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正文內(nèi)容

基于單片機(jī)的智能電熱水器畢業(yè)論文-文庫(kù)吧

2025-06-07 13:55 本頁(yè)面


【正文】 圖21 AT89S51控制的智能電熱水器

方案二:PIC16C72單片機(jī)為控制器件的智能電熱水器 PIC16C72是美國(guó)微芯(Microchip)公司推出的8/11位單片機(jī),采用寬字節(jié)單周期指令,哈佛雙總線和RISC結(jié)構(gòu),其數(shù)據(jù)吞吐量最高可達(dá)6MIPS,這幾乎是其它大多數(shù)8位微控制器速度的4倍128腳封裝的PIC16C72單片機(jī)內(nèi)集成了以下主要功能:2KB片內(nèi)ROM程序存儲(chǔ)器,128KB數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器;22位I/O線;5路8位A/D轉(zhuǎn)換器42個(gè)8位,1個(gè)16位多功能計(jì)數(shù)器/定時(shí)器,1個(gè)捕捉/比較/脈寬調(diào)制(CCP)部件。 以PIC16C72為控制芯片的電熱水器,雖然功能很強(qiáng)大,但是存在一些很需要改進(jìn)的地方:中斷的現(xiàn)場(chǎng)保護(hù)是中斷應(yīng)用中一個(gè)很重要的部分由PIC16C72的指令系統(tǒng)中沒(méi)有專門的PUSH(入棧)和POP(出棧)指令,所以要用一段程序來(lái)實(shí)現(xiàn)該功能。對(duì)可能用到的W寄存器和STATUS寄存器內(nèi)容進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)保護(hù)1然后在中斷服務(wù)程序中對(duì)馬達(dá),繼電器進(jìn)行控制1漏電檢測(cè)報(bào)警在中斷里給出,而每50ms進(jìn)入一次中斷,所以發(fā)生漏電時(shí)最多50ms即可切斷電源1入口→中斷保護(hù)→控制馬達(dá)→控制繼電器如果用直流對(duì)電機(jī)進(jìn)行控制,其轉(zhuǎn)速太快,過(guò)調(diào)量太大,容易引起震蕩。通過(guò)以上兩種設(shè)計(jì)方法的比較來(lái)看,實(shí)現(xiàn)電熱水器的智能控制可以有很多種方法??梢圆捎每删幊绦蚩刂破鱌LC,各種單片機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)。但考慮到成本控制和軟硬件實(shí)現(xiàn)難度,采用方案一的控制系統(tǒng)設(shè)計(jì),可以進(jìn)一步提高電熱水器的智能作用,能夠保證持續(xù)的熱水供應(yīng),并能夠在異常情況下自動(dòng)斷電,可以滿足人們?nèi)粘I畹男枰崃巳藗兩畹馁|(zhì)量。綜合以上條件以及畢設(shè)的要求,我選擇方案一,以單片機(jī)AT89S51單片機(jī)作為控制中心的智能電熱水器。 AT89S51介紹 AT89S51是一個(gè)低功耗,高性能CMOS 8位單片機(jī),片內(nèi)含4k Bytes ISP(Insystem programmable)的可反復(fù)擦寫1000次的Flash只讀程序存儲(chǔ)器,器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲(chǔ)技術(shù)制造,兼容標(biāo)準(zhǔn)MCS51指令系統(tǒng)及80C51引腳結(jié)構(gòu),芯片內(nèi)集成了通用8位中央處理器和ISP Flash存儲(chǔ)單元,AT89S51在眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。圖22 AT89S51結(jié)構(gòu)框圖5主要性能 l 內(nèi)部程序存儲(chǔ)器:4KBl 內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:128Bl 外部程序存儲(chǔ)器:可擴(kuò)展到64KB。l 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器:可擴(kuò)展到64KB。l 輸入/輸出口線:32根(4個(gè)端口, 每個(gè)端口8根)。6東華理工大學(xué)長(zhǎng)江學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 總體方案設(shè)計(jì) 定時(shí)/計(jì)數(shù)器:2個(gè)16位可編程的定時(shí)計(jì)數(shù)器。l 串行口:全雙工,二根。l 寄存器區(qū):在內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的128B中劃出一部分作為寄存器區(qū), 分為四個(gè)區(qū),l 每個(gè)區(qū)8個(gè)通用寄存器。l 中斷源:5個(gè)中斷源, 2個(gè)優(yōu)先級(jí)別。l 堆棧:最深128B。l 布爾處理機(jī):即位處理機(jī), 對(duì)某些單元的某位做單獨(dú)處理。l 指令系統(tǒng)(系統(tǒng)時(shí)鐘為12MHZ時(shí)):大部分指令執(zhí)行時(shí)間為1us;少部分指令,執(zhí)行時(shí)間為2us。 只有乘、除指令的執(zhí)行時(shí)間為4us。 引腳功能說(shuō)明,有雙列直插封裝(DIP)方式和方形封裝方式。下面分別敘述這些引腳的功能。 主電源引腳① VCC:電源端。② GND:接地端。(2) 外接晶體引腳XTAL1和XTAL2① XTAL1:晶體振蕩器接入的一個(gè)引腳。