【正文】 存RAM中的內容，但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作指導下一個硬件復位。 AT89S52功能特性描述(1)AT89S52是一種低功耗，高性能CMOS工藝的8位微控制器，具有8K在系統(tǒng)可編程Flash存儲器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲器技術制造，與工業(yè)80C51產品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)提供高靈活，超有效的解決方案。 (2)AT89S52具有以下標準功能：8K字節(jié)Flash，256字節(jié)RAM，32位I/O口線，看門狗定時器，2個數(shù)據(jù)指針，一個6向量2級中斷結構，全雙工串行口，片內晶振及時鐘電路。另外，AT89S52可降至0KHZ靜態(tài)邏輯操作，支持2種軟件可選擇節(jié)電模式?？臻e模式下，CPU停止工作，允許RAM、定時器/計數(shù)器、串口、中斷繼續(xù)工作。掉電保護方式下，RAM內容被保存，振蕩器被凍結，單片機停止工作，直到一個中斷或硬件復位為止。(3)AT89S52有40個引腳，32個外部雙向輸入/輸出（I/O）端口，同時內含8個中斷口，3個16位可編程定時計數(shù)器，2個全雙工串行通信口，2個讀寫口線。AT89S52可以按照常規(guī)方法進行編程，也可以在線編程。其通用的微處理器和Flash存儲器結合在一起，可反復擦寫的Flash存儲器可有效地降低開發(fā)成本。 AT89S52晶振電路的設計每個單片機系統(tǒng)里都有晶振，全稱是叫晶體震蕩器，在單片機系統(tǒng)里晶振的作用非常大，它結合單片機內部的電路，產生單片機所必須的時鐘頻率，單片機的一切指令的執(zhí)行都是建立在這個基礎上的，晶振的提供的時鐘頻率越高，那單片機的運行速度也就越快。晶振用一種能把電能和機械能相互轉化的晶體在共振的狀態(tài)下工作，以提供穩(wěn)定，精確的單頻振蕩。在通常工作條件下，普通的晶振頻率絕對精度可達百萬分之五十，高級的精度更高。晶振電路中的兩個電容叫做負載電容。一般單片機的晶振工作于并聯(lián)諧振狀態(tài)，也可以理解為諧振電容的一部分。它是根據(jù)晶振廠家提供的晶振要求負載電容選值的，換句話說，晶振的頻率就是在它提供的負載電容下測得的，能最大限度的保證頻率值的誤差。也能保證溫漂等誤差。兩個電容的取值都是相同的，或者說相差不大，如果相差太大，容易造成諧振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振。在本設計中XTAL1和XTAL2端外接石英晶體作為定時元件，內部反向放大器自激振蕩，產生時鐘。所用石英晶體的振蕩頻率為12MHZ，電容C1，C2常為20pF~40pF內。 晶振電路 測溫電路的設計 DS18B20的引腳圖及方框圖。 (1)GND 地信號(2)DQ 數(shù)據(jù)輸入/輸出引腳。用在寄生電源下，可以向器件提供電源。(3)VDD 可選擇的VDD引腳。當工作于寄生電源時，此引腳必須接地。 DS18B20主要性能(1)獨特的單線接口方式，DS18B20在與微處理器連接時僅需要一條口線即可實現(xiàn)微處理器與DS18B20的雙向通訊； (2)測溫范圍 －55℃～＋125℃，℃； (3)支持多點組網(wǎng)功能，多個DS18B20可以并聯(lián)在唯一的三線上，最多只能并聯(lián)8個，如果數(shù)量過多，會使供電電源電壓過低，從而造成信號傳輸?shù)牟环€(wěn)定，實現(xiàn)多點測溫(4)工作電源: 直流3~5V； (5)在使用中不需要任何外圍元件；(6)測量結果以9~12位數(shù)字量方式串行傳送；(7)不銹鋼保護管直徑 Φ6 ； DS18B20外形及引腳排列 (8)適用于DN15~25， DN40~DN250各種介質工業(yè)管道和狹小空間設備測溫； (9)標準安裝螺紋 M10X1， ， G1/2”任選； (10)PVC電纜直接出線或德式球型接線盒出線，便于與其它電器設備連接。 