【正文】 醛的釋放；通風條件越好，建筑、裝修材料中甲醛的釋放也相應的越快，越有利于室內(nèi)環(huán)境的清潔。2 危害甲醛具有強烈的致癌和促癌作用。大量文獻記載，甲醛對人體健康的影響主要表現(xiàn)在嗅覺異常、刺激、過敏、肺功能異常、肝功能異常和免疫功能異常等方面。其濃度在每立方米空氣中達到 ～ mg/ 時，兒童就會發(fā)生輕微氣喘。3m當室內(nèi)空氣中甲醛含量為 mg/ 時，就有異味和不適感；達到 mg/ 時，3 3m可刺激眼睛，引起流淚；達到 mg/ ，可引起咽喉不適或疼痛。濃度更高時，可引起惡心嘔吐，咳嗽胸悶，氣喘甚至肺水腫；達到 30 mg/ 時，會立即致人死3亡。 長期接觸低劑量甲醛可引起慢性呼吸道疾病，引起鼻咽癌、結腸癌、腦瘤、月經(jīng)紊亂、細胞核的基因突變，DNA 單鏈內(nèi)交連和 DNA 與蛋白質(zhì)交連及抑制 DNA損傷的修復、妊娠綜合癥、引起新生兒染色體異常、白血病，引起青少年記憶力和智力下降。在所有接觸者中，兒童和孕婦對甲醛尤為敏感，危害也就更大。世界衛(wèi)生組織(WHO)工作組曾對甲醛規(guī)定了它對嗅覺、眼睛刺激和呼吸道刺激潛在致癌力的閾值，并指出當甲醛的室內(nèi)環(huán)境濃度超標 10%時，就應引起足夠的重視。甲醛污染危害嚴重的場所有新裝修的居室、辦公室、會議室、賓館、KTV包房和家具商場、建材商場等。室內(nèi)空氣中甲醛污染狀況：人們的新居和辦公室等場所都要進行室內(nèi)裝飾和購買家俱，由于裝修和家具制造要使用大量人造板材（如膠合板、大芯板、中纖板、刨花板、強化地板和復合木地板等） ，而生產(chǎn)人造板需大量使用毒性高的甲醛為原料制造的膠粘劑，由于膠粘劑中的甲醛釋放期很長，一般長達 15 年，導致甲醛成為室內(nèi)空氣中的主要污染物。 室內(nèi)環(huán)境中苯的來源及危害室內(nèi)環(huán)境中苯的來源主要是燃燒煙草的煙霧、溶劑、油漆、染色劑、圖文傳真機、電腦終端機和打印機、粘合劑、墻紙、地毯、合成纖維和清潔劑等。工業(yè)上常把苯、甲苯、二甲苯統(tǒng)稱為三苯，在這三種物質(zhì)當中以苯的毒性最大。 一般認為苯毒性的產(chǎn)生是通過代謝產(chǎn)物所致，也就是說苯須先通過代謝才能對生命體產(chǎn)生危害。苯可以在肝臟和骨髓中進行代謝，而骨髓是紅細胞、白細胞和血小板的形成部位，故苯進入體內(nèi)可在造血組織本身形成具有血液毒性的代謝產(chǎn)物。長期接觸苯可引起骨髓與遺傳損害，血象檢查可發(fā)現(xiàn)白細胞、血小板減少，—3—全血細胞減少與再生障礙性貧血，甚至發(fā)生白血病。曾經(jīng)有人對低濃度苯接觸工人健康狀況進行調(diào)查，結果表明：外周血白細胞數(shù)雖在正常值范圍之內(nèi)，但非常顯著低于對照組；經(jīng)常性苯接觸工人淋巴細胞微核率分布高于非苯接觸組，且制苯車間觀察人群的淋巴細胞微核率與對照組比較差異有顯著性；隨作業(yè)環(huán)境苯濃度的增高，白細胞數(shù)有降低趨勢，淋巴細胞微核率有增加的趨勢。這些均證明低濃度苯對作業(yè)人群的健康有損害，尤其要注意對人體遺傳物質(zhì)的損傷作用。吸入4000ppm 以上的苯短時間除有黏膜及肺刺激性外，中樞神經(jīng)亦有抑制作用，同時會伴有頭痛、欲嘔、步態(tài)不穩(wěn)、昏迷、抽痙及心律不整。吸入 14000ppm 以上的苯會立即死亡。 室內(nèi)環(huán)境氨的來源及危害在我國北方地區(qū)，建造住宅樓、寫字樓、賓館、飯店等的建筑施工中，常人為地在混凝土里添加高堿混凝土膨脹劑和含尿素的混凝土防凍劑等外加劑，以防止混凝土在冬季施工時被凍裂，大大提高了施工進度。這些含有大量氨類物質(zhì)的外加劑在墻體中隨著濕度、溫度等環(huán)境因素的變化而還原成氨氣從墻體中緩慢釋放出來，造成室內(nèi)空氣中氨濃度的大量增加。 同時室內(nèi)空氣中的氨也可來自室內(nèi)裝飾材料，比如家具涂飾時使用添加劑和增白劑大部分都用氨水。燙發(fā)過程中氨水作為一種中和劑而被洗發(fā)店和美容院大量使用。另外隨著人們對氟氯昂類物質(zhì)破壞臭氧層的認識加深，目前世界范圍內(nèi)已開始禁止使用氟氯昂做為制冷劑。曾一度退出主導制冷劑地位的氨這種已經(jīng)使用了一個半世紀的制冷劑，又被重新開始利用。這也是一種潛在的污染源。 按毒理學分類，氨屬于低毒類化合物。氨是無色氣體，當環(huán)境空氣中氨達到一定濃度時，才有強烈的刺激氣味。人對氨的嗅閾值為 ～ mg/ 。氨是一3m種堿性物質(zhì)，進入人體后可以吸收組織中的水分，溶解度高，對人體的上呼吸道有刺激和腐蝕作用，減弱人體對疾病的抵抗力。