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正文內(nèi)容

51單片機(jī)電子密碼鎖-文庫吧

2025-06-14 07:17 本頁面


【正文】 設(shè)計(jì)為了防止密碼被竊取要求在輸入密碼時(shí)在LCD屏幕上顯示*號。(2)設(shè)計(jì)開鎖密碼位六位密碼的電子密碼鎖。(3)能夠LCD顯示在密碼正確時(shí)顯示PASSWORD OK,密碼錯(cuò)誤時(shí)顯示PASSWORD ERROR,輸入密碼時(shí)顯示INPUT PASSWORD。(4)實(shí)現(xiàn)輸入密碼錯(cuò)誤超過限定的三次電子密碼鎖定。(5)44的矩陣鍵盤其中包括09的數(shù)字鍵和AF的功能鍵(6)本產(chǎn)品具備報(bào)警功能,當(dāng)輸入密碼錯(cuò)誤時(shí)蜂鳴器響并且LED燈亮。(7)密碼可以由用戶自己修改設(shè)定(只支持6位密碼),修改密碼之前必須再次輸入密碼,在輸入新密碼時(shí)候需要二次確認(rèn),以防止誤操作 。數(shù)碼管及LED燈顯示單片機(jī)時(shí)鐘電路單片機(jī)AT89C51密碼輸入設(shè)備開鎖機(jī)構(gòu)圖21系統(tǒng)總設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)圖 本設(shè)計(jì)由主控芯片51單片機(jī),單片機(jī)時(shí)鐘電路,鍵盤,和開鎖電路組成。單片負(fù)責(zé)控制整個(gè)系統(tǒng)的執(zhí)行過程。 用戶通過LCD提示信息,用鍵盤輸入正確密碼,從而達(dá)到開鎖的目的。當(dāng)用戶輸入的密碼正確并且是在按下確定鍵的話,單片機(jī)便輸出開門信號,送到開鎖驅(qū)動 電路,然后驅(qū)動電磁鎖,達(dá)到開門的目的。電路驅(qū)動和開鎖兩級組成。由DRT10組成驅(qū)動電路,其中T10可以選擇普通的小功率三極管如9019018都可以滿足要求。D5作為開鎖的提示;由DC2T11組成。其中DC24是為了消除電磁鎖可能產(chǎn)生的反向高電壓以及可能產(chǎn)生的電磁干擾。T11可選用中功率的三極管如8050,電磁鎖的選用要視情況而定,但是吸合力要足夠且由一定的余量。 在本次設(shè)計(jì)中,基于節(jié)省材料的原則,暫時(shí)用發(fā)光二極管代替電磁鎖,發(fā)光管亮,表示開鎖;滅,表示沒有開鎖。 密碼鎖開鎖機(jī)構(gòu)電路圖AT89C51是一種帶4K字節(jié)閃爍可編程可擦除只讀存儲器(FPEROM—Falsh Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓,高性能CMOS8位微處理器,俗稱單片機(jī)。單片機(jī)的可擦除只讀存儲器可以反復(fù)擦除100次。該器件采用ATMEL高密度非易失存儲器制造技術(shù)制造,與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的MCS51指令集和輸出管腳相兼容。由于將多功能8位CPU和閃爍存儲器組合在單個(gè)芯片中,ATMEL的AT89C51是一種高效微控制器。主要特性: 與MCS51 兼容 4K字節(jié)可編程閃爍存儲器 壽命:1000寫/擦循環(huán) 數(shù)據(jù)保留時(shí)間:10年 全靜態(tài)工作:0Hz24MHz 三級程序存儲器鎖定 1288位內(nèi)部RAM 32可編程I/O線 兩個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器 5個(gè)中斷源 可編程串行通道 低功耗的閑置和掉電模式 片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路管腳說明: VCC:供電電壓。 GND:接地。 P0口:P0口為一個(gè)8位漏級開路雙向I/O口,每腳可吸收8TTL門電流。當(dāng)P1口的管腳第一次寫1時(shí),被定義為高阻輸入。P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器,它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的第八位。P1口:P1口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口,P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。P1口管腳寫入1后,被內(nèi)部上拉為高,可用作輸入,P1口被外部下拉為低電平時(shí),將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P2口:P2口為一個(gè)內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口,P2口緩沖器可接收,輸出4個(gè)TTL門電流,當(dāng)P2口被寫“1”時(shí),其管腳被內(nèi)部上拉電阻拉高,且作為輸入。并因此作為輸入時(shí),P2口的管腳被外部拉低,將輸出電流。這是由于內(nèi)部上拉的緣故。