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正文內(nèi)容

51單片機各引腳及端口詳解-文庫吧

2025-07-20 22:34 本頁面


【正文】 動作。 外部ROM讀取時,在每個機器周期會動作兩次。 外部RAM讀取時,兩個PSEN脈沖被跳過不會輸出。 外接ROM時,與ROM的OE腳相接。 參見圖2—(8051擴展2KB EEPROM電路,在圖中PSEN與擴展ROM的OE腳相接)EA/VPP 訪問和序存儲器控制信號 接高電平時: CPU讀取內(nèi)部程序存儲器(ROM) 擴展外部ROM:當讀取內(nèi)部程序存儲器超過0FFFH(8051)1FFFH(8052)時自動讀取外部ROM。 接低電平時:CPU讀取外部程序存儲器(ROM)。 8751燒寫內(nèi)部EPROM時,利用此腳輸入21V的燒寫電壓。RST 復位信號:當輸入的信號連續(xù)2個機器周期以上高電平時即為有效,用以完成單片機的復位初始化操作。 XTAL1和XTAL2 外接晶振引腳。當使用芯片內(nèi)部時鐘時,此二引腳用于外接石英晶體和微調(diào)電容。當使用外部時鐘時,用于接外部時鐘脈沖信號。VCC:電源+5V輸入 VSS:GND接地。  8031各端口工作原理講解并行端口P0端口總線I/O端口,雙向,三態(tài),數(shù)據(jù)地址分時復用,該端口除用于數(shù)據(jù)的輸入/輸出外,在8031單片機外接程序存儲器時,還分時地輸出/輸入地址/指令。由Po端口輸出的信號無鎖存,輸入的信息有讀端口引腳和讀端口鎖存器之分。P0端口8位中的一位結(jié)構(gòu)圖見下圖:由上圖可見,P0端口由鎖存器、輸入緩沖器、切換開關(guān)與相應控制電路、場效應管驅(qū)動電路構(gòu)成。在輸出狀態(tài)下,當切換開關(guān)MUX向下時,從內(nèi)部總線來的數(shù)據(jù)經(jīng)鎖存器反相和場效應管T2反相,輸出到端口引腳線上。此時,場效應管T1關(guān)斷,因而這種輸出方式應為外接上拉電阻的漏極開路式。當切換開關(guān)MUX向上時,一位地址/數(shù)據(jù)信號分時地輸出到端口線上。此外,由TT2的通斷組合,形成高電平、低電平與高阻浮動三態(tài)的輸出。在輸入狀態(tài)下,從鎖存器和從引腳上讀來的信號一般是一致的,但也有例外。例如,當從內(nèi)部總線輸出低電平后,鎖存器Q=0,Q=1,場效應管T2開通,端口線呈低電平狀態(tài)。此時無論端口線上外接的信號是低電乎還是高電平,從引腳讀入單片機的信號都是低電平,因而不能正確地讀入端口引腳上的信號。又如,當從內(nèi)部總線輸出高電平后,鎖存器Q=1,Q=0,場效應管T2截止。如外接引腳信號為低電平,從引腳上讀入的信號就與從鎖存器讀入的信號不同。為此,8031單片機在對端口P0一P3的輸入操作上,有如下約定:為此,8031單片機在對端口P0一P3的輸入操作上,有如下約定:凡屬于讀修改寫方式的指令,從鎖存器讀入信號,其它指令則從端口引腳線上讀入信號。讀修改寫指令的特點是,從端口輸入(讀)信號,在單片機內(nèi)加以運算(修改)后,再輸出(寫)到該端口上。下面是幾條讀修改寫指令的例子。 這樣安排的原因在于讀修改寫指令需要得到端口原輸出的狀態(tài),修改后再輸出,讀鎖存器而不是讀引腳,可以避免因外部電路的
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