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正文內(nèi)容

西電微波技術(shù)虛擬實驗報告_格式要求-文庫吧

2025-11-01 23:00 本頁面


【正文】 最?。ɡ碚撋蠟榱悖?,Ezd4z2d3圖13d2z1d1此時從測量線的刻度上即可求出波導(dǎo)波長lg=2z2z1。在實際測量中,由于受設(shè)備的精度、靈敏度的限制,以及其它因素的影響,很難精確地確定z1和z2的位置。為提高測試精度,可采用“平均法”測定它們的位置,如圖13所示。為了確定z1,使在z1兩側(cè)(盡量地靠近z1)的d1和d2處測量放大器有相同的指示數(shù),則z1=(d1+d2)/2,同理可得z2=(d3+d4)/2。這比直接去測z1和z2要精確些。3.繪制晶體矯正曲線需要指出的是,當(dāng)用測量線測定微波系統(tǒng)(波導(dǎo))內(nèi)場強(qiáng)幅度的分布規(guī)律時,測量放大器的指示值并不直接表示高頻信號的場強(qiáng)值,而是通過晶體二極管檢波后的電流值。我們已知傳輸系統(tǒng)的駐波s為:s=Emax/Emin=Umax/Umin由于晶體二極管為一非線性器件(如圖14(a)所示),因此就不能用測量放大器的讀數(shù)直接套用上面的公式求出駐波比s。為了求出s,應(yīng)作出晶體管的輸入電壓U(它與探針拾取的場強(qiáng)幅值成正比)與檢波電流的關(guān)系曲線(如圖14(b)所示),稱為晶體校正曲線。II(a)U圖14(b)E此曲線中的電流雖然是從測量放大器中讀出的值,但它對應(yīng)的U值(或E),此時并非加于晶體二極管上的電壓值,而是通過測量于計算求出的與場強(qiáng)幅值成正比例的“等效”的電壓值。有了校正缺陷,當(dāng)探針在場強(qiáng)幅值最大值時,測量放大器有一讀數(shù)Imax,探針在場強(qiáng)幅值最小處時,有一讀數(shù)Imin,從校正曲線中查出Imax和Imin,分別對應(yīng)的U和Uminmax(Emax)(Emin),則駐波比s為:UmaxEmaxs==UminEmin為了作出晶體校正曲線,需將系統(tǒng)終端短路,形成純駐波狀態(tài)。如圖15所示。EzB圖15A場強(qiáng)E的幅度E可表示為:E=Emaxsinbz=Emaxsin2plgz為了求出場強(qiáng)幅值與檢波電流I之間的關(guān)系(晶體校正曲線),就要利用這個公式計算場強(qiáng)值(也即校正曲線中的U)。~,使系統(tǒng)正常工作,并求出該頻率對應(yīng)的波導(dǎo)波長lg。將測量線探針移到場強(qiáng)幅值的節(jié)點。例如圖15中所示的A點,作為z=0的參考點,并記下此時測量放大器的讀數(shù),從公式看該讀數(shù)(理論上為零,實際上不為零)對應(yīng)的E應(yīng)為零。B是場強(qiáng)幅值的腹點,AB=lg4,將此距離等分為若干個小段(例如10個小段),從A點開始,按分小段使探針逐次向B點移動,并記住每一位置所對應(yīng)的測量放大器的讀數(shù)I,已經(jīng)每一位置的坐標(biāo)z的值,則sinB點對應(yīng)于Emax,若Emax已知,則利用公式2plgz即可求出。E=Emaxsin2plgz即可求出每點的E(U)與每點的I一一對應(yīng)的關(guān)系,根據(jù)這組數(shù)據(jù)即可畫出晶體校正曲線。但實際上,Emax的值我們并不知道具體等于多少,為了解決這一問題,在作晶體校正曲線時,只需要知道各點場強(qiáng)幅值的相對大小就可以了,并不需要求出它們的絕對大小,因此,我們可以把B點對應(yīng)的電流讀數(shù)I作為Emax看待,而其它點的E(相對值)即可求出了。在實際測量中,為計算方便起見,可利用調(diào)節(jié)信號源的輸出,可變衰減器的衰減量和測量放大器的有關(guān)旋鈕等方法,使B對應(yīng)的I的讀數(shù)為10的某個整數(shù)倍(例如100)。另外需要指出的是,作晶體校正曲線也可以從場強(qiáng)幅值的腹點B開始,逐漸向節(jié)點A移動探針,測出所需要的數(shù)據(jù),場強(qiáng)幅值的變化為余弦。