氨進入肺泡后易和血紅蛋白結合破壞運氧功能。短期內(nèi)吸入大量的氨可出現(xiàn)流淚、咽痛、聲音嘶啞、咳嗽、頭暈、惡心等癥狀，嚴重者會出現(xiàn)肺水腫或呼吸窘迫綜合癥，同時發(fā)生呼吸道刺激癥狀。美國制造化學師協(xié)會規(guī)定，允許工作人員在低于 100ppm 的氨濃度下工作 8 小時。—4—2 設計方案 系統(tǒng)組成及工作原理本系統(tǒng)功能由硬件和軟件兩大部分協(xié)調(diào)完成，硬件部分主要完成各種傳感器信號的采集、轉(zhuǎn)換、各種信息的顯示等；軟件主要完成信號的處理及控制功能。其工作原理是 89C51 單片機一次查詢每個傳感器的輸出信號。然后 89C51 對輸入信號進行相應處理后通過顯示模塊 128X64 輸出，同時還可輸出各種報警信號。 系統(tǒng)的主要功能該系統(tǒng)主要包括: 89C51 主控模塊、傳感器模塊、模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊AD574A、128X64 顯示模塊等。1. 89C51 主要完成外圍硬件的控制以及一些運算功能。2. 傳感器完成信號的采樣功能。3. 128X64 顯示模塊完成字符、數(shù)字的顯示功能。 系統(tǒng)的抗干擾設計在微機測控系統(tǒng)中，系統(tǒng)抗干擾性能的好壞直接影響到整個系統(tǒng)工作的可靠性與安全性。因此，抗干擾設計是設計的一個主要內(nèi)容，本系統(tǒng)采用的是由硬件和軟件相結合的抗干擾措施。 系統(tǒng)硬件抗干擾設計1. 濾波技術：①將電源變壓器的進線段加入濾波器,以消弱瞬變噪聲 干擾；②在直流電源線和地線之間接濾波電容,以控制電源噪聲。2. 去耦電路：在印刷電路板的各個集成電路的電源線端與地線端之間配置去耦電容。 3. 屏蔽技術：屏蔽技術主要由電場屏蔽，電磁場屏蔽和磁場屏蔽三類，本系統(tǒng)是電場和電磁場屏蔽的方法。主要是使用低電阻材料作為屏蔽材料，把需要隔離的部分保衛(wèi)起來。磁場屏蔽則應采用高導磁率的材料。4. 光電隔離：在 I/O 通道上采用光電隔離器，將單片機系統(tǒng)與各種傳感器、開關從電器上隔離開來,很大一部分干擾可被阻擋。 系統(tǒng)軟件抗干擾設計對于微機測控系統(tǒng)，僅僅考慮硬件的抗干擾是遠遠不夠的,采取一定的軟件抗干擾措施非常必要，它不僅能降低系統(tǒng)的硬件成本，又可以充分發(fā)揮軟件的優(yōu)勢，使系統(tǒng)具有自我診斷,自我回復的能力。本系統(tǒng)采用的軟件抗干擾措施主要有以下幾種：1. 數(shù)字濾波技術,采用數(shù)字濾波技術除去輸入信號中所參雜的各種隨機干擾?！?—2. 軟件陷阱技術，當系統(tǒng)受到干擾，PC 值發(fā)生變化，程序“亂飛”等情況，可以用軟件陷阱和看門狗將程序拉回到復位狀態(tài)。具體的講,了以在 RAM中埋一些標志，在每次程序復位時，通過這些標志，可以判斷復位原因并根據(jù)不同的標志直接跳到相應的程序。這樣可以使程序運行有連續(xù)性，用戶在使用時也不易察覺到程序被重新復位過?！?—3 硬件設計 主控模塊 單片機的選擇 單片機的選擇原則：1. 單片機的基本參數(shù)2. 抗干擾性能好3. 性價比高4. 和其他外設芯片放在一起的綜合考慮 根據(jù)上述原則，本系統(tǒng)主控芯片采用 AT89C51。 AT89C51 芯片介紹AT89C51是一種帶4K字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲器的低電壓，高性能CMOS 8位微處理器。該器件采用ATMEL高密度非易失存儲器制造技術制造，與工業(yè)標準的MCS51指令集和輸出管腳相兼容。由于將多功能8位CPU和閃爍存儲器組合在單個芯片中，ATMEL的AT89C51是一種高效微控制器，為很多嵌入式控制系統(tǒng)提供了一種靈活性高且價廉的方案。1. 主要特性： 1) 與MCS51 兼容 2) 4K字節(jié)可編程閃爍存儲器3) 壽命：1000寫/擦循環(huán) ,數(shù)據(jù)保留時間：10年 4) 全靜態(tài)工作：0Hz～24Hz5) 三級程序存儲器鎖定6) 1288位內(nèi)部RAM 7) 32可編程I/O線8) 兩個16位定時器/計數(shù)器9) 5個中斷源10) 可編程串行通道 11) 低功耗的閑置和掉電模式12) 片內(nèi)振蕩器和時鐘電路2. 