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正文內(nèi)容

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2025-06-13 00:16 本頁(yè)面


【正文】 PPP3口,每個(gè)口有8位(8根引腳),共32根。PO口(Pin39~Pin32):~。P0口是一個(gè)8位漏極開(kāi)路的雙向I/O口。作為輸出口,每位能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯電平(晶體管晶體管邏輯電平)。P1口(Pin1~Pin8):~。P1 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口,p1 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4 個(gè) TTL 邏輯電平。對(duì)P1 端口寫(xiě)“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。此外,()和時(shí)器/計(jì)數(shù)器2 的觸發(fā)輸入(),具體如下所示。 在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P1口接收低8位地址字節(jié)。P1引腳第二功能   :T2(定時(shí)器/計(jì)數(shù)器T2的外部計(jì)數(shù)輸入),時(shí)鐘輸出   :T2EX(定時(shí)器/計(jì)數(shù)器T2的捕捉/重載觸發(fā)信號(hào)和方向控制) ?。?MOSI(在線系統(tǒng)編程時(shí)用到)   :MISO(在線系統(tǒng)編程時(shí)用到)   :SCK(在線系統(tǒng)編程時(shí)用到)P2口(Pin21~Pin28):~。P2 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口,P2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4 個(gè) TTL 邏輯電平。對(duì)P2 端口寫(xiě)“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或用16位地址讀取外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(例如執(zhí)行MOVX @DPTR)時(shí),P2 口送出高八位地址。在這種應(yīng)用中,P2 口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送1。在使用 8位地址(如MOVX @RI)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P2口輸出P2鎖存器的內(nèi)容。在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P2口也接收高8位地址字節(jié)和一些控制信號(hào)。P3口(Pin10~Pin17):8位準(zhǔn)雙向I/O口線,~。P3 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口,p2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4 個(gè) TTL 邏輯電平。對(duì)P3 端口寫(xiě)“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。 P3口亦作為STC89C52特殊功能(第二功能)使用,如下表所示。在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P3口也接收一些控制信號(hào)。端口引腳 第二功能   RXD(串行輸入口)   TXD(串行輸出口)   INTO(外中斷0)   INT1(外中斷1)   TO(定時(shí)/計(jì)數(shù)器0)   T1(定時(shí)/計(jì)數(shù)器1)   WR(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通) RD(外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通)此外,P3口還接收一些用于FLASH閃存編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。RST——復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí),RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將是單片機(jī)復(fù)位。