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正文內(nèi)容

電子產(chǎn)品的瞬變和浪涌防護-文庫吧

2025-06-08 20:20 本頁面


【正文】 最小時的端電壓的比值,箝位系數(shù)越小,抑制瞬變電壓的效果越好,TVS器件的其它優(yōu)點是體積小、響應(yīng)速度快(小于1ns)、每次經(jīng)受瞬變電壓后其性能不會下降和可靠性高等。缺點是電容大、耐電流量小?,F(xiàn)在,國外TVS器件已經(jīng)采用氣密性附殼封裝,外形為DO-41,而一般的民用器件則采用有引線或無引線的塑封形式,典型的有美國General Instrument公司生產(chǎn)400W、600W、1500W無引線扁平塑封,~162V,~TSMA200,外形為SMA/D0214AC;~162V,~TSMB200,外形為SMB/D0214AA;~162V,~TSMC200,外形為SMC/D0214AB。該公司也生產(chǎn)無引線圓柱形產(chǎn)品,型號為TGL41-~TGL41-200,外形為MELF GL41。該公司還生產(chǎn)5000W的TVS,~110V,~5KP110,外形為P600。TVS的另一發(fā)展方向是開發(fā)低電壓產(chǎn)品,~,以滿足低壓微處理器和IC的需要。 晶閘管型防護器件  晶閘管型防護器件已有兩種:第一種是控制柵極型雙向三端器件,如SCR、TRLAO等。因為大多數(shù)電源電路的輸出端都有電壓過載保護,用一個電平觸發(fā)SCR的控制柵極將輸出短路而中斷供電,響應(yīng)時間約100μs,這對電壓敏感的器件有可能造成損壞,它的優(yōu)點是耐電流量大,缺點是點火電壓易變化。第二種是控制維持電流型雙向兩端器件,如CSSPD(Curren type Silicon Surge Protective Device),它由日本新電元公司于1998年10月研制成功。由pnpnp五層組成,其結(jié)構(gòu)是在單芯片上逆向并聯(lián)組成的復(fù)合器件。當(dāng)浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折電壓VBO時,器件被導(dǎo)通,這時它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降(VF)和等效的導(dǎo)通電壓(VT)特性,被保護電路上僅施加相當(dāng)于導(dǎo)通電壓的電壓值(只有幾伏)。當(dāng)浪涌流過后,電流慢慢減少到維持電流(IH)水平以下,此時器件關(guān)閉,工作點又回到原來位置,被保護電路流過正常電壓。這種器件有如下特點: ?。?) 器件的直流放電開啟電壓(VS)與響應(yīng)時間(s)的關(guān)系基本上不隨浪涌電壓上升率的增加而增加?! 。?)該器件經(jīng)反復(fù)浪涌后其直流放電開啟電壓基本上保持不變。 ?。?) 浪涌電流增加時,該器件的直流放電開啟電壓基本保持不變。 ?。?)該器件經(jīng)反復(fù)浪涌后其轉(zhuǎn)折電壓基本保持不變?! ×硗?,該器件還具有響應(yīng)速度快、不需多級防護電路、耐電流量大、靜電容量小和可靠性高等優(yōu)點,特別適用于防護雷電浪涌。日本新電元公司已推出多種無引線CSSPD,如KP15N系列。此外,該公司還推出一種四端橋二極管,它內(nèi)含一個CSSPD(KP4R20)和四個整流二極管(SIWB60),型號為KW4R
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