管腳說明—7—EA/VP31XTAL119 XTAL218RESET9RD17 WR16INT012 INT113T014 T115P101 P112P123 P134P145 P156P167 P178P00 39P01 38P02 37P03 36P04 35P05 34P06 33P07 32P20 21P21 22P22 23P23 24P24 25P25 26P26 27P27 28PSEN 29ALE/P30TXD 11RXD 10Vcc 40Vss20U1AT89C51. ...圖1 AT89C51引腳圖VCC： 供電電壓。 GND： 接地。 P0口： P0口為一個8位漏極開路雙向I/O口，每腳可吸收8個TTL門電流。當P1口的管腳第一次寫1時，被定義為高阻輸入。P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器，它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的第八位。在FIASH編程時，P0 口作為原碼輸入口，當FIASH進行校驗時，P0輸出原碼，此時P0外部必須被拉高。 P1口： P1口是一個內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口，P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。P1口管腳寫入1后，被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入，P1口被外部下拉為低電平時，將輸出電流，這是由于內(nèi)部上拉的緣故。在FLASH編程和校驗時，P1口作為第八位地址接收。 P2口： P2口為一個內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2口緩沖器可接收，輸出4個TTL門電流，當P2口被寫“1”時，其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高，且作為輸入。并因此作為輸入時，P2口的管腳被外部拉低，將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。P2口當用于外部程序存儲器或16位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進行存取時，P2口輸出地址的高八位。在給出地址“1”時，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢，當對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進行讀寫時，P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。P2口在FLASH編程和校驗時接收高八位地址信號和控制信號。 P3口： P3口管腳是8個帶內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O口，可接收輸出4個TTL門電流。當P3口寫入“1”后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。作為輸入，由于外部下拉為低電平，P3口將輸出電流（ILL）這是由于上拉的緣故。P3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口，如下表所示： 口管腳 備選功能 RXD（串行輸入口） —8— TXD （串行輸出口） （外部中斷0） INT （外部中斷1） T0 （記時器0外部輸入） T1（記時器1外部輸入） （外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） WR （外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通） DP3口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號。 RST： 復位輸入。當振蕩器復位器件時，要保持RST腳兩個機器周期的高電平時間。ALE/ ： 當訪問外部存儲器時，地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地PROG位字節(jié)。在FLASH編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。在平時，ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號，此頻率為振蕩器頻率的1/6。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。然而要注意的是：