【正文】 PPP3口，每個口有8位(8根引腳)，共32根。PO口(Pin39～Pin32)：～。P0口是一個8位漏極開路的雙向I/O口。作為輸出口，每位能驅(qū)動8個TTL邏輯電平（晶體管晶體管邏輯電平）。P1口(Pin1～Pin8)：～。P1 口是一個具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口，p1 輸出緩沖器能驅(qū)動4 個 TTL 邏輯電平。對P1 端口寫“1”時，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時可以作為輸入口使用。作為輸入使用時，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（IIL）。此外，（）和時器/計數(shù)器2 的觸發(fā)輸入（），具體如下所示。 在flash編程和校驗時，P1口接收低8位地址字節(jié)。P1引腳第二功能　　 ：T2（定時器/計數(shù)器T2的外部計數(shù)輸入），時鐘輸出　　 ：T2EX（定時器/計數(shù)器T2的捕捉/重載觸發(fā)信號和方向控制）　?。?MOSI（在線系統(tǒng)編程時用到）　　 ：MISO（在線系統(tǒng)編程時用到）　　 ：SCK（在線系統(tǒng)編程時用到）P2口(Pin21～Pin28)：～。P2 口是一個具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口，P2 輸出緩沖器能驅(qū)動4 個 TTL 邏輯電平。對P2 端口寫“1”時，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時可以作為輸入口使用。作為輸入使用時，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（IIL）。在訪問外部程序存儲器或用16位地址讀取外部數(shù)據(jù)存儲器（例如執(zhí)行MOVX @DPTR）時，P2 口送出高八位地址。在這種應(yīng)用中，P2 口使用很強的內(nèi)部上拉發(fā)送1。在使用 8位地址（如MOVX @RI）訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時，P2口輸出P2鎖存器的內(nèi)容。在flash編程和校驗時，P2口也接收高8位地址字節(jié)和一些控制信號。P3口(Pin10～Pin17)：8位準(zhǔn)雙向I/O口線，～。P3 口是一個具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口，p2 輸出緩沖器能驅(qū)動4 個 TTL 邏輯電平。對P3 端口寫“1”時，內(nèi)部上拉電阻把端口拉高，此時可以作為輸入口使用。作為輸入使用時，被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因，將輸出電流（IIL）。 P3口亦作為STC89C52特殊功能（第二功能）使用，如下表所示。在flash編程和校驗時，P3口也接收一些控制信號。端口引腳 第二功能　　 RXD(串行輸入口)　　 TXD(串行輸出口)　　 INTO(外中斷0)　　 INT1(外中斷1)　　 TO(定時/計數(shù)器0)　　 T1(定時/計數(shù)器1)　　 WR(外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通) RD(外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通)此外，P3口還接收一些用于FLASH閃存編程和程序校驗的控制信號。RST——復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時，RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將是單片機復(fù)位。ALE/PROG——當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時，ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。一般情況下，ALE仍以時鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的脈沖信號，因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE脈沖。對FLASH存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（PROG）。如有必要，可通過對特殊功能寄存器（SFR）區(qū)中的8EH單元的D0位置位，可禁止ALE操作。該位置位后，只有一條MOVX和MOVC指令才能將ALE激活。此外，該引腳會被微弱拉高，單片機執(zhí)行外部程序時，應(yīng)設(shè)置ALE禁止位無效。