【正文】 ：將經(jīng)氫氟酸浸泡或沖洗后的部分硅料放入酸洗槽內(nèi)進(jìn)行酸洗，硅料放入后浸泡2～3min后即酸洗完畢，主要去除硅料表面的SiO2雜質(zhì)及金屬雜質(zhì)；少量硅料由于表面酸洗不徹底需對其利用1號清洗液（由雙氧水〈33%〉、氨水〈30%〉及自來水按1:1:7的體積比進(jìn)行配比）進(jìn)行清洗處理；酸洗或清洗完畢后利用高純水進(jìn)行沖洗（共6道）以去除硅料表面殘留的酸液； ⑤超聲波清洗、高純水浸泡：將沖洗后的硅料放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行清洗，進(jìn)一步去除硅料表面附著的殘留酸液，使其表面無酸液附著；之后將清洗完畢的硅料放入高純水中浸泡5min，用以去除硅料表面痕量的酸液，直至確定無酸液附著（主要測試高純水電導(dǎo)率來確定，）；⑥甩干、烘干、包裝入庫：經(jīng)高純水浸泡后的硅料放入甩干機(jī)內(nèi)進(jìn)行甩干以去除硅料表面殘留的水分，之后送入烘箱（采用電加熱）內(nèi)進(jìn)行烘干處理對硅料進(jìn)行徹底干燥（烘干溫度為115℃，～5h不等）；經(jīng)烘干后的硅料即可包裝入庫，以便進(jìn)行后道加工。（2）硅料堿腐蝕+酸洗工藝 1） 工藝流程見圖22： 圖22 硅料堿腐蝕+酸洗生產(chǎn)工藝流程圖 2）工藝流程說明： ①硅料、分選、裝籃、浸泡腐蝕、超聲波清洗、沖洗。其工序與前述酸洗腐蝕工藝一起完成，除酸洗腐蝕外的部分硅料，采用堿腐蝕+酸洗工藝； ②腐蝕、清洗、超聲波清洗。將沖洗后的硅料放入堿腐蝕槽（1個(gè)，規(guī)格為Ф1m1m）內(nèi)進(jìn)行腐蝕，硅料放入后腐蝕時(shí)間在30s～10min不等，腐蝕溫度約80℃，主要去除硅料表面的SiO2等非金屬雜質(zhì)；另外，腐蝕槽上方設(shè)置集氣抽風(fēng)裝置，進(jìn)出料時(shí)開啟抽風(fēng)裝置，產(chǎn)生的堿霧進(jìn)入廢氣處理設(shè)施處理；腐蝕完畢后的硅料利用高純水進(jìn)行清洗（共3道），以去除硅料表面殘留的堿液；之后利用超聲波清洗進(jìn)一步去除硅料表面殘留的痕量堿液； ③酸洗、浸泡。將超聲波清洗完畢的硅料送入酸洗槽（，1個(gè)）內(nèi)進(jìn)行酸洗，硅料放入后浸泡2～3min后即酸洗完畢，進(jìn)一步去除硅料表面的SiO2雜質(zhì)及金屬雜質(zhì)；酸洗完畢后將硅料放入氫氟酸（濃度為5%）浸泡槽（1個(gè)，）內(nèi)進(jìn)行浸泡3～5min使硅料表面的金屬非金屬雜質(zhì)基本上清除完畢（運(yùn)作時(shí)間約為8h/d）； ④沖洗、超聲波清洗、高純水浸泡、甩干、烘干、包裝入庫。上述工序說明具體見前述酸洗腐蝕工藝流程說明。 （3）單晶硅生產(chǎn)工藝 1）工藝流程見圖23：圖23 單晶硅生產(chǎn)工藝流程圖 2）工藝流程說明： ①硅料。單晶硅生產(chǎn)過程中使用的硅料，均為成品（無需再進(jìn)行腐蝕、酸洗等處理；其中部分硅料由企業(yè)自身腐蝕、酸洗得到，其余均由外單位進(jìn)行腐蝕加工）即可投爐加工。 ②配比裝爐、拉晶、冷爐拆爐。即將成品硅料根據(jù)要求與相應(yīng)的母合金（主要是P、Be等元素含量多一點(diǎn)的硅片，加入量約為硅料加入量的百萬分之一）進(jìn)行混合裝入單晶爐內(nèi)拉晶（控制溫度約為1420℃，時(shí)間約為30～40h/批，每批生產(chǎn)量約為20kg/爐；拉晶過程中單晶爐內(nèi)采用液氬作為保護(hù)氣體；該過程主要是利用高溫使高純硅在單晶爐內(nèi)熔融并使原子進(jìn)行有序排列，待有序排列完畢后由單晶爐上方拉晶成柱狀硅棒）；硅棒生長完畢后對單晶爐進(jìn)行冷卻，之后將硅棒從單晶爐內(nèi)卸下，以便后道加工處理。③測試、分段。