(pcb)電磁兼容設(shè)計(jì)講座-文庫吧
2025-07-20 18:00 本頁面
【正文】 合于經(jīng)常移動(dòng)的裝備 ， 以及將安裝防震墊 〔 Shock Mounts〕 的裝備 ， 間接搭接時(shí)應(yīng)特別注意共振效應(yīng) （ Resonant Effect） ,否則引入雜訊 。 ?搭接的方法 有熔接 (Welding)、 硬焊 〔 Brazing〕 、軟焊 （ Sweating ） 、 砧接 〔 Swaging〕 、 鉚接(Riveting)以及螺絲連接 。 搭接之處理 ?搭接時(shí) ， 金屬面應(yīng)予以清潔 ， 不得有油漆或其它雜物 ， 搭接完成后 ， 可涂以油漆或施以其它之防蝕保護(hù) 。 此外 ， 搭接時(shí)應(yīng)考慮不同金屬之電化效應(yīng) ， 并應(yīng)盡量減少接觸鹽水 、 汽油等 ， 以防電能作用 。 ?若電能特性相去甚遠(yuǎn)的兩金屬欲搭接在一起 ， 應(yīng)以介于其間的金屬為墊圈置于該兩金屬間 ， 金屬電化次序 ?陽極端（最易受腐蝕） ?第一類 鎂 (Mg） ； ?第二類 鋁 (AL） 或鋁合金；鋅 (Zn)。鎘 (Cd)。 ?第三類 碳鋼；鐵 (Fe)；鉛 (Pb） ；錫 (Sn） ； ?第四類 鎳 (Ni） 。鉻 (Cr） 。不銹鋼 。 ?第五類 銅 (Cu)。銀 (Ag)。金 (Au)。白金 (Pt)。鈦 (Ti)。 ?陰極端 (不易受腐蝕） 鉚接及螺紋搭接 ?鉚接 有均勻 、 省時(shí)的優(yōu)點(diǎn) ， 但其使用彈性不如以螺釘搭接 ， 且防蝕能力不如熔接 、 軟硬焊 。 鉚接時(shí)鉚孔應(yīng)與鉚釘緊密接合 ， 鉚孔邊不得有油漆 。 ?螺紋搭接 時(shí)應(yīng)注意墊圈材料的選擇及安放位置 ，通常均戴墊圈 (Load Distribution Washer)直接置于螺栓頭 （ Bolt Head） 或殼帽之下 ， 而鎖緊墊圈 （ Lock Washer） 則應(yīng)置于螺帽與均戴墊圈之間 。 此外 ， 千萬別將帶齒鎖緊墊圈置于兩搭接金屬之間 。 注意 ? 要有效地達(dá)到搭接的功能，應(yīng)使搭接的金屬緊密地連接，連接面應(yīng)均勻、干凈，其間不得有非傳導(dǎo)性之物質(zhì)。固定時(shí)應(yīng)防止變形、震動(dòng)、搖擺。應(yīng)盡量將類似金屬相搭接，不得已時(shí)可使用墊圈。應(yīng)盡量使用直接搭接，若情況不許可時(shí)得使用搭接線，惟使用搭接線時(shí)應(yīng)考慮： ? 線之長度愈短愈好 ， 電感電容比愈小愈好； ? 線之電化次序應(yīng)低于搭接物； ? 長寬比應(yīng)小于 5； ? 應(yīng)直接與搭接物相接； ? 不得使用自攻螺紋 （ SelfTapping Screw） 。 屏蔽 ?屏蔽能有效地抑制通過空間傳播的電磁干擾 。 采用屏蔽的目的有兩個(gè)：一是限制內(nèi)部的輻射電磁能越過某一區(qū)域；二是防止外來的輻射進(jìn)入某一區(qū)域 。 ?屏蔽按其機(jī)理可分為電場屏蔽 、 磁場屏蔽和電磁場屏蔽 。 電場屏蔽的機(jī)理 AB UCCCU211?? AB UCCCCU4239。139。139。???A A B B C1 C2 UA UB UA S C2 C3 C4 圖 1：電場感應(yīng)示意圖 圖 2：電場屏蔽作用的分析 39。