【正文】 大發(fā)電機(jī)當(dāng)采用環(huán)氧粉云母者：大發(fā)電機(jī)當(dāng)采用環(huán)氧粉云母者： K值應(yīng)不小于值應(yīng)不小于 ， P應(yīng)不應(yīng)不小于小于 。發(fā)電機(jī)容量在發(fā)電機(jī)容量在 200MW及以上者推薦測量及以上者推薦測量 絕緣狀態(tài)的判定絕緣狀態(tài)的判定若絕緣內(nèi)部有集中性導(dǎo)電通道，或絕緣嚴(yán)重受潮，則電阻若絕緣內(nèi)部有集中性導(dǎo)電通道，或絕緣嚴(yán)重受潮，則電阻 R1 、 R2會(huì)顯著會(huì)顯著降低，泄漏電流大大增加，時(shí)間常數(shù)降低，泄漏電流大大增加，時(shí)間常數(shù) ττ 大為減小，吸收電流迅速衰減。大為減小，吸收電流迅速衰減。即使絕緣部分受潮，只要即使絕緣部分受潮，只要 R1與與 R2中的一個(gè)數(shù)值降低，中的一個(gè)數(shù)值降低， ττ 值也會(huì)大為減小值也會(huì)大為減小，吸收電流仍會(huì)迅速衰減，仍可造成吸收比，吸收電流仍會(huì)迅速衰減，仍可造成吸收比 K（及極化指數(shù)（及極化指數(shù) P，下同）的，下同）的下降。當(dāng)下降。當(dāng) K＝＝ 1或接近于或接近于 1，則設(shè)備基本喪失絕緣能力。，則設(shè)備基本喪失絕緣能力。不同絕緣狀態(tài)下的絕緣電阻的變化曲線不同絕緣狀態(tài)下的絕緣電阻的變化曲線 2）） 測量絕緣電阻與吸收比的方法測量絕緣電阻與吸收比的方法測量儀表：一般用兆歐表進(jìn)行測量儀表：一般用兆歐表進(jìn)行絕緣電阻與吸收比的測量絕緣電阻與吸收比的測量搖表：搖表： 為了測準(zhǔn)吸收比，需用為了測準(zhǔn)吸收比，需用靈敏度足夠高的兆歐表?，F(xiàn)場靈敏度足夠高的兆歐表。現(xiàn)場仍較多采用帶有手搖直流發(fā)電仍較多采用帶有手搖直流發(fā)電機(jī)的兆歐表，俗稱搖表機(jī)的兆歐表，俗稱搖表 晶體管兆歐表：晶體管兆歐表： 采用電池供采用電池供電，晶體管振蕩器產(chǎn)生交變電電，晶體管振蕩器產(chǎn)生交變電壓，經(jīng)變壓器升壓及倍壓整流壓，經(jīng)變壓器升壓及倍壓整流后輸出直流電壓后輸出直流電壓兆歐表的電壓：兆歐表的電壓： 500、 1000、2500、 5000V等等兆歐表選擇：根據(jù)設(shè)備電壓等兆歐表選擇：根據(jù)設(shè)備電壓等級的不同，選用不同電壓的兆級的不同，選用不同電壓的兆歐表。例：額定電壓歐表。例：額定電壓 1kV及以及以下者使用下者使用 1000V兆歐表；兆歐表； 1kV以以上者使用上者使用 2500V兆歐表兆歐表 兆歐表的原理結(jié)構(gòu)圖兆歐表的原理結(jié)構(gòu)圖 屏蔽端子屏蔽端子 G：主要用于屏蔽表：主要用于屏蔽表面泄漏電流面泄漏電流EGLEGL表面電導(dǎo)體積電導(dǎo)絕 緣 屏蔽環(huán) 例： 用兆歐表測量電纜絕緣電阻用兆歐表測量電纜絕緣電阻 用兆歐表測電纜絕緣電阻的接線圖用兆歐表測電纜絕緣電阻的接線圖1－鉛鎧外皮－鉛鎧外皮 2－絕緣－絕緣 3－導(dǎo)芯－導(dǎo)芯 4屏蔽環(huán)屏蔽環(huán) 微安表直讀法（高電位和低電位兩種接法）微安表直讀法（高電位和低電位兩種接法）測量電力變壓器主絕緣泄漏電流的接線測量電力變壓器主絕緣泄漏電流的接線 T1― 調(diào)壓器；調(diào)壓器； T2― 高壓試驗(yàn)變壓器；高壓試驗(yàn)變壓器； D― 高壓硅堆高壓硅堆 R― 保護(hù)電阻；保護(hù)電阻； C― 濾波電容；濾波電容； T― 被試變壓器被試變壓器 3）泄漏電流的測量）泄漏電流的測量4）測量絕緣電阻和泄漏電流的功效）測量絕緣電阻和泄漏電流的功效測量絕緣電阻和泄漏電流能有效地發(fā)現(xiàn)的缺陷：測量絕緣電阻和泄漏電流能有效地發(fā)現(xiàn)的缺陷： 