但B點的確切位置比A點更難確定,所以,從A點開始,比從B點開始要好些。最后補(bǔ)充一點,當(dāng)晶體二極管的檢波電流很小時,其電壓和電流有近似于平方律的關(guān)系式:I=KUK是與管子型號有關(guān)的結(jié)構(gòu)參數(shù),是常數(shù)。此時的駐波比S可近似為 2S=EmaxEmin=UmaxI=maxUminImin而不需要查晶體校正曲線。實驗二 阻抗的測量一、實驗?zāi)康?. 掌握最常用的阻抗的測量方法,并能利用公式和阻抗或?qū)Ъ{圓圖計算阻抗。2. 測量喇叭天線的等效(輸入)阻抗。二、實驗裝置和實驗原理在微波范圍內(nèi)經(jīng)常遇到對微波元(器)件阻抗的測量問題(例如,在研究若干個元、器件相互間的連接和匹配問題時),因此掌握阻抗的測量方法是十分重要的。測量阻抗的方法有多種,其中較常用的是利用測量線來進(jìn)行測量。實驗裝置和實驗一所用的完全相同。為畫圖簡單起見,我們用方框圖把它表示出來,如圖2-1所示。測量放大器信號源隔離器可變衰減器頻率計精密衰減器測量線負(fù)載圖21三、實驗內(nèi)容1.當(dāng)無耗傳輸線終端接有任意復(fù)數(shù)阻抗的負(fù)載Zl時,系統(tǒng)呈行駐波狀態(tài),電壓或場強(qiáng)幅值的分布規(guī)律如圖2-2所示。ZcZlEzλg2圖22l1為了求出被測阻抗Zl可采用兩種方法,用公式計算和查圓圖。首先討論一下用公式計算的方法。根據(jù)傳輸線理論,等效(輸入)阻抗Z(z)為Z(z)=Zc據(jù)此,對終端被測負(fù)載Zl而言應(yīng)為:1+G(z)1G(z)Zl=Zc1+G(0)e1G(0)ejjG0jjG0式中,Zc為傳輸線的特性阻抗,G(z)為電壓反射系數(shù),G(0)為終端負(fù)載處的反射系數(shù),jG0為其初相角。在電壓(或場強(qiáng)幅度)最小點處反射系數(shù)G(z)的相角應(yīng)滿足cos(2bzjG0)=1cos(2bzjG0)=1即2bzjG0=(2n+1)p,n=0,1,2,3...若取距終端負(fù)載最近的那個電壓(或場強(qiáng)幅值)最小點的距離z=zmin=l1,代入上式,則:jG0=2bl1p而b=2plg,G(0)=s1 s+1式中,lg為波導(dǎo)波長,s為駐波比。由此可知,只要測出s和l1(在某一頻率下),即可求出負(fù)載Zl,它比計算方法要方便得多,例如用阻抗圓圖(用導(dǎo)納圓圖也可)來求阻抗Zl,如圖2-3所示。如前所述,首先測出在某一頻率下得駐波比s和電壓最小點(距終端被測負(fù)載Zl最近得那點)的距離l1,然后在圖2-3中以O(shè)點為圓心畫出等駐波比圓(s圓),并與實軸交于P點,該點即電壓最小點處的位置,其阻抗的歸一化值為1/s。由P點開始沿等s圓逆時針旋轉(zhuǎn)l1/lg刻度,過此刻度與圓心O連一直線與s圓相交于M點,該點對應(yīng)的值就是被測負(fù)載Zl的歸一化值,將該值再乘以Zc,即得所求的負(fù)載阻抗Zl。向信號源SPOrM向負(fù)載xl1λg圖232.在實際測負(fù)載阻抗Zl的過程中,由于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上的原因,用測量線無法直測得距負(fù)載最近的那個電壓(或場強(qiáng)幅值)最小點的距離l1,例如,它可能處于測量線探針無法接近的位置。此時,可采用簡接方法求出l,如圖2-4所示。首先,將測量系統(tǒng)得終端用短路板Zl12Ezz2l1z1圖24短路,形成純駐波狀態(tài)(參見圖24中的圖形①),終端即為電壓(或場強(qiáng)幅值)得最小點(理論上為零點),從終端算起向信號源方向,每隔lg/2的距離就出現(xiàn)一個最小點,因此總會由一些最小點落在測量探針可以達(dá)到的范圍之內(nèi)。我們可以任取其中的某個最小點(例如Z1點)看作系統(tǒng)得終端位置(即被測負(fù)載Zl的位置),然后取下短路板,接上被測負(fù)
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