利用各類檢測設(shè)備對成規(guī)則柱狀硅棒進(jìn)行電阻率、氧、碳等成分進(jìn)行測試，經(jīng)測試合格后（測試不合格的硅棒則送單晶爐或結(jié)晶爐作回爐重新拉晶處理）送入切斷機(jī)內(nèi)進(jìn)行分段處理（一般直徑為125mm，長度以30～40cm不等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能夠順利進(jìn)入切片機(jī)內(nèi)進(jìn)行切片處理；分段過程采用自來水對設(shè)備進(jìn)行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設(shè)施。 （4）多晶硅錠生產(chǎn)工藝圖24 多晶硅鑄錠工藝流程圖多晶硅鑄錠爐采用的生長方法主要為熱交換法與布里曼法結(jié)合的方式。在加熱過程中保溫層和底部的隔熱層閉合嚴(yán)密，保證加熱時(shí)內(nèi)部熱量不會大量外泄，保證了加熱的有效性及加熱的均溫性。開始結(jié)晶時(shí)，充入保護(hù)氣，裝有熔融硅料的坩堝不動，將保溫層緩慢向上移動，坩堝底部的熱量通過保溫層與隔熱層之間的空隙發(fā)散出去，通過氣體與爐壁的熱量置換，逐漸降低坩堝底托的溫度。在此過程中，結(jié)晶好的晶體逐步離開加熱區(qū)，而熔融的硅液仍然處在加熱區(qū)內(nèi)。這樣在結(jié)晶過程中液固界面形成比較穩(wěn)定的溫度梯度，有利于晶體的生長。所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料，并能制出大型硅錠，利用各類檢測設(shè)備對成規(guī)則柱狀硅棒進(jìn)行電阻率、氧、碳等成分進(jìn)行測試，經(jīng)測試合格后（測試不合格的硅棒則送單晶爐或結(jié)晶爐作回爐重新拉晶處理）送入切斷機(jī)內(nèi)進(jìn)行分段處理（一般長度以30～40cm不等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能夠順利進(jìn)入切片機(jī)內(nèi)進(jìn)行切片處理；分段過程采用自來水對設(shè)備進(jìn)行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設(shè)施處理后循環(huán)使用。 （5）硅片切割生產(chǎn)工藝 1）工藝流程見圖25：圖25 硅片切割工藝流程圖 切片后的清洗過程包括以下步驟：硅片→自來水洗→純水洗（2道）→清洗劑清洗（3道）→純水洗（2道）→離心甩干 2）工藝流程說明： ①硅棒。去頭尾、切方，即利用切斷機(jī)對硅棒進(jìn)行去頭尾處理，之后利用切方機(jī)對其進(jìn)行切方處理使其成為規(guī)則柱狀；然后進(jìn)行分段。其頭尾切料及廢硅料回爐利用。該過程采用自來水對設(shè)備進(jìn)行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設(shè)施； ②切片。將分段的成品硅棒送入切片機(jī)內(nèi)進(jìn)行切片處理（每臺切片機(jī)需加入250kg切割液及250kgSiC粉末作為冷卻液，其在使用過程中經(jīng)設(shè)備自帶的過濾裝置過濾后循環(huán)使用、定期排放；）；切片得到的硅片厚度約為200μm； ③清洗、離心甩干。對切好的硅片須進(jìn)行清洗處理，主要包括自來水洗（時(shí)間約6min，控制溫度為30～40℃）、純水洗（2道，每道控制條件為：時(shí)間約6min，溫度為30～40℃）、清洗劑清洗（共3道，其中前兩道清洗劑濃度為5%，后道為1～2%，每道控制條件為：時(shí)間約6min，溫度為65℃）、純水洗（2道，每道控制條件為：時(shí)間約6min，溫度為30～40℃），經(jīng)清洗后的硅片送入離心機(jī)內(nèi)進(jìn)行甩干處理以去除硅片表面殘留的少量水分；④檢測、包裝。