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正文內(nèi)容

基于at89s51單片機(jī)的擴(kuò)展時(shí)鐘系統(tǒng)設(shè)計(jì)-文庫吧

2025-06-07 09:41 本頁面


【正文】 功能寄存器( SFR) 26 個(gè)。 圖 2 AT89S51 引腳圖 AT89S51 是一種帶 4K 字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲器( FPEROM— Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓,高性能 CMOS8 位微處理器,俗稱單片機(jī)。 AT89S51 是一種帶 K 字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲器的單片機(jī)。單片機(jī)的可擦除只讀存儲器可以反復(fù)擦除 1000 次。該器件采用ATMEL 高密度非易失存儲器制造技術(shù)制造, 與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MCS51 指令集和輸 第 5 頁 共 23 頁 出管腳相兼容。由于將多功能 8位 CPU和閃爍存儲器組合在單個(gè)芯片中, ATMEL的 AT89S51 是一種高效微控制器, AT89S1 是它的一種精簡版本。 AT89S51 單片機(jī)為很多嵌入式控制系統(tǒng)提供了一種靈活性高且價(jià)廉的方案。 電源及時(shí)鐘引腳 電源引腳 ( 1) VCC( 40 腳): +5V 電源。 ( 2) VSS( 20 腳):數(shù)字地。 時(shí)鐘引腳 ( 1) XTAL1( 19 腳):片內(nèi)振蕩器反相放大器和時(shí)鐘發(fā)生器電路輸入端。用片內(nèi)振蕩器時(shí),該腳接外部石英晶體和微調(diào) 電容。外接時(shí)鐘源時(shí),該腳接外部時(shí)鐘振蕩器的信號。 ( 2) XTAL2( 18 腳):片內(nèi)振蕩器反相放大器的輸出端。當(dāng)使用片內(nèi)振蕩器,該腳連接外部石英晶體和微調(diào)電容。當(dāng)使用外部時(shí)鐘源時(shí),本腳懸空。 并行 I/O 口 ( 1) P0 口: 8位,漏極開路的雙向 I/O 口 當(dāng)外擴(kuò)存儲器及 I/O 接口芯片時(shí), P0 口作為低 8 位地址總線及數(shù)據(jù)總線的分時(shí)復(fù)用端口。 P0 口也可用作通用的 I/O 口,需加上拉電阻,這時(shí)為準(zhǔn)雙向口。作為通用 I/O輸入,應(yīng)先向端口寫入 1??沈?qū)動(dòng) 8 個(gè) LS型 TTL 負(fù)載。 ( 2) P1 口: 8位,準(zhǔn)雙向 I/O 口,具有內(nèi)部上 拉電阻。 準(zhǔn)雙向 I/O 口,作為通用 I/O 輸入時(shí),應(yīng)先向端口鎖存器寫 1。 P1 口可驅(qū)動(dòng) 4個(gè) LS 型 TTL 負(fù)載。 、 可用于對片內(nèi) Flash 存儲器串行編程和校驗(yàn),它們分別是串行數(shù)據(jù)輸入、輸出和移位脈沖引腳。 ( 3) P2 口: 8位,準(zhǔn)雙向 I/O 口,具有內(nèi)部上拉電阻。 第 6 頁 共 23 頁 當(dāng) AT89S51 擴(kuò)展外部存儲器及 I/O 口時(shí), P2 口作為高 8 位地址總線用,輸出高 8位地址。 P2 口也可作為普通的 I/O 口使用。當(dāng)作為通用 I/O 輸入時(shí),應(yīng)先向端口輸出鎖存器寫 1。 P2口可驅(qū)動(dòng) 4個(gè) LS 型 TTL 負(fù)載。 ( 4) P3 口: 8位,準(zhǔn)雙向 I/O 口,具有內(nèi)部上拉電阻??勺鳛橥ㄓ玫?I/O 口使用。作為通用 I/O 輸入,應(yīng)先向端口輸出鎖存器寫入 1??沈?qū)動(dòng) 4 個(gè) LS 型 TTL負(fù)載。 P3 口還可提供第二功能。