單晶爐溫度控制系統(tǒng)-文庫吧
2025-06-22 13:04 本頁面
【正文】 ......................................2 設(shè)計(jì)的任務(wù) ....................................................2 設(shè)計(jì)的要求 ....................................................2 課程設(shè)計(jì)的方案 ................................................2第 3 章 硬件設(shè)計(jì) ............................................4 硬件電路設(shè)計(jì)及元件選擇 ........................................4 AD 轉(zhuǎn)換器 ...................................................4 DA 轉(zhuǎn)換器 ...................................................5 控制器 .....................................................6 溫度傳感器 .................................................7 溫度控制系統(tǒng) ...............................................7 鍵盤模塊 ...................................................8 LED 顯示模塊 ................................................8第 4 章 軟件設(shè)計(jì) ............................................9 程序流程圖 ....................................................9 主程序流程圖 ................................................9 程序 ..........................................................9 最小拍算法控制的設(shè)計(jì) .........................................12第 5 章 MTLAB 仿真 ..........................................14第 6 章 課程設(shè)計(jì)總結(jié) .......................................16參考文獻(xiàn) ..................................................17本科生課程設(shè)計(jì)（論文）6第 1 章 緒論20 世紀(jì)末，電子技術(shù)獲得了飛速的發(fā)展，在其推動下，現(xiàn)代電子產(chǎn)品幾乎滲透了社會的各個(gè)領(lǐng)域，有力地推動了社會生產(chǎn)力的發(fā)展和社會信息化程度的提高，同時(shí)也使現(xiàn)代電子產(chǎn)品性能進(jìn)一步提高，產(chǎn)品跟新?lián)Q代的節(jié)奏也越來越快。直拉式單晶爐是以直拉法從熔化的多晶硅熔液中生長硅單晶的電子專用設(shè)備。而等徑控制是單晶爐自動控制的核心。單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉(zhuǎn)速、坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速、保護(hù)氣體的流速與溫度等因素的影響。在忽略一些干擾因素影響情況下，單晶等徑生長主要受溫度和拉速影響。因此，爐內(nèi)熱場和生長速度的精確控制是單晶等徑控制的重點(diǎn)，由于這種控制系統(tǒng)是一個(gè)緩慢時(shí)變，并且具干擾嚴(yán)重的非最小相位系統(tǒng)，用一般常規(guī)儀表控制手段來實(shí)現(xiàn)自動控徑極為困難。本文從硬件和軟件設(shè)計(jì)方面介紹了以 80CI96 單片機(jī)作為核心部件的單晶爐等徑生長控制系統(tǒng)，此系統(tǒng)有效地實(shí)現(xiàn)了單晶爐的等徑控制。本科生課程設(shè)計(jì)（論文）7第 2 章 單晶爐溫度控制的設(shè)計(jì)方案 概述單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉(zhuǎn)速、坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速、保護(hù)氣體的流速與溫度等因素的影響。在忽略一些干擾因素影響情況下，單晶等徑生長主要受溫度和拉速影響。因此，爐內(nèi)熱場和生長速度的精確控制是單晶等徑控制的重點(diǎn)，由于這種控制系統(tǒng)是一個(gè)緩慢時(shí)變，并且具干擾嚴(yán)重的非最小相位系統(tǒng)，用一般常規(guī)儀表控制手段來實(shí)現(xiàn)自動控徑極為困難。 設(shè)計(jì)的任務(wù)單晶硅生產(chǎn)過程中，硅片的直徑大小和晶體生長過程的自動化程度，對生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量有很大的影響。設(shè)計(jì)單晶爐溫度控制系統(tǒng)，根據(jù)長晶各個(gè)階段爐內(nèi)熱場分布控制溫度變化，控溫精度達(dá)到預(yù)期要求，
電大資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1