【正文】 量結(jié)果。利用這種方法必須去除熒光板、光學(xué)組件和底部填充劑, 直接確定芯片內(nèi)的溫度分布情況。因此, 原則上我們必須關(guān)注 Tj 在去除硅樹脂后可能出現(xiàn)的變化。對(duì)熱傳導(dǎo)過程的計(jì)算證實(shí)幾乎所有的熱量是通過金質(zhì)凸點(diǎn)而非硅樹脂來傳導(dǎo)的。這說明 Tj 的測量與是否去除了硅樹脂無關(guān)。Rθ = ℃/W。其數(shù)值與由常規(guī)測量方法獲得的數(shù)值相同。我們利用這兩種方法測得的熱阻值完全一致。因此, 我們證實(shí)用兩種方法測得的數(shù)據(jù)可靠、準(zhǔn)確。再利用熱像儀分別對(duì)1塊芯片和5塊芯片進(jìn)行測量, 。在計(jì)算中, 我們定義熱阻為5塊LED芯片平均溫度的平均值。通過熱像儀所測得的此數(shù)值為 ℃/W。因此, 我們假定其熱阻為 100 ℃/W。恒溫箱 ( 1 ) ( WG 243 型電熱鼓風(fēng)干燥箱)被用來控制 LED 的環(huán)境溫度,誤差小于 1 ℃。LED支架可以方便的固定LED ( 2 ) 以及測量電路和熱電阻 ( 3 ) ( Pt100標(biāo)準(zhǔn)熱電阻) 。熱電阻被焊接在LED的陽極管腳上, 它的電阻值由萬用 ( 4 ) ( VC 9802 A )來測量。電源 ( 5 ) ( SS P3112 光譜儀的穩(wěn)流電源 ) 給 LED提供恒定直流。另一只萬用表 ( 6 )( VC 9802 A ) 用來測量LED 的正向電壓。 LED 發(fā)出的光通過透鏡 ( 7 ) 匯聚后,透過恒溫箱的玻璃窗口 ( 8 ) ,進(jìn)入光譜儀 ( 9 ) ( SSP 3112 光譜儀 )的積分球。在恒定電流 ( 20 mA ) 改變環(huán)境溫度 ( 35 ～ 100 ℃ ) 測量的情況下,可以測得初始電壓與初始結(jié)溫符合很強(qiáng)的線性關(guān)系。所以可以通過測量正向電壓確定結(jié)溫:Tj = T0 +（Vt V0）/K其中T0 是作為參考的環(huán)境溫度, V0 是在T0 下的初始電壓。 Tj 和Vt 分別是穩(wěn)定時(shí)的電壓。整個(gè)測量過程中,電流要保持恒定。系數(shù)K可以通過測量兩組不同的參考溫度和電壓得到K = (V1 V0 ) / ( T1 T0 ) ,也可以通過測量多組參考溫度和電壓作線性擬合得到。選擇靠近擬合直線的測量點(diǎn)(95. 0 ℃, 3. 805 V)作為參考點(diǎn),實(shí)驗(yàn)中LED通電后穩(wěn)定時(shí)的結(jié)溫可以由下面的公式來確定: 測量結(jié)溫的裝置Tj = [ (Vj ) ] ℃ 光通量的有積分球法和變角光度計(jì)法兩種方法。變角光度計(jì)法是測試光通量最精確地的方法，但是由于其耗時(shí)較長，所以一般采用積分球法測試光通量。用積分球法測LED光通量時(shí)有兩種測試結(jié)構(gòu)：一種是將被測 LED 放在球心；另外一種是將其放在球壁。 積分球法測LED光通量積分球的基本工作原理：光線由輸入孔入射后，光線在球內(nèi)部被均勻的反射及漫射，在球面上形成均勻的光強(qiáng)分布，因此輸出孔所得到的光線為非常均勻的漫射光束。而且入射光之入射角度、空間分布、以及極性都不會(huì)對(duì)輸出的光束強(qiáng)度和均勻度造成影響。同時(shí)因?yàn)楣饩€經(jīng)過積分球內(nèi)部的均勻分布后才射出，因此積分球也可當(dāng)作一個(gè)光強(qiáng)衰減器，輸出強(qiáng)度與輸入強(qiáng)度比大約約為：光輸出孔面積/積分球內(nèi)部的表面積。 串口電路原理圖 過零觸發(fā)電路設(shè)計(jì) 過零觸發(fā)電路設(shè)計(jì) LED燈常用電路參數(shù)1．正向工作電流IF。由于正向工作電壓的變化不大，所以正向工作電流變化時(shí)，一方面會(huì)引起耗散功率的變化，另一方面會(huì)引起我們最關(guān)心的發(fā)光強(qiáng)度的變化。因此，可以通過正向工作電流說明LED的發(fā)光強(qiáng)度，或者就把它作為發(fā)光強(qiáng)度的一種間接表示。正常的IF一般不超過IFM的60％。2．正向工作電壓UF。一般指在一定的正向工作電流條件下的正向壓降。UF隨IF的變化而稍有變化，并且隨溫度的上升UF有所下降。UF值視LED所用半導(dǎo)體材料的不同而不同，一般在1．43V之間。3．反向漏電流IR。反向漏電流是處于反偏置時(shí)的漏電流。4．PN結(jié)電容CJ 。實(shí)際上它是PN結(jié)電容與管殼、引腳電容之和。結(jié)電容對(duì)于LED在高頻下工作有較大的影響。5．導(dǎo)通時(shí)間ton。當(dāng)LED在脈沖電流驅(qū)動(dòng)下工作時(shí)，在脈沖的上升沿從受激輻射開始達(dá)到發(fā)光強(qiáng)度穩(wěn)定值的90％為止所需要的時(shí)間。6．截止時(shí)間t ct。