ALE/PROG——當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。一般情況下,ALE仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的脈沖信號(hào),因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是:每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。對(duì)FLASH存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。如有必要,可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH單元的D0位置位,可禁止ALE操作。該位置位后,只有一條MOVX和MOVC指令才能將ALE激活。此外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),應(yīng)設(shè)置ALE禁止位無(wú)效。PSEN——程序儲(chǔ)存允許(PSEN)輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào),當(dāng)STC89C52由外部程序存儲(chǔ)器取指令(或數(shù)據(jù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN有效,即輸出兩個(gè)脈沖,在此期間,當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,將跳過(guò)兩次PSEN信號(hào)。EA/VPP——外部訪問(wèn)允許,欲使CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為0000HFFFFH),EA端必須保持低電平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1被編程,復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平(接Vcc端),CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器的指令。FLASH存儲(chǔ)器編程時(shí),該引腳加上+12V的編程允許電源Vpp,當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓Vpp。 實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片DS12887 (一)DS12887功能特點(diǎn)[9] [10]DS12887是美國(guó)達(dá)拉斯半導(dǎo)體公司推出的時(shí)鐘芯片,此芯片是基于CMOS技術(shù)的,把時(shí)鐘芯片所需的晶振和外部鋰電池相關(guān)電路集于芯片內(nèi)部,這無(wú)疑大大簡(jiǎn)化了外圍電路,同時(shí)它與目前IBM AT計(jì)算機(jī)常用的時(shí)鐘芯片MC146818B和DS1287芯片引腳兼容,可直接進(jìn)行對(duì)等交換。其主要功能如下: (1)內(nèi)含一個(gè)鋰電池,斷電可以運(yùn)行十年,并且不會(huì)丟失數(shù)據(jù),時(shí)間功能正常運(yùn)行。 (2)可計(jì)時(shí)至2100年前的秒、分、時(shí)、星期、日、月、年等日歷信息并帶有閏年補(bǔ)償功能。 (3)可通過(guò)編程選擇BCD碼或者二進(jìn)制數(shù)表示日歷和定時(shí)鬧鐘。 (4)可通過(guò)編程選擇12小時(shí)或24小時(shí)制,12小時(shí)時(shí)鐘模式帶有PM和AM提示,此外還有有夏令時(shí)功能。 (5)可選擇MOTOROLA和INTEL總線時(shí)序。 (6)內(nèi)部共有128個(gè)RAM單元,這在常用的實(shí)時(shí)時(shí)鐘中屬于較大的。其中14個(gè)字節(jié)作為時(shí)鐘和控制寄存器,114字節(jié)為通用RAM,所有ARAM單元數(shù)據(jù)都具有掉電保護(hù)功能。 (7)可編程并選擇的方波信號(hào)輸出 (8)中斷信號(hào)輸出(IRQ)和總線兼容,定時(shí)鬧鐘中斷、周期性中斷、時(shí)鐘更新周期結(jié)束中斷可分別由軟件屏蔽,也可分別進(jìn)行測(cè)試。(9)三種可供選擇的中斷方式 時(shí)間性中斷 周期性中斷時(shí)鐘更新結(jié)束中斷(二)DS12887的原理及管腳說(shuō)明圖32顯示了DS12887管腳排列圖。