對成品硅片進(jìn)行檢測（主要對其電阻率、氧、碳等成分及外觀），經(jīng)檢測合格后即可包裝出廠。 （6）研磨硅片生產(chǎn)工藝 1）工藝流程見圖26：圖26 研磨硅片生產(chǎn)工藝流程圖 2）工藝流程說明：將硅片依次放入硅片研磨機(jī)內(nèi)（每次加工量為15片，該過程需加入磨液避免硅片在研磨過程中發(fā)生破裂并達(dá)到相應(yīng)的研磨效果〈主要為硅片厚度及表面亮度〉）；之后將研磨完畢的硅片放入超聲波清洗機(jī)內(nèi)進(jìn)行清洗（共3道，采用高純水，每道時(shí)間約6min，控制溫度為30～40℃）；清洗完畢后在自然條件下風(fēng)干即為成品，經(jīng)包裝后即可出廠。（7）生產(chǎn)總流程圖圖27 項(xiàng)目總體生產(chǎn)工藝流程圖總平面布置：根據(jù)xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司的要求，規(guī)劃設(shè)計(jì)將廠區(qū)分為二個(gè)區(qū)域，即生產(chǎn)區(qū)，生活區(qū)。根據(jù)廠區(qū)在xxxxxx縣工業(yè)園區(qū)的位置情況及地形條件，廠區(qū)各功能區(qū)域的要求，規(guī)劃設(shè)計(jì)將生產(chǎn)區(qū)布置在廠區(qū)北面，生活區(qū)布置在廠區(qū)西南面。（1）生產(chǎn)區(qū)規(guī)劃在廠區(qū)北面， 。主要設(shè)有拉晶（鑄錠）車間、切片車間、碾磨清洗車間、原料倉庫、五金倉庫、成品倉庫、污水處理場等建筑物。廠房內(nèi)需配有通風(fēng)、恒溫恒濕及吸塵等設(shè)備，以滿足潔凈車間的需要。主廠房呈長方形東西向布置。廠房內(nèi)擬放置單晶爐，鑄錠爐，切片機(jī)，切方機(jī)，硅片線切割機(jī)，滾圓機(jī)，清洗機(jī)及生產(chǎn)配套設(shè)備。① 拉晶（鑄錠）車間采用鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，共五個(gè)車間，平行設(shè)置在廠區(qū)東部，每個(gè)車間東西方向長108米，南北方向?qū)?0米，內(nèi)設(shè)行車，椽高≧8米，五個(gè)車間的總建筑面積為43200m2，車間生產(chǎn)火災(zāi)類別為丁戊類，耐火等級為二級。②切片車間采用鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，共五個(gè)車間，平行設(shè)置在廠區(qū)東部，與拉晶車間相鄰并排，每個(gè)車間東西方向長108米，南北方向?qū)?0米，內(nèi)設(shè)行車，椽高≧8米，五個(gè)車間的總建筑面積為43200m2，車間生產(chǎn)火災(zāi)類別為丁戊類，耐火等級為二級。③碾磨清洗檢驗(yàn)車間采用鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，共四個(gè)車間，平行設(shè)置并與切片車間平行，其中，從北往南數(shù)第一個(gè)車間，東西方向長60米，南北方向?qū)?0米，內(nèi)設(shè)行車，椽高≧8米；后三個(gè)車間形狀大小與切片車間相同，每個(gè)車間東西方向長108米，南北方向?qū)?0米，內(nèi)設(shè)行車，椽高≧8米，四個(gè)車間的總建筑面積為30720m2，車間因使用酸堿等腐蝕類化學(xué)試劑，故需做防腐處理。車間生產(chǎn)火災(zāi)類別為丁戊類，耐火等級為二級。④原材料倉庫土建參數(shù)為40108m，共兩個(gè)車間，采用鋼筋混凝土框架型式，位于廠區(qū)西北面，兩個(gè)車間的總建筑面積為8640m2，生產(chǎn)火災(zāi)類別為丁戊類，耐火等級為二級。