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正文內(nèi)容

機(jī)電一體化實(shí)習(xí)總結(jié)-文庫(kù)吧

2024-10-25 10:10 本頁(yè)面


【正文】 特殊需求的技術(shù)參數(shù),從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片,做有針對(duì)性的專(zhuān)門(mén)測(cè)試,看是否能滿(mǎn)足客戶(hù)的特殊需求,以決定是否須為客戶(hù)設(shè)計(jì)專(zhuān)用芯片。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠(chǎng)日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠(chǎng)。而未通過(guò)測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級(jí)品或廢品。LED 芯片的制造工藝流程:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2 腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。LED 芯片的制造工藝流程其實(shí)外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜的,在展完外延片后,下一步就開(kāi)始對(duì)LED 外延片做電極(P 極,N 極),接著就開(kāi)始用激光機(jī)切割LED 外延片(以前切割LED 外延片主要用鉆石刀),制造成芯片后,在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試。、主要對(duì)電壓、波長(zhǎng)、亮度進(jìn)行測(cè)試,能符合正常出貨標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作,如果這九點(diǎn)測(cè)試不符合相關(guān)要求的晶圓片,就放在一邊另外處理。晶圓切割成芯片后,100%的目檢(VI/VC),操作者要使用放大30 倍數(shù)的顯微鏡下進(jìn)行目測(cè)。接著使用全自動(dòng)分類(lèi)機(jī)根據(jù)不同的電壓,波長(zhǎng),亮度的預(yù)測(cè)參數(shù)對(duì)芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測(cè)試和分類(lèi)。最后對(duì)LED 芯片進(jìn)行檢查(VC)和貼標(biāo)簽。芯片區(qū)域要在藍(lán)膜的中心,藍(lán)膜上最多有5000 粒芯片,但必須保證每張藍(lán)膜上芯片的數(shù)量不得少于1000 粒,芯片類(lèi)型、批號(hào)、數(shù)量和光電測(cè)量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)記錄在標(biāo)簽上,附在蠟光紙的背面。藍(lán)膜上的芯片將做最后的目檢測(cè)試與第一次目檢標(biāo)準(zhǔn)相同,確保芯片排列整齊和質(zhì)量合格。這樣就制成LED 芯片(目前市場(chǎng)上統(tǒng)稱(chēng)方片)。在LED 芯片制作過(guò)程中,把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片,分撿出來(lái),這些就是后面的散晶,此時(shí)在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片或毛片等。剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試,對(duì)于不符合相關(guān)要求的晶圓片作另外處理,這些晶圓片是不能直接用來(lái)做LED 方片,也就不做任何分檢了,直接賣(mài)給客戶(hù)了,也就是目前市場(chǎng)上的LED 大圓片(但是大圓片里也有好東西,如方片)。、主要對(duì)電壓、波長(zhǎng)、亮度進(jìn)行測(cè)試,能符合正常出貨標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作,如果這九點(diǎn)測(cè)試不符合相關(guān)要求的晶圓片,就放在一邊另外處理。晶圓切割成芯片后,100%的目檢(VI/VC),操作者要使用放大30 倍數(shù)的顯微鏡下進(jìn)行目測(cè)。接著使用全自動(dòng)分類(lèi)機(jī)根據(jù)不同的電壓,波長(zhǎng),亮度的預(yù)測(cè)參數(shù)對(duì)芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測(cè)試和分類(lèi)。最后對(duì)LED 芯片進(jìn)行檢查(VC)和貼標(biāo)簽。芯片區(qū)域要在藍(lán)膜的中心,藍(lán)膜上最多有5000 粒芯片,但必須保證每張藍(lán)膜上芯片的數(shù)量不得少于1000 粒,芯片類(lèi)型、批號(hào)、數(shù)量和光電測(cè)量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)記錄在標(biāo)簽上,附在蠟光紙的背面。藍(lán)膜上的芯片將做最后的目檢測(cè)試與第一次目檢標(biāo)準(zhǔn)相同,確保芯片排列整齊和質(zhì)量合格。這樣就制成LED 芯片(目前市場(chǎng)上統(tǒng)稱(chēng)方片)。在LED 芯片制作過(guò)程中,把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片,分撿出來(lái),這些就是后面的散晶,此時(shí)在藍(lán)膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片或毛片等。通過(guò)實(shí)習(xí),可以使我們?cè)趯?shí)踐中接觸與本專(zhuān)業(yè)相關(guān)的一些實(shí)際工作,培養(yǎng)和鍛煉我們綜合運(yùn)用所學(xué)的基礎(chǔ)理論、基本技能和專(zhuān)業(yè)知識(shí),去獨(dú)立分析和解決實(shí)際問(wèn)題的能力,把理論和實(shí)踐結(jié)合起來(lái),提高我們的實(shí)際動(dòng)手能力,為將來(lái)我們畢業(yè)后走上工作崗位打下一定的基礎(chǔ)。通過(guò)這段時(shí)間的學(xué)習(xí),從無(wú)知到認(rèn)知,到深入了解,漸漸地我喜歡上這個(gè)專(zhuān)業(yè),讓我深刻的體會(huì)到學(xué)習(xí)的過(guò)程是最美的,在整個(gè)實(shí)習(xí)過(guò)程中,我每天都有很多的新的體會(huì),新的想法。通過(guò)這段時(shí)間的實(shí)習(xí)讓我認(rèn)清了自己的很多不足和缺點(diǎn)。(一)理論學(xué)習(xí)不夠,理論水平不高。學(xué)習(xí)不夠積極主動(dòng),刻苦鉆研精神不強(qiáng)。一是缺乏 “擠”勁和“韌”勁??偢械焦ぷ髅γβ德?沒(méi)能靜下心來(lái)潛心學(xué)習(xí)。二是理論聯(lián)系實(shí)際不夠,還不能很好地用理論去指導(dǎo)實(shí)際工作。另外,在實(shí)踐過(guò)程中,操作順序搞反或式操作細(xì)節(jié)忘了等(二)創(chuàng)新意識(shí)不強(qiáng),工作方法簡(jiǎn)單。工作思路不寬、不活,很多時(shí)候還是循規(guī)蹈矩,只安于操作流程表面,以往的經(jīng)驗(yàn)就是對(duì)的,就是正確的,認(rèn)為把自己份內(nèi)的事情做好就可以了,缺乏創(chuàng)新 意識(shí),不能用全新的思維和方式去做開(kāi)創(chuàng)性的工作。(三)工作不夠扎實(shí)。雖然工作中取得了一定的成績(jī),但工作作風(fēng)不深入、不扎實(shí)。有些工作浮于表面。工作標(biāo)準(zhǔn)不精益求精,在實(shí)際操作中處理問(wèn)題有時(shí)還存在畏難情緒,瞻前顧后、患得患失,忽視了工作的積極性、主動(dòng)性、創(chuàng)造性,降低了工作中操作標(biāo)準(zhǔn)。針對(duì)自己在工作中存在的問(wèn)題,我將在以后的工作中,認(rèn)真反思,加以改進(jìn),從自身做起,從小事做起,扎實(shí)做好每一項(xiàng)工作,每一件事,提高自己綜合素
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