下面說(shuō)明管腳功能: 圖32 DS12887管腳圖GND:電源地VCC:直流電源+5V電壓。,讀寫(xiě)會(huì)即刻被禁止,但芯片內(nèi)部的計(jì)時(shí)仍在繼續(xù),重新通上+5V電源后,通過(guò)編程即可顯示當(dāng)前時(shí)間;若外部提供的VCC電源小于3V,電源方式切換為內(nèi)部鋰電池提供,同樣可以保持芯片內(nèi)部計(jì)時(shí)仍然繼續(xù)。 MOT(模式選擇):接VCC(+5V)時(shí),芯片在MOTOROLA時(shí)序下工作,接GND(地)時(shí),芯片在INTEL時(shí)序下工作。 SQW(方波信號(hào)):通過(guò)15個(gè)分頻器抽頭中的13個(gè)提供方波輸出。 AD0~AD7(雙向地址/數(shù)據(jù)復(fù)用線):數(shù)據(jù)和控制指令都通過(guò)此8個(gè)引腳來(lái)于單片機(jī)等控制器傳輸。AS(地址選通輸入):地址鎖存引腳。 DS(數(shù)據(jù)選通或讀輸入):該引腳有兩種操作模式,視該芯片是出于MOTOROLA模式或者INTEL模式,當(dāng)使用MOTOROLA時(shí)序時(shí),DS是一正脈沖,出現(xiàn)在總線周期的后段,稱為數(shù)據(jù)選通;若為INTEL時(shí)序,DS稱作(RD),RD與典型存貯器的允許信號(hào)(OE)的定義相同。 R/W(讀/寫(xiě)輸入):R/W管腳同樣也有兩種操作模式。此引腳的兩種模式與DS相似。 CS(片選輸入):在訪問(wèn)DS12887的總線周期內(nèi),片選信號(hào)必須保持為低。 IRQ(中斷申請(qǐng)輸入):低電平有效,可作微處理的中斷輸入。沒(méi)有中斷條件滿足時(shí),IRQ處于高阻態(tài)。IRQ線是漏極開(kāi)路輸入,要求外接上拉電阻。 RESET(復(fù)位輸出):若要保證DS12887有效復(fù)位,必須讓該腳保持低電平時(shí)間大于200ms。(三)DS12887的內(nèi)部功能(1) 地址分配圖 DS12887的存儲(chǔ)器分配圖如圖33所示,其中00H09H為時(shí)鐘信息和鬧鐘信息寄存器,0AH0DH為四個(gè)控制寄存器圖33 DS12887存儲(chǔ)器分配圖(2) 控制寄存器 ●寄存器A 表32 DS12887寄存器AUIP:更新位。若UIP為1,實(shí)時(shí)時(shí)鐘的更新轉(zhuǎn)換發(fā)生的很快,而當(dāng)UIP為0,更新轉(zhuǎn)換至少在244181。s內(nèi)不會(huì)發(fā)生。 DV0,DV1,DV2:用于晶振和復(fù)位分頻鏈的開(kāi)啟。表33 DS12887周期中斷率和方波頻率 RS3,RS2,RS1,RS0:頻率選擇位,通過(guò)這四個(gè)位用戶可以: a 用PIE位允許中斷; b 用SQWE位允許SQAW輸出; c 二者同時(shí)允許并用相同的頻率; d 二者都不允許●寄存器B 表34 DS12887寄存器BSET:此位為0,時(shí)間更新正常進(jìn)行,每秒計(jì)數(shù)走時(shí)一次,當(dāng)此位為1,時(shí)間更新被禁止,程序可對(duì)芯片進(jìn)行初始化的操作和編程。 PIE:周期中斷允許位,PIE為1,則允許以選定的頻率拉低IRQ管腳,PIE為0,則禁止中斷。 AIE:定時(shí)鬧鐘中斷允許位,AIE為1,允許中斷,否則禁止中斷。UIE:更新結(jié)束中斷允許位,AIE為1,允許中斷,否則禁止中斷。 SQWE:方波允許位,置1選定頻率方波從SQW腳輸出;為0時(shí),SQW腳為低。 DM:數(shù)據(jù)模式位,DM為1表明為十進(jìn)制數(shù)據(jù),而0表明是BCD碼的數(shù)據(jù)。 24/12:小時(shí)格式位,1表明24小時(shí)制,而0表明12小時(shí)制。 DSE:夏令時(shí)允許位,當(dāng)DSE置1時(shí)允許兩個(gè)特殊的更新,在四月份的第一星期日,時(shí)間從1:59:59AM時(shí)改變?yōu)?:00:00AM;在十月的最后一個(gè)星期日的1:59:59AM時(shí)改變?yōu)?:00:00AM。當(dāng)DSE位為0,這種特殊修正不發(fā)生。●寄存器C 表35 DS12887寄存器CIRQF:中斷申請(qǐng)標(biāo)志位。當(dāng)下列表達(dá)式中一個(gè)或多個(gè)為真時(shí),置1。 PF=PIE=1;AF=AIE=1;UF=UIE=1; 即:IRQF=PFPIE+AFAIE+UFUIE 只要IRQF為1,IRQ管腳輸出低 ,程序讀寄存器C以后或RESET管腳為低后,所有標(biāo)志位清零。 AF:定鬧中斷標(biāo)志位,只讀,AF為1表明現(xiàn)在時(shí)間與定鬧時(shí)間匹配。 