兩極間穿透性的導(dǎo)電通道、兩極間穿透性的導(dǎo)電通道 絕緣受潮、絕緣受潮 表面污垢、表面污垢測量絕緣電阻和泄漏電流不易發(fā)現(xiàn)的缺陷：測量絕緣電阻和泄漏電流不易發(fā)現(xiàn)的缺陷： 絕緣的局部缺陷（局部損傷或裂縫、含有氣泡、絕緣的局部缺陷（局部損傷或裂縫、含有氣泡、 絕緣分層、脫開等）絕緣分層、脫開等） 絕緣的老化（此時(shí)的絕緣電阻還相當(dāng)高）、絕緣的老化（此時(shí)的絕緣電阻還相當(dāng)高）5）測量絕緣電阻和泄漏電流的注意事項(xiàng)）測量絕緣電阻和泄漏電流的注意事項(xiàng)A、測量結(jié)果不應(yīng)作為最后定論，應(yīng)與下列數(shù)據(jù)比較：、測量結(jié)果不應(yīng)作為最后定論，應(yīng)與下列數(shù)據(jù)比較： （（ 1）、歷史資料）、歷史資料 （（ 2）、同類設(shè)備數(shù)據(jù)）、同類設(shè)備數(shù)據(jù) （（ 3）、同一設(shè)備不同部位（不同相）的數(shù)據(jù)）、同一設(shè)備不同部位（不同相）的數(shù)據(jù) 當(dāng)當(dāng) K2時(shí)，有缺陷存在時(shí)，有缺陷存在 (4)、其它實(shí)驗(yàn)結(jié)果、其它實(shí)驗(yàn)結(jié)果B、要考慮測量時(shí)溫度的影響，只有同一溫度下的結(jié)果才能比較、要考慮測量時(shí)溫度的影響，只有同一溫度下的結(jié)果才能比較C、測量電壓要穩(wěn)定，直流脈動(dòng)不應(yīng)大于、測量電壓要穩(wěn)定，直流脈動(dòng)不應(yīng)大于 3%D、測量儀表的保護(hù)與屏蔽、測量儀表的保護(hù)與屏蔽E、測量前應(yīng)充分放電，避免殘余電荷造成誤差、測量前應(yīng)充分放電，避免殘余電荷造成誤差F、被試品的接地問題、被試品的接地問題3 介質(zhì)損耗角正切的測量介質(zhì)損耗角正切的測量 1）西林電橋的基本原理）西林電橋的基本原理 2）反接法的西林電橋）反接法的西林電橋 3）存在外界電磁場干擾時(shí)的測量）存在外界電磁場干擾時(shí)的測量 4）測量介損的功效）測量介損的功效 5）測量介損的注意事項(xiàng)）測量介損的注意事項(xiàng)測試無線電材料：測試無線電材料： 常采用高頻施壓法，所加的常采用高頻施壓法，所加的電壓不高電壓不高在電工界：在電工界： 測量測量 tgδ 的儀器和方法有多種，西的儀器和方法有多種，西 林電橋測法和電流比較式電橋測法林電橋測法和電流比較式電橋測法在線監(jiān)測：在線監(jiān)測： 采用微計(jì)算機(jī)對采用微計(jì)算機(jī)對 tgδ 的測量的測量測量介損的方法測量介損的方法1）西林電橋的基本原理）西林電橋的基本原理高壓臂：高壓臂： 一個(gè)是代表試品的一個(gè)是代表試品的Z1；另一個(gè)是無損耗的標(biāo)準(zhǔn)；另一個(gè)是無損耗的標(biāo)準(zhǔn)電容電容 C0，它以阻抗，它以阻抗 Z2作為代作為代表。表。低壓臂：低壓臂： 一個(gè)處在橋箱體內(nèi)一個(gè)處在橋箱體內(nèi)，一個(gè)是可調(diào)無感電阻，一個(gè)是可調(diào)無感電阻 R3；；另一個(gè)是無感電阻另一個(gè)是無感電阻 R4和可調(diào)和可調(diào)電容電容 C4的并聯(lián)回路。前者以的并聯(lián)回路。