PSEN——程序儲存允許（PSEN）輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當(dāng)STC89C52由外部程序存儲器取指令（或數(shù)據(jù)）時，每個機器周期兩次PSEN有效，即輸出兩個脈沖，在此期間，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，將跳過兩次PSEN信號。EA/VPP——外部訪問允許，欲使CPU僅訪問外部程序存儲器（地址為0000HFFFFH），EA端必須保持低電平（接地）。需注意的是：如果加密位LB1被編程，復(fù)位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平（接Vcc端），CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器的指令。FLASH存儲器編程時，該引腳加上+12V的編程允許電源Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓Vpp。 實時時鐘芯片DS12887 （一）DS12887功能特點[9] [10]DS12887是美國達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司推出的時鐘芯片，此芯片是基于CMOS技術(shù)的，把時鐘芯片所需的晶振和外部鋰電池相關(guān)電路集于芯片內(nèi)部，這無疑大大簡化了外圍電路，同時它與目前IBM AT計算機常用的時鐘芯片MC146818B和DS1287芯片引腳兼容，可直接進(jìn)行對等交換。其主要功能如下： (1)內(nèi)含一個鋰電池，斷電可以運行十年，并且不會丟失數(shù)據(jù)，時間功能正常運行。 (2)可計時至2100年前的秒、分、時、星期、日、月、年等日歷信息并帶有閏年補償功能。 (3)可通過編程選擇BCD碼或者二進(jìn)制數(shù)表示日歷和定時鬧鐘。 (4)可通過編程選擇12小時或24小時制，12小時時鐘模式帶有PM和AM提示，此外還有有夏令時功能。 (5）可選擇MOTOROLA和INTEL總線時序。 (6)內(nèi)部共有128個RAM單元，這在常用的實時時鐘中屬于較大的。其中14個字節(jié)作為時鐘和控制寄存器，114字節(jié)為通用RAM，所有ARAM單元數(shù)據(jù)都具有掉電保護功能。 (7)可編程并選擇的方波信號輸出 (8)中斷信號輸出(IRQ)和總線兼容，定時鬧鐘中斷、周期性中斷、時鐘更新周期結(jié)束中斷可分別由軟件屏蔽，也可分別進(jìn)行測試。(9)三種可供選擇的中斷方式 時間性中斷 周期性中斷時鐘更新結(jié)束中斷（二）DS12887的原理及管腳說明圖32顯示了DS12887管腳排列圖。下面說明管腳功能： 圖32 DS12887管腳圖GND：電源地VCC：直流電源+5V電壓。，讀寫會即刻被禁止，但芯片內(nèi)部的計時仍在繼續(xù)，重新通上+5V電源后，通過編程即可顯示當(dāng)前時間；若外部提供的VCC電源小于3V，電源方式切換為內(nèi)部鋰電池提供，同樣可以保持芯片內(nèi)部計時仍然繼續(xù)。 MOT(模式選擇)：接VCC（+5V）時，芯片在MOTOROLA時序下工作，接GND（地）時，芯片在INTEL時序下工作。 SQW(方波信號)：通過15個分頻器抽頭中的13個提供方波輸出。 AD0～AD7(雙向地址/數(shù)據(jù)復(fù)用線)：數(shù)據(jù)和控制指令都通過此8個引腳來于單片機等控制器傳輸。AS(地址選通輸入)：地址鎖存引腳。 DS(數(shù)據(jù)選通或讀輸入)：該引腳有兩種操作模式，視該芯片是出于MOTOROLA模式或者INTEL模式，當(dāng)使用MOTOROLA時序時，DS是一正脈沖，出現(xiàn)在總線周期的后段，稱為數(shù)據(jù)選通；若為INTEL時序，DS稱作(RD)，RD與典型存貯器的允許信號(OE)的定義相同。 R/W(讀/寫輸入)：R/W管腳同樣也有兩種操作模式。此引腳的兩種模式與DS相似。 CS(片選輸入)：在訪問DS12887的總線周期內(nèi)，片選信號必須保持為低。 IRQ(中斷申請輸入)：低電平有效，可作微處理的中斷輸入。沒有中斷條件滿足時，IRQ處于高阻態(tài)。IRQ線是漏極開路輸入，要求外接上拉電阻。 RESET(復(fù)位輸出)：若要保證DS12887有效復(fù)位，必須讓該腳保持低電平時間大于200ms。（三）DS12887的內(nèi)部功能(1) 地址分配圖 DS12887的存儲器分配圖如圖33所示，其中00H09H為時鐘信息和鬧鐘信息寄存器,0AH0DH為四個控制寄存器圖33 DS12887存儲器分配圖(2) 控制寄存器 ●寄存器A 表32 DS12887寄存器AUIP：更新位。若UIP為1，實時時鐘的更新轉(zhuǎn)換發(fā)生的很快，而當(dāng)UIP為0，更新轉(zhuǎn)換至少在244181。s內(nèi)不會發(fā)生。 DV0，DV1，DV2：用于晶振和復(fù)位分頻鏈的開啟。表33 DS12887周期中斷率和方波頻率 RS3，RS2，RS1，RS0：頻率選擇位，通過這四個位用戶可以： a 用PIE位允許中斷； b 用SQWE位允許SQAW輸出； c 二者同時允許并用相同的頻率； d 二者都不允許●寄存器B 表34 DS12887寄存器BSET：此位為0，時間更新正常進(jìn)行，每秒計數(shù)走時一次，當(dāng)此位為1，時間更新被禁止，程序可對芯片進(jìn)行初始化的操作和編程。 