修改版氣體擊穿理論-文庫吧
2025-04-22 22:26 本頁面
【正文】 orth China Electric Power University 2： 光游離 當氣體分子受到光輻射時，如光子能量滿足氣體分子電離能條件將引起光電離，分解成電子和正離子。 導致氣體光電離的光子可以由自然界（如空中的紫外線、宇宙射線等）或人為照射（如紫外線、x 射線 等）提供，也可以由氣體放電過程本身產(chǎn)生。 HV amp。 EMC Laboratory North China Electric Power University 3： 熱游離 一切因氣體熱狀態(tài)引起的電離過程稱為熱電離。 包括 ： ? 隨著溫度升高氣體分子動能增加引起的碰撞電離， ? 高溫下高能熱輻射光子引起的光電離。 HV amp。 EMC Laboratory North China Electric Power University 4： 表面游離 a、正離子碰撞陰極： 正離子碰撞陰極時使電子逸出金屬（傳遞的能量要大于逸出功）。逸出的電子有一個和正離子結(jié)合成為原子，其余的成為自由電子。因此正離子必須碰撞出一個以上電子時才能出現(xiàn)自由電子。 b、光電效應(yīng)： 金屬表面受到光的照射，當光子的能量大于逸出功時，金屬表面放射出電子。 c、強場發(fā)射： 當陰極附近所加外電場足夠強時，使陰極放射出電子。 d、熱電子發(fā)射： 當陰極被加熱到很高溫度時，其中的電子獲得巨大動能，逸出金屬。 HV amp。 EMC Laboratory North China Electric Power University 5： 帶電質(zhì)點的復合 1）正離子和負離子或電子相遇，發(fā)生電荷的傳遞而互相中和、還原為分子的過程稱為復合過程。 2）在帶電質(zhì)點的復合過程會以光子的形式釋放能量，產(chǎn)生 光輻射 。這種光輻射在一定條件下有可能成為導致電離的因素（如流柱理論中二次電子崩的起因）。 HV amp。 EMC Laboratory North China Electric Power University 第二節(jié)：氣體放電過程一般描述 1: 電子崩 ? 從陰極產(chǎn)生的第一個起始電子，從電場獲得一定動能后，會碰撞電離出一個第二代電子，這兩個電子作為新的第一代電子，又將電離出新的第二代電子，這時空間已存在四個自由電子，這樣一代一代不斷增加的過程，會使帶電質(zhì)點迅速增加，如同發(fā)生雪崩一樣。 ? 電子崩具顯圓錐形，電子集中在崩頭，尾部為正離子 HV amp。 EMC Laboratory North China Electric Power University 電子崩中電子數(shù)目： 電子電離系數(shù) ：一個電子沿著屯場方向行經(jīng) 1 厘米長度，平均發(fā) 生的碰撞電離次數(shù)（由電離產(chǎn)生的自由電子數(shù)）。 ?設(shè)：一個電子從陰極行走 x 距離產(chǎn) 生的自由電子數(shù)為 n n 個電子前進 dx 產(chǎn)生的新電子數(shù)為 ： dxndndxndn ?? ?? 或,所以：一個電子從陰極到陽極產(chǎn)生 的電子數(shù)為： Sdx eeN S ?? ??? 0一個電子從陰極到陽極產(chǎn)生的正離子數(shù)為： 1?Se ?1: 電子崩 ?? SN dxn 01ln ?HV amp。 EMC Laboratory North China Electric Power University 第二節(jié)：氣體放電過程一般描述 2： 氣體放電主要形式 輝光放電： 整個空間發(fā)光，電流密度??； 低氣壓、電源功率?。?霓虹燈 火花放電： 有收細的發(fā)光放電通道、貫穿兩
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