前者以Z3來代表，后者以來代表，后者以 Z4來代表來代表 保護(hù)：保護(hù)： 放電管放電管 P電橋平衡：電橋平衡： 檢流計(jì)檢流計(jì) G檢零檢零屏蔽：屏蔽： 消除雜散電容的影響消除雜散電容的影響 西林電橋的基本回路西林電橋的基本回路 電橋的平衡條件：電橋的平衡條件：Z1/Z3 = Z2/Z4串聯(lián)等值回路串聯(lián)等值回路tgδ=ωR4 C4Cx = R4C0/R3并聯(lián)等值回路并聯(lián)等值回路tgδ=ωR4 C4Cx = R4C0/[R3 (1+tg2δ)] Cx：： 因?yàn)橐驗(yàn)?tg2δδ 極小極小，故兩種等值電路的，故兩種等值電路的 Cx相等相等 西林電橋的基本回路西林電橋的基本回路 解之得：解之得： GxG4 – ω2CxC4 = 0 (1) G4Cx + GxC4 = G3C0 (2)由（由（ 2）得：）得： tgδ = IRx/ICx=Gx/ ωCx = ωC4/G4= ωR4C4取取 R4=104/л ? ω=100 л則則 tgδ = 106C4（（ F）） =C4（（ μF））將將 Gx=ωCx tgδ 。 C4 = G4tgδ/ω代入（代入（ 3）得：）得：Cx = R4C0/[R3 (1+tg2δ)] Cx Gx δICxIRxIUtgδ = IRx/ICx 屏蔽：屏蔽： 雜散電容：雜散電容： 高壓引線與低高壓引線與低壓臂之間會(huì)有電場的影響壓臂之間會(huì)有電場的影響，可以看作其間有雜散電，可以看作其間有雜散電容容由于低壓臂的電位很低，由于低壓臂的電位很低，Cx和和 C0的電容量很小，如的電容量很小，如C0一般只有一般只有 50～～ 100pF。所。所以雜散電容以雜散電容 Cs的引入，會(huì)的引入，會(huì)產(chǎn)生測量誤差產(chǎn)生測量誤差若附近另有高壓源，其間若附近另有高壓源，其間的雜散電容的雜散電容 Cs1會(huì)引入干擾會(huì)引入干擾電流電流 iS，也會(huì)造成測量誤，也會(huì)造成測量誤差差 所以需要屏蔽，消除雜散所以需要屏蔽，消除雜散電容的影響電容的影響西林電橋的基本回路西林電橋的基本回路 在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)：在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)： 通常測試材通常測試材料及小設(shè)備，被試品是對料及小設(shè)備，被試品是對地絕緣的地絕緣的現(xiàn)場試驗(yàn)中：現(xiàn)場試驗(yàn)中： 有許多一端有許多一端接地的試品，如敷設(shè)在地接地的試品，如敷設(shè)在地下的電纜及擺在地面的重下的電纜及擺在地面的重大電氣設(shè)備，要改成對地大電氣設(shè)備，要改成對地絕緣是不可能的，只能改絕緣是不可能的，只能改變電橋回路的接地點(diǎn)。這變電橋回路的接地點(diǎn)。這樣就產(chǎn)生了一種反接法的樣就產(chǎn)生了一種反接法的西林電橋西林電橋 反接法西林電橋的接線反接法西林電橋的接線 2）反接法的西林電橋）反接法的西林電橋3）存在外界電磁場干擾時(shí)的測量）存在外界電磁場干擾時(shí)的測量現(xiàn)場的試品：現(xiàn)場的試品： 難以實(shí)現(xiàn)屏蔽難以實(shí)現(xiàn)屏蔽，故干擾較嚴(yán)重，故干擾較嚴(yán)重兩次測量法：兩次測量法： 消除或減小外消除或減小外界電場影響的測試方法，是界電場影響的測試方法，是采用兩次測量。第一次先調(diào)采用兩次測量。第一次先調(diào)電橋到平衡，測得電橋到平衡，測得 tgδ 1和和Cx′ ，然后倒換試驗(yàn)變壓器，然后倒換試驗(yàn)變壓器原邊電源線的兩頭，即原邊電源線的兩頭，即 把試把試驗(yàn)電壓驗(yàn)電壓 U的相位轉(zhuǎn)一個(gè)的相位轉(zhuǎn)一個(gè) 180176。，然后再測得第二次的數(shù)值，然后再測得第二次的數(shù)值tgδ 2和和 Cx″ ，可用下式計(jì)算，可用下式計(jì)算得準(zhǔn)確的得準(zhǔn)確的 tgδ 和和 Cx值值 。tgδ=（（ Cx′ tgδ1+Cx″ tgδ2））/(Cx′ +Cx″ )Cx = (Cx′ +Cx″ )/2 西林電橋的基本回路西林電橋的基本回路 磁場干擾時(shí)介損的測量磁場干擾時(shí)介損的測量檢流計(jì)正反接抗磁場干擾的原理：檢流計(jì)正反