BU電場屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn) ?為了獲得良好的電場屏蔽效果 ， 注意以下幾點(diǎn)是必要的： x 屏蔽板以靠近受保護(hù)物為好 ， 而且屏蔽板的接地必須良好 。 此舉目的是增大 C4的值； x 屏蔽板的形狀對屏蔽效能的高低有明顯影響 。 例如 ，全封閉的金屬盒可以有最好的電場屏蔽效果 ， 而開孔或帶縫隙的屏蔽盒 ， 其屏蔽效能都會(huì)受到不同程度的影響 。 此舉主要是影響剩余電容 C1′ 的 值； x 屏蔽板的材料以良導(dǎo)體為好 ， 但對厚度并無要求 ， 只要有足夠強(qiáng)度就可以了 。 磁場屏蔽的機(jī)理 ?磁場屏蔽通常是對直流或甚低頻磁場的屏蔽，其效果比對電場屏蔽和電磁場屏蔽要差得多，因此磁場屏蔽是個(gè)棘手的問題。 ?磁場屏蔽主要是依賴高導(dǎo)磁材料所具有的低磁阻，對磁通起著分路的作用，使得屏蔽體內(nèi)部的磁場大大減弱。 H1 H0 磁場屏蔽的機(jī)理 磁場屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn) ?提高磁場屏蔽效能的主要措施有： x 選用高導(dǎo)磁率的材料 ， 如坡莫合金； x 增加屏蔽體的壁厚； ?以上兩條均是為了減少屏蔽體的磁阻； x 被屏蔽的物體不要安排在緊靠屏蔽體的位置上 ， 以盡量減少通過被屏蔽物體體內(nèi)的磁通； x 注意磁屏蔽體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) ， 凡接縫 、 通風(fēng)孔等均可能增加磁屏蔽體的磁阻 ， 從而降低屏蔽效果 。 為此 ，可以讓縫隙或長條形通風(fēng)孔循著磁場方向分布 ， 這有利于屏蔽體在磁場方向的磁阻減小； 磁場屏蔽的設(shè)計(jì)要點(diǎn)（續(xù) 〕 x 對于強(qiáng)磁場的屏蔽可采用雙層磁屏蔽體的結(jié)構(gòu)。對要屏蔽外部強(qiáng)磁場的，則屏蔽體外層要選用不易磁飽和的材料，如硅鋼等；而內(nèi)部可選用容易達(dá)到飽和的高導(dǎo)磁材料，如坡莫合金等。反之，如果要屏蔽內(nèi)部強(qiáng)磁場時(shí)，則材料排列次序要倒過來。在安裝內(nèi)外兩層屏蔽體時(shí)，要注意彼此間的磁絕緣。當(dāng)沒有接地要求時(shí)，可用絕緣材料做支撐件。若需要接地時(shí)，可選用非鐵磁材料（如銅、鋁）做支撐件。但從屏蔽體能兼有防止電場感應(yīng)的目的出發(fā)，一般還是要接地的。 電磁場屏蔽的機(jī)理 ?電磁屏蔽體對電磁的衰減主要是基于電磁波的反射和電磁波的吸收兩種方式。 H1/E1 H0/E0 電磁場屏蔽的機(jī)理 電磁場屏蔽的機(jī)理（ 續(xù) 〕 ?與前面已講述的電場屏蔽及磁場屏蔽的機(jī)理不同 ， 電磁屏蔽對于電磁波的衰減有三種不同的機(jī)理： x 當(dāng)電磁波在到達(dá)屏蔽體表面時(shí) ， 由于空氣與金屬的交界面上阻抗的不連續(xù) ， 對入射波產(chǎn)生的反射 。 這種反射不要求屏蔽材料必須有一定厚度 ， 只要求交界面上的不連續(xù)； x 未被表面反射掉
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