P2口當(dāng)用于外部程序存儲器或16位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行存取時(shí),P2口輸出地址的高八位。在給出地址“1”時(shí),它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢,當(dāng)對外部八位地址數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行讀寫時(shí),P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。 P3口:P3口管腳是8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向I/O口,可接收輸出4個(gè)TTL門電流。當(dāng)P3口寫入“1”后,它們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。作為輸入,由于外部下拉為低電平,P3口將輸出電流(ILL)這是由于上拉的緣故。 P3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口,如下表所示: RXD(串行輸入口) TXD(串行輸出口) /INT0(外部中斷0) /INT1(外部中斷1) T0(記時(shí)器0外部輸入) T1(記時(shí)器1外部輸入) /WR(外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通) /RD(外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通) P3口同時(shí)為閃爍編程和編程校驗(yàn)接收一些控制信號。 RST:復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí),要保持RST腳兩個(gè)機(jī)器周期的高電平時(shí)間。 ALE/PROG:當(dāng)訪問外部存儲器時(shí),地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的地位字節(jié)。在FLASH編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖。在平時(shí),ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號,此頻率為振蕩器頻率的1/6。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。然而要注意的是:每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí),將跳過一個(gè)ALE脈沖。另外,該引腳被略微拉高。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止,置位無效。 /PSEN:外部程序存儲器的選通信號。在由外部程序存儲器取指期間,每個(gè)機(jī)器周期兩次/PSEN有效。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí),這兩次有效的/PSEN信號將不出現(xiàn)。 /EA/VPP:當(dāng)/EA保持低電平時(shí),則在此期間外部程序存儲器(0000HFFFFH),不管是否有內(nèi)部程序存儲器。注意加密方式1時(shí),/EA將內(nèi)部鎖定為RESET;當(dāng)/EA端保持高電平時(shí),此間內(nèi)部程序存儲器。 XTAL1:反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。 XTAL2:來自反向振蕩器的輸出。圖23 AT89C51芯片圖3系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)本設(shè)計(jì)就采用行列式鍵盤,同時(shí)也能減少鍵盤與單片機(jī)接口時(shí)所占用的I/O線的數(shù)目,在按鍵比較多的時(shí)候,通常采用這樣方法。 每一條水平(行線)與垂直線(列線)的交叉處不相通,而是通過一個(gè)按鍵來連通,利用這種行列式矩陣結(jié)構(gòu)只需要N條行線和M條列線,即可組成具有NM個(gè)按鍵的鍵盤。 在這種行列式矩陣鍵盤非鍵盤編碼的單片機(jī)系統(tǒng)中,鍵盤處理程序首先執(zhí)行等待按鍵并確認(rèn)有無按鍵按下的程序段。 44矩陣鍵盤的工作原理 在鍵盤中按鍵數(shù)量較多時(shí),為了減少I/O口的占用,通常將按鍵排列成矩陣形式,如圖5所示。在矩陣式鍵盤中,每條水平線和垂直線在交叉處不直接連通,而是通過一個(gè)按鍵加以連接。這樣,一個(gè)端口(如P1口)就可以構(gòu)成4*4=16個(gè)按鍵,比之直接將端口線用于鍵盤多出了一倍,而且線數(shù)越多,區(qū)別越明顯,比如再多加一條線就可以構(gòu)成20鍵的鍵盤,而直接用端口線則只能多出一鍵(9鍵)。由此可見,在需要的鍵數(shù)比較多時(shí),采用矩陣法來做鍵盤是合理的。掃描原理 把每個(gè)鍵都分成水平和垂直的兩端接入,比如說掃描碼是從垂直的入,那就代表那一行所接收到
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