第二功能定義見圖 33,應(yīng)熟記。 綜上所述, P0 口可作為總線口,為雙向口。作為通用的 I/O 口使用時(shí),為準(zhǔn)雙向口,這時(shí)需加上拉電阻。 P1口、 P2口、 P3 口均為準(zhǔn)雙向口。 P3 口如圖 3, 圖3 P3 口引腳圖 時(shí)鐘芯片 DS12887 DS12887 是美國 DALLAS 半導(dǎo)體公司最新推出的 8 位串行接口并自帶 RAM 的實(shí)時(shí)日歷時(shí)鐘芯片,內(nèi)部有 14 個(gè)時(shí)鐘控制寄存器,包括 10 個(gè)時(shí)標(biāo)寄存器, 4 個(gè)狀態(tài)寄存器和 114 bit 作掉電保護(hù)用的低功耗 RAM。 CPU 通過讀 DS12887 的內(nèi)部時(shí)標(biāo)寄存器得到當(dāng)前的時(shí)間和日歷,也可通過選擇二進(jìn)制或 BCD 碼初始化芯片的10 個(gè)時(shí)標(biāo)寄存器,其 4 個(gè)狀態(tài)寄存器用來控制和指出 DS12887 的當(dāng)前工作狀態(tài),114 bit 非易失性靜態(tài) RAM 可在掉電時(shí)保存一些重要數(shù)據(jù)。 DS12887 功能強(qiáng)大,應(yīng)用廣泛。 DS12887 引腳分布圖和存儲器分布圖: 第 7 頁 共 23 頁 圖 4 引腳分布圖和存儲器分布 通 過對寄存器 A、 B、 C、 D的編程可以控制 DS12887 的工作方式: 寄存器 A 當(dāng) UIP 位為 0 時(shí)指示更新在 244μ S 內(nèi)不會(huì)發(fā)生;當(dāng) DV2DV1DV0 其為 010時(shí),打開晶振,并允許時(shí)鐘開始計(jì)時(shí); RS3 RS2 RS1 RS0 用于選擇周期中斷或輸出方波的頻率,當(dāng)其分別為 011 1000、 100 101 1100、 110當(dāng)其分別為 011 1000、 100 101 1100、 110 11 1111 時(shí),對應(yīng)頻率為 512Hz、256Hz、 128Hz、 64Hz、 32Hz、 16Hz、 8Hz、 4Hz、 2Hz。 第 8 頁 共 23 頁 SET 位為 0時(shí),每秒計(jì)數(shù)一次,置 1后,更新轉(zhuǎn)換被禁止;當(dāng) PIE、 AIE、 UIE位為 1時(shí),分別允許周期中斷、報(bào)警中斷和時(shí)鐘數(shù)據(jù)更新結(jié)束中斷,為 0時(shí),禁止中斷產(chǎn)生; SQWE 位為 1時(shí),按以寄存器 A中由 RS3 RS2 RS1 RS0選定的頻率從 SQW引腳輸出方波,為 0時(shí), SQW 為低電平;當(dāng) DM 為 1時(shí)選用二進(jìn)制數(shù)據(jù)格式,反之為 BCD 數(shù)據(jù)格式; 12/24位為 1時(shí),指定 24小時(shí)時(shí)間格式,否則為 12小時(shí)時(shí)間格式; DSE 為 1時(shí)允許夏時(shí)制發(fā)生。 寄存器 C的內(nèi) 容是周期中斷標(biāo)志位 PF、報(bào)警中斷標(biāo)志位 AF、更新結(jié)束中斷標(biāo)志位 UF 和 中 斷 請 求 標(biāo) 志 位 IRQF , 它 們 之 間 的 關(guān) 系 為IRQF=PF*PIE+AF*AIE+UF*UIE,只要 IRQF 為 1, /IRQ 引腳輸出就保持低電平,讀寄存器 C將清除所有標(biāo)志器 C 的內(nèi)容是周期中斷標(biāo)志位 PF、報(bào)警中斷標(biāo)志位 AF、更新結(jié)束中斷標(biāo)志位 UF 和中斷請求標(biāo)志位 IRQF,它們之間的關(guān)系為IRQF=PF*PIE+AF*AIE+UF*UIE,只要 IRQF 為 1, /IRQ 引腳輸出就保持低電平,讀寄存器 C 將清
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