當(dāng)采用外部振蕩器時(shí),此引腳接地。② XTAL2:晶體振蕩器接入的另一個(gè)引腳。采用外部振蕩器時(shí),此引腳作為外部振蕩信號(hào)的輸入端。(3) 控制或與其他電源復(fù)用引腳RST,ALE/,/VppRST:復(fù)2位輸H入端。當(dāng)振蕩器運(yùn)行時(shí),在該引腳上出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期的高電平將使單片機(jī)復(fù)位。ALE/:當(dāng)訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器時(shí),ALE(地址鎖存允許)的輸出用于鎖存地址的低位字節(jié)。即使不訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器,ALE端仍以不變的頻率(此頻率為振蕩器頻率的1/6)周期性地出現(xiàn)正脈沖信號(hào)。因此,它可用作對(duì)外輸出的時(shí)鐘,或用于定時(shí)目的。然而注意的是:每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),將跳過(guò)一個(gè)ALE 脈沖。在對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖()。如果需要的話,通過(guò)對(duì)專用寄存器(SFR)區(qū)中8EH單元的D0位置數(shù),可禁止ALE操作。該位置數(shù)后,只有在執(zhí)行一7條MOVX或MOVC指令期間,ALE才會(huì)被激活。另外,該引腳會(huì)被微弱拉高,單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí),該設(shè)定禁止ALE位無(wú)效。:程序存儲(chǔ)允許()輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)。當(dāng)80C51東華理工大學(xué)長(zhǎng)江學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 總體方案設(shè)計(jì) 由外部程序存儲(chǔ)器取指令(或常數(shù))時(shí),每個(gè)機(jī)器周期兩次有效(即輸出2個(gè)脈沖)。但在此期間內(nèi),每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),這兩次有效的信號(hào)將不出現(xiàn)。/Vpp:外部訪問(wèn)允許端。要使CPU只訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為0000H~FFFFH),則端必須保持低電平(接到GND端)。然而要注意的是,如果保密位LB1被編程,復(fù)位時(shí)在內(nèi)部會(huì)鎖存端的狀態(tài)。當(dāng)端保持高電平(接Vcc端)時(shí),CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的程序。在Flash存儲(chǔ)器編程期間,該引腳也用于施加12V的編程允許電源Vpp(如果選用12V編程)。輸入/~,~,~~。① P0端口(~):P0是一個(gè)8位漏極開(kāi)路型雙向I/O端口。作為輸出口用時(shí),每位能以吸收電流的方式驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL輸入,對(duì)端口寫1時(shí),又可作高阻抗輸入端用。在訪問(wèn)外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),它是分時(shí)多路轉(zhuǎn)換的地址(低8位)/數(shù)據(jù)總線,在訪問(wèn)期間激活了內(nèi)部的上拉電阻。在Flash編程時(shí),P0端口接收指令字節(jié);而在校驗(yàn)程序時(shí),則輸出指令字節(jié)。驗(yàn)證時(shí),要求外接上拉電阻② P1端口(~):P1是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O端口。P2的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流方式)4個(gè)輸入口使用時(shí),因?yàn)橛袃?nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號(hào)拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流(IIL)。在對(duì)Flash編程和程序校驗(yàn)時(shí),P1接收低8位地址。③P2端口(~):P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O端口。P2的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流方式)4個(gè)TTL輸入。對(duì)端口寫1時(shí),通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位,這時(shí)可用作輸入口。P2作輸入口使用時(shí),因?yàn)橛袃?nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號(hào)拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流(IIL)。