⑤成品倉庫土建參數(shù)為40108m，采用鋼筋混凝土框架型式，位于生產(chǎn)區(qū)的西南面，共兩個(gè)車間，總建筑面積為8640m2，生產(chǎn)火災(zāi)類別為丁戊類，耐火等級為二級。⑤五金倉庫土建參數(shù)為40108m，采用鋼筋混凝土框架型式，位于生產(chǎn)區(qū)的南面，共兩個(gè)車間，總建筑面積為8640m2，生產(chǎn)火災(zāi)類別為丁戊類，耐火等級為二級。（2）生活區(qū)布置在廠區(qū)南面，生活區(qū)內(nèi)規(guī)劃辦公樓、科技中心、食堂宿舍等建筑及其它附屬房，有運(yùn)動場和一片綠地。①科技中心樓：高四層，以簡潔的外露結(jié)構(gòu)梁柱為主，面積3168 m2，采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，樓、屋面采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板式結(jié)構(gòu)，樓梯采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板式樓梯。外墻及內(nèi)隔墻采用砌體墻。②辦公樓建筑面積1692m2，采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構(gòu)，樓、屋面采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板式結(jié)構(gòu)，樓梯采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板式樓梯，外墻及內(nèi)隔墻采用砌體墻。本項(xiàng)目總占地面積168795平方米（250畝），%， m2，%，污水池面積632 m2， m2，綠地面積33700 m2，詳見平面規(guī)劃圖。主要經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)：本項(xiàng)目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)見表21：表21 主要數(shù)據(jù)及技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號項(xiàng) 目 名 稱單 位數(shù) 量備 注一生產(chǎn)規(guī)模1單晶硅棒噸/年10006″2單晶硅切片萬片/年6600125125太陽能級3多晶硅錠噸/年8338″4多晶硅片萬片/年3700156156太陽能級二產(chǎn)品方案1單晶硅棒噸/年10006″2單晶硅切片萬片/年6600125125太陽能級3多晶硅錠噸/年8338″4多晶硅片萬片/年3700156156太陽能級三年工作時(shí)間h7600四主要原材料用量1多晶硅料t/a2液氬m3/a60003鑄錠輔助材料萬元/a10000420″石英坩堝只/a25000520″石墨加熱器套/a5006卷/a215207線切割液t/a43048線切割專用砂t/a43049其它輔助材料萬元/a300010包裝萬元/a1500五供 水最大用水量萬m3／a六供電年耗電量萬kw﹒h七項(xiàng)目定員人6001生產(chǎn)工人人5162管理技術(shù)人員人84八總占地面積㎡168795250畝1廠區(qū)占地面積㎡1687952全廠建筑占地面積㎡九項(xiàng)目綜合能耗1單位產(chǎn)品能耗tce/t產(chǎn)品2項(xiàng)目總能耗萬tce/a十工程項(xiàng)目總投資萬元1建設(shè)投資萬元2建設(shè)期利息萬元25923鋪底流動資金萬元十一年均銷售收入萬元十二年均總成本萬元十三年均經(jīng)營成本萬元十四年均利潤總額萬元年均稅金