VF:更新周期結(jié)束標(biāo)志位。VF為1表明更新周期結(jié)束。 BIT0~BIT3:未用狀態(tài)位,讀出總為0,不能寫(xiě)入?!窦拇嫫鱀 表36 DS12887寄存器DVRT:內(nèi)部鋰電池狀態(tài)位,平時(shí)應(yīng)總讀出1,如出現(xiàn)0,表明內(nèi)部鋰電池耗盡。 BIT0~BIT6:未用狀態(tài)位,讀出總為0,不能寫(xiě)入。 溫度傳感器DS18B20(一)DS18B20功能特點(diǎn)DS18B20具有超小體積和超低硬件開(kāi)銷(xiāo),精度高,抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。具有全數(shù)字溫度轉(zhuǎn)換及輸出,單總線數(shù)據(jù)通信,最高12 位分辨率,檢測(cè)溫度范圍大的特征,是開(kāi)發(fā)溫度相關(guān)產(chǎn)品的很好的選擇。其主要功能如下:(1)獨(dú)特的單線接口僅需一個(gè)端口引腳進(jìn)行通訊(2)簡(jiǎn)單的多點(diǎn)分布應(yīng)用(3)無(wú)需外部器件(4)可通過(guò)數(shù)據(jù)線供電(5)零待機(jī)功耗(6)測(cè)溫范圍55~+125℃,℃遞增。華氏器件67~+2570F, 遞增(7)溫度以9 位數(shù)字量讀出(8)溫度數(shù)字量轉(zhuǎn)換時(shí)間200ms(典型值)(9)用戶可定義的非易失性溫度報(bào)警設(shè)置(10)報(bào)警搜索命令識(shí)別并標(biāo)志超過(guò)程序限定溫度(溫度報(bào)警條件)的器件(11)應(yīng)用包括溫度控制、工業(yè)系統(tǒng)、消費(fèi)品、溫度計(jì)或任何熱感測(cè)系統(tǒng)(二)DS18B20內(nèi)部工作原理 DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成:64位光刻ROM 、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。如圖34所示。圖34 DS18B20原理圖DS18B20引腳定義:(1) DQ為數(shù)字信號(hào)輸入/輸出端(2) GND為電源地(3) VDD為外接供電電源輸入端(在寄生電源接線方式時(shí)接地) 圖35 DS18B20引腳圖圖36給出了DS18B20測(cè)溫原理:DS1820用一個(gè)高溫度系數(shù)的振蕩器確定一個(gè)門(mén)周期,內(nèi)部計(jì)數(shù)器在這個(gè)門(mén)周期內(nèi)對(duì)一個(gè)低溫度系數(shù)的振蕩器的脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)來(lái)得到溫度值。計(jì)數(shù)器被預(yù)置到對(duì)應(yīng)于55℃的一個(gè)值。如果計(jì)數(shù)器在門(mén)周期結(jié)束前到達(dá)0,則溫度寄存器(同樣被預(yù)置到55℃)的值增加,表明所測(cè)溫度大于55℃。同時(shí),計(jì)數(shù)器被復(fù)位到一個(gè)值,這個(gè)值由斜坡式累加器電路確定,斜坡式累加器電路用來(lái)補(bǔ)償感溫振蕩器的拋物線特性。然后計(jì)數(shù)器又開(kāi)始計(jì)數(shù)直到0,如果門(mén)周期仍未結(jié)束,將重復(fù)這一過(guò)程。斜坡式累加器用來(lái)補(bǔ)償感溫振蕩器的非線性,以期在測(cè)溫時(shí)獲得比較高的分辨力。這是通過(guò)改變計(jì)數(shù)器對(duì)溫度每增加一度所需計(jì)數(shù)的的值來(lái)實(shí)現(xiàn)的。因此,要想獲得所需的分辨力,必須同時(shí)知道在給定溫度下計(jì)數(shù)器的值和每一度的計(jì)數(shù)值。DS1820 ℃的分辨力。溫度以16bit 帶符號(hào)位擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼形式讀出。數(shù)據(jù)通過(guò)單線接口以串行方式傳輸。DS1820 測(cè)溫范圍55℃~+125℃,℃遞增。如用于華氏溫度,必須要用一個(gè)轉(zhuǎn)換因子查找表。圖36 DS18B20測(cè)溫原理圖 DS18B20與單片機(jī)的硬件連接有兩種方法:一是VDD接外部電源,GND接地I/O與單片機(jī)的I/O線相接;二是用寄生電源供電,此時(shí)VDD和GND接地,I/O接單片機(jī)I/O。無(wú)論是那種供電方式,I/。圖37中,DS18B20采用寄生電源方式,其VDD和GND均接地,而圖3
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