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器和16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行MOVX@DPTR指令)時(shí),P2送出高8位地址。在訪問(wèn)8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行MOVX@RI指令)時(shí),P2口引腳上的內(nèi)容(就是專用寄存器(SFR)區(qū)中P2寄存器的內(nèi)容),在整個(gè)訪問(wèn)期間不會(huì)改變。在對(duì)Flash編程和程序校難期間,P2也接收高位地址和一些控制信號(hào)。④ P3端口(~):P3是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O端口。P3的輸出緩沖器可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流方式)4個(gè)TTL輸入。對(duì)端口寫1時(shí),通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電位,這時(shí)可用作輸入口。P3作輸入口使用時(shí),因?yàn)橛袃?nèi)部的上拉電阻,那些被外部信號(hào)拉低的引腳會(huì)輸出一個(gè)電流(IIL)。在AT89C51中,P3端口還用于一些復(fù)用功能。復(fù)用功能如表21所列。在對(duì)Flash編程或程序校驗(yàn)地,P3還接收一些控制信號(hào)。8東華理工大學(xué)長(zhǎng)江學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 總體方案設(shè)計(jì) 表1 P3各端口引腳與復(fù)用功能表端口引腳復(fù)用功能RXD(串行輸入口)TXD(串行輸出口)(外部中斷0)(外部中斷1)T0(定時(shí)器0的外部輸入)T1(定時(shí)器1的外部輸入)8東華理工大學(xué)長(zhǎng)江學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文) 總體方案設(shè)計(jì) 數(shù)字溫度傳感器DS18B20介紹 DS18B20的主要特性 適應(yīng)電壓范圍更寬,電壓范圍:~,在寄生電源方式下可由數(shù) 據(jù)線供電 獨(dú)特的單線接口方式,DS18B20在與微處理器連接時(shí)僅需要一條口線即可實(shí)現(xiàn)微處理器與DS18B20的雙向通訊 DS18B20支持多點(diǎn)組網(wǎng)功能,多個(gè)DS18B20可以并聯(lián)在唯一的三線上,實(shí)現(xiàn)組網(wǎng)多點(diǎn)測(cè)溫。 DS18B20在使用中不需要任何外圍元件,全部 傳感元件及轉(zhuǎn)換電路集成在形如一只三極管的集成電路內(nèi)。溫范圍-55℃~+125℃,在10~+85℃時(shí)精度為177。℃ ??删幊?的分辨率為9~12位,℃、℃、℃℃,可實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)溫。9在9位分辨率時(shí)最多在 ,12位分辨率時(shí)最多在750ms內(nèi)把溫度值轉(zhuǎn)換為數(shù)字,速度更快。測(cè)量結(jié)果直接輸出數(shù)字溫度信號(hào),以”一 線總線”串行傳送給CPU,同時(shí)可傳送CRC校驗(yàn)碼,具有極強(qiáng)的抗干擾糾錯(cuò)能力。 負(fù)壓特性:電源極性接反時(shí),芯片不會(huì)因發(fā)熱而燒毀, 但不能正常工作。圖23 DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 DS18B20工作原理 DS18B20的讀寫時(shí)序和測(cè)溫原理與DS1820相同,只是得到的溫度值的位數(shù)因分辨率不同而不同,且溫度轉(zhuǎn)換時(shí)的延時(shí)時(shí)間由2s 減為750ms。 DS18B20測(cè)溫原理如圖23所示。圖中低溫度系數(shù)晶振的振蕩頻率受溫度影響很小,用于產(chǎn)生固定頻率的脈沖信號(hào)送給計(jì)數(shù)器1。高溫度系數(shù)晶振 隨溫度變化其振蕩率明顯改變,所產(chǎn)生的信號(hào)作為計(jì)數(shù)器2的脈沖輸入。計(jì)數(shù)器1和溫度寄存器被預(yù)置在-55℃所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值。計(jì)數(shù)器1對(duì) 低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行減法計(jì)數(shù),當(dāng)計(jì)數(shù)器1的預(yù)置值減到0時(shí),溫度寄存器的值將加1,計(jì)數(shù)器1的預(yù)置將重新被裝入,計(jì)數(shù)器1重 新開(kāi)始對(duì)低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù),如此循環(huán)直到計(jì)數(shù)器2計(jì)數(shù)到0時(shí),停止溫度寄存器值的累加,此時(shí)溫度寄存器中的數(shù)值即 為所測(cè)溫度。圖23中的斜率累加器用于補(bǔ)償和修正測(cè)溫過(guò)程中的非線性,其輸出用于修正計(jì)數(shù)器1的預(yù)置值。 9  圖24 DS18B20測(cè)溫原理框圖 DS18B20有4個(gè)主要的數(shù)據(jù)部件 (1)光刻ROM中的64位序列號(hào)是出廠
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