PIE：周期中斷允許位，PIE為1，則允許以選定的頻率拉低IRQ管腳，PIE為0，則禁止中斷。 AIE：定時鬧鐘中斷允許位，AIE為1，允許中斷，否則禁止中斷。UIE：更新結(jié)束中斷允許位，AIE為1，允許中斷，否則禁止中斷。 SQWE：方波允許位，置1選定頻率方波從SQW腳輸出；為0時，SQW腳為低。 DM：數(shù)據(jù)模式位，DM為1表明為十進(jìn)制數(shù)據(jù)，而0表明是BCD碼的數(shù)據(jù)。 24/12：小時格式位，1表明24小時制，而0表明12小時制。 DSE：夏令時允許位，當(dāng)DSE置1時允許兩個特殊的更新，在四月份的第一星期日，時間從1：59：59AM時改變?yōu)?：00：00AM；在十月的最后一個星期日的1：59：59AM時改變?yōu)?：00：00AM。當(dāng)DSE位為0，這種特殊修正不發(fā)生。●寄存器C 表35 DS12887寄存器CIRQF：中斷申請標(biāo)志位。當(dāng)下列表達(dá)式中一個或多個為真時，置1。 PF=PIE=1；AF=AIE=1；UF=UIE=1； 即：IRQF=PFPIE+AFAIE+UFUIE 只要IRQF為1，IRQ管腳輸出低 ，程序讀寄存器C以后或RESET管腳為低后，所有標(biāo)志位清零。 AF：定鬧中斷標(biāo)志位，只讀，AF為1表明現(xiàn)在時間與定鬧時間匹配。 VF：更新周期結(jié)束標(biāo)志位。VF為1表明更新周期結(jié)束。 BIT0～BIT3：未用狀態(tài)位，讀出總為0，不能寫入?！窦拇嫫鱀 表36 DS12887寄存器DVRT：內(nèi)部鋰電池狀態(tài)位，平時應(yīng)總讀出1，如出現(xiàn)0，表明內(nèi)部鋰電池耗盡。 BIT0～BIT6：未用狀態(tài)位，讀出總為0，不能寫入。 溫度傳感器DS18B20(一)DS18B20功能特點DS18B20具有超小體積和超低硬件開銷，精度高，抗干擾能力強等優(yōu)點。具有全數(shù)字溫度轉(zhuǎn)換及輸出，單總線數(shù)據(jù)通信，最高12 位分辨率，檢測溫度范圍大的特征，是開發(fā)溫度相關(guān)產(chǎn)品的很好的選擇。其主要功能如下：(1)獨特的單線接口僅需一個端口引腳進(jìn)行通訊(2)簡單的多點分布應(yīng)用(3)無需外部器件(4)可通過數(shù)據(jù)線供電(5)零待機功耗(6)測溫范圍55~+125℃，℃遞增。華氏器件67~+2570F， 遞增(7)溫度以9 位數(shù)字量讀出(8)溫度數(shù)字量轉(zhuǎn)換時間200ms（典型值）(9)用戶可定義的非易失性溫度報警設(shè)置(10)報警搜索命令識別并標(biāo)志超過程序限定溫度（溫度報警條件）的器件(11)應(yīng)用包括溫度控制、工業(yè)系統(tǒng)、消費品、溫度計或任何熱感測系統(tǒng)（二）DS18B20內(nèi)部工作原理 DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成：64位光刻ROM 、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。如圖34所示。圖34 DS18B20原理圖DS18B20引腳定義：(1) DQ為數(shù)字信號輸入/輸出端(2) GND為電源地(3) VDD為外接供電電源輸入端（在寄生電源接線方式時接地） 圖35 DS18B20引腳圖圖36給出了DS18B20測溫原理：DS1820用一個高溫度系數(shù)的振蕩器確定一個門周期，內(nèi)部計數(shù)器在這個門周期內(nèi)對一個低溫度系數(shù)的振蕩器的脈沖進(jìn)行計數(shù)來得到溫度值。計數(shù)器被預(yù)置到對應(yīng)于55℃的一個值。如果計數(shù)器在門周期結(jié)束前到達(dá)0，則溫度寄存器（同樣被預(yù)置到55℃）的值增加，表明所測溫度大于55℃。同時，計數(shù)器被復(fù)位到一個值，這個值由斜坡式累加器電路確定，斜坡式累加器電路用來補償感溫振蕩器的拋物線特性。然后計數(shù)器又開始計數(shù)直到0，如果門周期仍未結(jié)束，將重復(fù)這一過程。斜坡式累加器用來補償感溫振蕩器的非線性，以期在測溫時獲得比較高的分辨力。這是通過改變計數(shù)器對溫度每增加一度所需計數(shù)的的值來實現(xiàn)的。因此，要想獲得所需的分辨力，必須同時知道在給定溫度下計數(shù)器的值和每一度的計數(shù)值。DS1820 ℃的分辨力。溫度以16bit 帶符號位擴展的二進(jìn)制補碼形式讀出。數(shù)據(jù)通過單線接口以串行方式傳輸。DS1820 測溫范圍55℃~+125℃，℃遞增。如用于華氏溫度，必須要用一個轉(zhuǎn)換因子查找表。圖36 DS18B20測溫原理圖 DS18B20與單片機的硬件連接有兩種方法：一是VDD接外部電源，GND接地I/O與單片機的I/O線相接；二是用寄生電源供電，此時VDD和GND接地，I/O接單片機I/O。無論是那種供電方式，I/。圖37中，DS18B20采用寄生電源方式，其VDD和GND均接地，而圖3