DS18B20功能特性描述DS18B20溫度傳感器的內部存儲器還包括一個高速暫存RAM和一個非易失性的可電擦除的EERAM。高速暫存RAM的結構為9字節(jié)的存儲器。前兩個字節(jié)包含測得的溫度信息，第3和第4字節(jié)TH和TL的拷貝，是易失的，每次上電復位時被刷新。高速暫存RAM的第8字節(jié)保留未用，表現(xiàn)為全邏輯第9字節(jié)讀出前面所有8字節(jié)的CRC碼，可用來檢驗數(shù)據(jù)，從而保證通信數(shù)據(jù)的正確性。第5字節(jié)為配置寄存器，它的內容用于確定溫度值的數(shù)字轉換分辨率。DS18B20工作時寄存器中的分辨率轉換為相應精度的溫度數(shù)值。低5位都為1，TM是工作模式位，用于設置DS18B20在工作模式還是在測試模式，DS18B20出廠時該位被設置為0，用戶可改動，R1和R0決定溫度轉換的精度位數(shù)，來設置分辨率。 高速暫存RAM字節(jié)數(shù)123456789存儲信息LSBMSBTH 1TL 2配置寄存器保留保留保留CRC DS18B20 溫度轉換時間表R1R0分辨率/位溫度最大轉換時間/ms009011010113751112750TMR1R011111，DS18B20分辨率越高，所需要的溫度數(shù)據(jù)轉換時間越長。當DS18B20接收到溫度轉換命令后，開始啟動轉換。單片機可以通過單線接口讀出該數(shù)據(jù)，讀數(shù)據(jù)時低位在先，高位在后，℃／LSB形式表示。DS18B20中的溫度傳感器可完成對溫度的測量，以12位轉化為例。其中S為符號位。 DS18B20溫度值格式表LSByteBit7Bit6Bit5Bit4Bit3Bit2Bit1Bit0MSByteBit15Bit14Bit13Bit12Bit11Bit10Bit9Bit8SSSSS當符號位S＝0時，表示測得的溫度值為正值，可以直接將二進制位轉換為十進制；當符號位S＝1時，表示測得的溫度值為負值。 部分溫度對應值表溫度℃二進制表示十六進制表示+125000001111101000007D0H+8500000101010100000550H+00000001100100000191H+000000001010000100A2H+00000000000000100008H000000000000010000000H1111111111110000FFF8H1111111101011110FF5EH1111111001101111FE6FH DS18B20供電方式(1)DS18B20寄生電源供電方式電路DS18B20采用寄生電源供電時，要想使DS18B20進行精確的溫度轉換，I/O線必須保證在溫度轉換期間提供足夠的能量，由于每個DS18B20在溫度轉換期間工作電流達到1mA，當幾個溫度傳感器掛在同一根I/O線上進行多點測溫時，靠上拉電阻是無法提供足夠的能量，會造成無法轉換溫度或溫度誤差極大。因此，只適用于單一溫度傳感器測溫，也不宜采用電池供電系統(tǒng)，并且電源電壓必須保證是5V。當電源電壓下降時，會使測量的誤差變大。(2)DS18B20的外部電源供電方式DS18B20采用外部供電時，I/O線不需要強上拉電壓，同時在總線上可以掛接多個DS18B20傳感器，組成多點測溫系統(tǒng)。但要注意在外部供電的方式下，DS18B20的GND引腳不能懸空，否則讀取的溫度總是85℃。但在proteus仿真中VCC和GND均懸空，否則仿真錯誤。比較上述兩種供電方式后認為外部電源供電方式對電源要求比電源供電方式優(yōu)越些且穩(wěn)定性好，故在此設計中采用外部電源供電方式供電電路。： 采用外部供電的測溫電路 主控系統(tǒng)主控系統(tǒng)采用單片機控制。，單片機選用的是ATMEL公司的AT89