20xx年醫(yī)學專題—電離輻射對細胞的作用-文庫吧
2024-11-19 05:22 本頁面
【正文】 。處于M期的細胞受照很敏感，可引起細胞即刻死亡或染色體畸變（斷裂、粘連、碎片等）；可不立刻影響分裂過程，而使下一周期推遲，或在下一次分裂時子代細胞夭折。C1期的早期對輻射不敏感，后期則較為敏感，RNA、蛋白質(zhì)和酶合成抑制，延遲進入S期。S前期亦較為敏感，直接阻止DNA合成，而在S期的后期敏感性降低，是則于此時已完成DNA合成，即使DNA受損亦可修復之故。G2期是對輻射極敏感的階段，分裂所需特異蛋白質(zhì)和RNA合成障礙，因而細胞在G2期停留下來，稱“G2阻斷”（G2block），是照射后即刻發(fā)生細胞分裂延遲主要原因。圖33 細胞周期各階段的輻射敏感性 三、染色體畸變 細胞在分裂過程中染色體的數(shù)量和結(jié)構(gòu)發(fā)生變化稱為染色體畸變（chromosome aberration）?；兛梢宰匀话l(fā)生，稱自發(fā)畸變(spontaneous aberration)。許多物理、化學因素和病毒感染可使畸變率增高。電離輻射是畸變誘發(fā)因素，其原因是電離粒子穿透染色體或其附近時，使染色體分子電離發(fā)生化學變化而斷裂?！ 。ㄒ唬┤旧w數(shù)量變化 照射時染色體發(fā)生粘著，在細胞分裂時可能產(chǎn)生染色體不分離現(xiàn)象，致使兩個子細胞中染色體不是平均分配，生成非整倍體（aneuploid）細胞。 ?。ǘ┤旧w結(jié)構(gòu)變化 1．染色體型畸變：當染色體在復制之前受照射（即細胞處于G1期或S期初期受照射），染色體發(fā)生畸變之后再進行復制，稱染色體型畸變。斷片、著絲粒環(huán)、雙著絲粒體、相互易位、倒位及缺失等畸變屬于這一類（圖34）。圖34 某些
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