當(dāng)LED在脈沖電流驅(qū)動(dòng)下工作時(shí)，在脈沖的下降沿從受激輻射結(jié)束到發(fā)光強(qiáng)度下降至穩(wěn)定值的10％為止所需要的時(shí)間。1．IU特性是表征LED芯片PN結(jié)性能的主要參數(shù)。LED的，IU特性具有非線性和單向?qū)щ娦裕赐饧诱珘罕憩F(xiàn)為低電阻，反之為高電阻。 IU特性曲線正向死區(qū)：a點(diǎn)電壓值U0為開啟電壓，當(dāng)UU。時(shí)，外加電場尚未克服少數(shù)載流子擴(kuò)散而形成勢壘電場，此時(shí)電阻R很大；對(duì)于不同LED，開啟電壓不同。 正向工作區(qū)：工作電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系： (31)式中為反向飽和電流。在U0，且UUF的正向工作區(qū)，IF近似隨UF指數(shù)上升： (32)是指LED正常發(fā)光時(shí)的正向電流值， (為最大正向工作電流)以下。正向工作電壓是在給定正向電
流下得到的，一般是在=20mA時(shí)測得的?！?V。在環(huán)境溫度升高時(shí)，將下降。由于LED的主要功能是發(fā)光，因此正向特性十分重要，而反向特性意義不大，所以LED的伏安特性一般就是指它的正向特性。LED的伏安特性與一般二極管基本相似，只是開始導(dǎo)通的正向電壓比較大，—，視不同的半導(dǎo)體材料而定。 LED正向伏安特性曲線從LED的伏安特性曲線及模型看，LED在正向?qū)ê笃湔螂妷旱募?xì)小變動(dòng)將引起電流的很大變化，而且環(huán)境溫度、老化時(shí)間等因素也將影響LED的電氣性能。因?yàn)長ED的光輸出與LED電流相關(guān)，所以在LED應(yīng)用中應(yīng)控制輸入電壓和環(huán)境溫度等因素的變化，否則LED的光輸出將隨輸入電壓和環(huán)境溫度等因素的變化而變化。若LED電流失控，則LED長期工作在大電流下將影響其可靠性和壽命，甚至造成LED失效。反向死區(qū)：U0時(shí)，PN結(jié)加反向偏壓；U=UR時(shí)，反向漏電流為IR，U=5V時(shí)，GaP為0V，GaN為10。反向擊穿區(qū)：UUR， UR稱為反向擊穿電壓；與UR對(duì)應(yīng)的電流IR為反向漏電流。當(dāng)反向偏壓增加到使UUR時(shí)IR將突然增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。由于所用化合物材料種類不同，各種LED的UR也不同。2．CU特性,LED的芯片有9mil9mil(228m228m)、10mil10mil(254m254m)、11mil1lmil(280m280m)、12mil12 mil (300m300m)幾種規(guī)格，故PN結(jié)的面積大小不一，使其結(jié)電容(零偏壓)C≈n+pF。C—U特性呈二次函數(shù)關(guān)系。曲線是由1MHz交流信號(hào)用C—U特性測試儀測得。 LED的CU特性曲線允許功耗P：假設(shè)流過LED的電流為IF，管壓降為UF，則功率消耗為P=UFIF。當(dāng)LED工作時(shí)，若外加偏壓、偏流一定，則會(huì)促使PN結(jié)內(nèi)的部分載流子復(fù)合發(fā)光，還有一部分變?yōu)闊崮埽菇Y(jié)溫升高。若結(jié)溫為Tj外部環(huán)境溫度為Ta則當(dāng)TjTa時(shí)，內(nèi)部熱量借助管座向外傳熱，散逸熱量(功率)可表示為 P=KT(Tj—Ta) (33)響應(yīng)時(shí)間：LED的響應(yīng)時(shí)間是標(biāo)志反應(yīng)速度的一個(gè)重要參數(shù)，尤其是在脈沖驅(qū)動(dòng)或電壓調(diào)制時(shí)顯得非常重要。響應(yīng)時(shí)間是指輸入正向電流后LED開始發(fā)光(上升)和熄滅(下降)的時(shí)間。響應(yīng)時(shí)間用于表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢。LED的上升時(shí)間隨著電流的增大近似地按指數(shù)規(guī)律衰減。直接躍遷的材料(如GaAs_x Px)的響應(yīng)時(shí)間僅為幾納秒，而間接躍遷材料(如GaP、的響應(yīng)時(shí)間則是100ns。在實(shí)際應(yīng)用中，常常會(huì)設(shè)計(jì)到電參數(shù)的測量。LED電參數(shù)的測量，與一般二極管的測量方法相同，在規(guī)定測試條件下，采用電壓表一電流表的方法即可。只是在反向特性測試時(shí)，應(yīng)該特別注意，反向電壓不允許加大到擊穿值。在LED顯示屏規(guī)模較大時(shí)，使用晶體管顯示儀進(jìn)行測量更為方便。 ADM3251EADM3251E是ADI（Analogdevice,inc）公司推出基于其專利iCoupler和isoPower磁隔離技術(shù)的RS232隔離器。ADM3251E內(nèi)部集成了隔離電源DCDC轉(zhuǎn)換器，兩個(gè)隔離通道以及一路RS232收發(fā)器。Rin和Tout