結(jié)隔離集成電路工藝流程?IC中的元件結(jié)構(gòu)與寄生效應(yīng)?TTL門電路的工作原理和基本參數(shù)?TTL門電路的改進(jìn)?雙極型數(shù)字電路的版圖設(shè)計(jì)3?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)
2025-01-14 10:46
【總結(jié)】山東浪潮華光光電子股份有限公司集成電路產(chǎn)業(yè)狀況介紹浪潮華光任忠祥202208052山東浪潮華光光電子股份有限公司
2025-08-01 14:45
【總結(jié)】集成電路版圖基礎(chǔ)——電容版圖設(shè)計(jì)光電工程學(xué)院王智鵬一、電容概述?電容器,能夠存儲(chǔ)電荷的器件。?單位:法拉(F)兩塊導(dǎo)電材料中間存在絕緣介質(zhì)就會(huì)形成電容?電容充電二、MOS集成電路中的電容器MOS集成電路中的電容器幾乎都是平板電容器。平板電容器的電容表示式:C=εoε
2025-04-30 18:27
【總結(jié)】常用集成電路引腳圖74LS00?????????????74LS02?????????74LS0474LS10????
2025-06-18 08:51
【總結(jié)】國外集成電路命名方法器件型號(hào)舉例說明?(縮寫字符:AMD譯名:先進(jìn)微器件公司(美))AM29L509PCBAMD首標(biāo)器件編號(hào)封裝形式溫度范圍分類?"L":低功耗;D:銅焊雙列直插C:商用溫度,沒有標(biāo)志的?"S":肖特基;(多層陶瓷);(0-7
2025-08-22 15:56
【總結(jié)】第九章版圖設(shè)計(jì)實(shí)例主要內(nèi)容1.CMOS門電路2.CMOSRAM單元及陣列3.CMOSD觸發(fā)器4.CMOS放大器5.雙極集成電路1.CMOS門電路(1)反相器電路圖
2025-01-07 01:53
【總結(jié)】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開課時(shí)間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計(jì)和光集成電路等課程的前修課程。本課程開課時(shí)間暫定在第五學(xué)期。2.參考教材:《半導(dǎo)體器件工藝原理》國防工業(yè)出版社
2025-06-25 03:24
【總結(jié)】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無線電系2022年東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
【總結(jié)】 CMOS集成電路制造工藝從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開集成電路的制備工藝,本章主要介紹硅襯底上的CMOS集成電路制造的工藝過程。有些CMOS集成電路涉及到高壓MOS器件(例如平板顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率CMOS集成電路等),因此高低壓電路的兼容性就顯得十分重要,在本章最后將重點(diǎn)說明高低壓兼容的CMOS工藝流程?!』镜闹苽涔に囘^程CMOS集成電路的制備工藝是一個(gè)非常復(fù)雜而
2025-06-29 07:07
【總結(jié)】求和運(yùn)算電路積分和微分運(yùn)算電路對(duì)數(shù)和指數(shù)運(yùn)算電路模擬乘法器及其應(yīng)用有源濾波器[引言]:運(yùn)算電路是集成運(yùn)算放大器的基本應(yīng)用電路,它是集成運(yùn)放的線性應(yīng)用。討論的是模擬信號(hào)的加法、減法積分和微分、對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)(指數(shù))、以及乘法和除法運(yùn)算。為了分析方便,把運(yùn)放均視為理想器件:
2025-05-04 18:03
【總結(jié)】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜,通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。金屬線被夾在兩個(gè)絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性
2025-04-30 18:17
【總結(jié)】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用,為學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)打下基礎(chǔ)。(1)外延生長?外延生長為在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應(yīng)爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-04-28 22:22