atomicspectrometry-文庫吧
2025-06-30 17:46 本頁面
【正文】 效應(yīng) ∴ Iem ? C (但不會無限制增加 ) 一團(tuán)原子 hν Detector 原子 conc. ↑,高度 ↑ ∴ 最後高度增加慢而變寬 emission A/b nif/b cm2s a) AES b) AAS 吸收效應(yīng)小 ( ) 濃度高時(shí) (a = ) atom cell (∵ 在高溫狀態(tài) ∴ 較寬 ) 強(qiáng)度減弱大 Line source λ I line continuous I/I0 I ′ /I0′ Spectrometer之解析度 12 nm ∴ 原子吸收光譜要用 line source,不用 continuous source log ni log aL 0 Slope = 1 log ni log aL 0 Slope = 1 Slope = 0 Slope = 1/2 原子吸收光譜 原子發(fā)射光譜 希望原子吸收光譜在 ground state (T太高會在激發(fā)態(tài)而強(qiáng)度減弱 ) atomizer Flame 火焰 Furnace 石墨 Sample放入之方法： 噴霧器 超音波 石墨爐 (才能做固體 sample) 2600 ℃ 雷射 Spark (電弧 ) (才能做固體 ) 火焰： 1700 3150 ℃ 難度：標(biāo)準(zhǔn)品？ 26003000176。K 要了解量的是原子 (Ag)n solution (Pb)n PbX (Au)n Aerosol transport Nebulization Sample spray Precesed spray desolvation vaporization A 霧化器 Sample溶液狀態(tài)為分子狀態(tài) 火焰會看到分子光譜 (∵ 分子光譜是continuous) Excited state vapor hν hν hν * * * Equilibration of vaporized species Molecular vapor Atomic vapor Ionized atomic vapor + e 水珠 nebulization M+X(aq) vaporization MX M + X M+ + e Ar + e → Ar+ + e2 電子去撞擊 Ar,帶 Ar+去撞擊金屬 ,產(chǎn)生游離 M(s) → M(g)* → hν + M(s) Hollow cathode lamp 內(nèi)放 15 torr的 Ne或 Ar Emission原子發(fā)光 Ar+ EDL： electroless discharge lamp for volatile element As, Se, Fe, Ge, Hg 乃加高溫激發(fā)到激發(fā)態(tài) ,然後產(chǎn)生 emission MX r. f. (radical frequency) 有些金屬在低溫時(shí)即會揮發(fā) , ∴ 用 EDL因此把鹽類放在球裏面 ,產(chǎn)生 radicla frequency,用 source加溫激發(fā) (∵ 鹽類易吸收 radical frequency,可耐久 ) Atom cell： continuous： flame, plasma noncontinuous： flame, plasma Hollow Cathode Lamp ? Phy. int. viscosity, surface tension, Temp. ? Chem. int. continuous band, blackbody emission ? Spectral int. 分子寬光譜之干擾 (∵ 分子會吸收 OH, CN, CO) 影響定量之物理干擾 (乃 sample之物理狀態(tài) )及化學(xué)干擾和光譜干擾 ,才能做校正曲線用 interferences 火焰最常偵測到此二情況 (Pb)n, Pb2+ 有機(jī)相中之 Pb加 HNO3變水溶液 NNO3 配一 standard solution於 AA量訊號得校正曲線 Signal Conc. y = mx + b Ex. (Pd)n 球 Xylene 150 ppm 水 241 ppm 六角 Xylene 225 ppm 水 441 ppm accuracy? Standard (H2O) 乃 standard是在純水中
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