【正文】 將用上拉電阻輸出電流。 P3口還用于實(shí)現(xiàn) AT89C2051特殊功能，如下表所示： P3口還接收一些用于 Flash閃速存儲器編程和程序校驗(yàn)的控制信號。 ? RST：復(fù)位輸入。 RST引腳一旦變成兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平，所有的 I/O口都將復(fù)位到“ 1”狀態(tài)，當(dāng)振蕩器政治工作時(shí)，持續(xù)兩個(gè)機(jī)器周期以上的高電平便可完成復(fù)位，每個(gè)機(jī)器周期為 12個(gè)振蕩時(shí)鐘周期。 ? XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。 ? XTAL2：振蕩器反相發(fā)黨旗的輸出端。 表 1— 1 ? 振蕩器特征： XTAL XTAL2為片內(nèi)振蕩器的反相放大器的輸入和輸出端，如下圖所示。可采用石英警惕或陶瓷振蕩器組成時(shí)鐘振蕩器，如需從外部輸入時(shí)鐘驅(qū)動 AT89C2051，時(shí)鐘信號從 XTAL1 輸入， XTAL2應(yīng)懸空。由于輸入靠內(nèi)部電路是經(jīng)過一個(gè) 2分頻觸發(fā)器，所以輸入的外部時(shí)鐘信號無需特殊要求，但它 必須符合電平的最大和最小值及時(shí)序規(guī)范。 圖 1— 2 ? 特殊功能寄存器： 6 片內(nèi)特殊功能寄存器（ SFR）空間存儲區(qū)的影象圖如下表所示。 并非存儲區(qū)中所有的地址單元都被占用，未占用的地址單元亦不能使用，如果對其進(jìn)行讀訪問一般返回為隨機(jī)數(shù)，寫訪問也不確定。 這些單元是為了以后利用這些未使用的地址單元擴(kuò)展新功能而設(shè)置。所以用戶軟件不要對它們寫“ 1”，在這種情況下，新位的復(fù)位或不激活值總為“ 0”。 ? 某些指令的約束條件： AT89C2051是經(jīng)濟(jì)型低價(jià)位的微控制器，它含有 2K字節(jié)的 Flash閃速程序存儲器，指令系統(tǒng)與 MCS51 完全兼容，可使用 MCS51指令系統(tǒng)對其進(jìn)行編程。但是在使用某些有關(guān)指令進(jìn)行編程時(shí)，需要注意一些事項(xiàng)。 和跳轉(zhuǎn)或分支有關(guān)的指令有一定的空間約束，使目的地址能安全在 AT89C2051的 2K字節(jié)的物理程序存儲器空間內(nèi)，必須注意這一點(diǎn)。對于 2K字節(jié)存儲器的 AT89C2051來說， LJMP 7E0H是一條有效指令，而 LJMP 900H則為無效指令。 1. 分支指令 對于 LCALL、 LJMP、 ACALL、 AJMP、 SJMP、 JMP@A+DPTR 等指令 ，只要記住這些分支指令的目的地址在程序存儲器大小的物理范圍內(nèi)（ AT89C2051程序空間為： 000H7FFH單元），這些無條件分支指令就會正確執(zhí)行，超出物理空間的限制會出現(xiàn)不可預(yù)知的程序錯(cuò)誤。 CJNE[? .]、 DJNZ[? .]、JB、 JNB、 JC、 JNC、 JBC、 JZ、 JNZ等這些條件轉(zhuǎn)移指令的使用與上述原則一樣，同樣，超出物理空間的限制引起不可預(yù)知的程序錯(cuò)誤。至于中斷的使用， 80C51 系列硬件結(jié)構(gòu)中已保留標(biāo)準(zhǔn)中斷服務(wù)子程序的地址。 2. 與 MOVX相關(guān)的指令，數(shù) 據(jù)存儲器 AT89C2051 包含 128 字節(jié)內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器，這樣， AT89C2051 的堆棧深度局限與內(nèi)部 RAM128字節(jié)范圍內(nèi)，它既不支持外部數(shù)據(jù)存儲器的訪問，也不支持外部程序存儲器的執(zhí)行，因此程序中不應(yīng)有 MOVX[? .]指令。 ? 程序存儲器的加密： AT89C2051使用對芯片上的兩個(gè)加密進(jìn)行編程或不編程來得到如下表所示的功能： 表 1— 2 ? 空閑模式： 在空閑模式下， CPU保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。此時(shí)，片內(nèi) RAM和所有特殊功能 寄存器的內(nèi)容保持不變?？臻e模式可由任何允許的中斷請求或硬 7 件復(fù)位終止。 “ 0”，或者在使用上拉電阻的情況下設(shè)置為“ 1”。 應(yīng)注意的是：在 用硬件復(fù)位終止空閑模式時(shí)， AT89C2051通常從程序停止一直到內(nèi)部復(fù)位獲得控制之前的兩個(gè)機(jī)器周期處恢復(fù)程序執(zhí)行。在這種情況下片內(nèi)硬件禁止對內(nèi)部 RAM的讀寫，但允許對端口的訪問，要消除硬件復(fù)位終止空閑模式對端口意外寫入的可能，原則上進(jìn)入空閑模式指令的下一條指令不 應(yīng)對端口引腳或外部存儲器進(jìn)行訪問。 ? 掉電模式 在掉電模式下 ，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 RAM中的內(nèi)容，在 VCC恢復(fù)到正常的工作電平前，復(fù)位應(yīng)無效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟并穩(wěn)定工作。 “ 0”，或者在使用外部上拉電阻時(shí)應(yīng)設(shè)為“ 1”。 表 1— 3 ? Flash閃速存儲器的編程： AT89C2051是在擦除狀態(tài)下（ 也即所有單元內(nèi)容均為 FFH時(shí)）用 2K字節(jié)內(nèi) PEROM代碼存儲陣列進(jìn)行封裝微控制器，其程序存儲器是可反復(fù)編程的。代碼存儲陣列依次編程一個(gè)字節(jié)，一旦 8 陣列被編程，如需要新變成一非空（空為： FFH）字節(jié)，必須對整個(gè)存儲器陣列進(jìn)行點(diǎn)擦除。 AT89C2051內(nèi) FLASH閃存儲器的編程和校驗(yàn)如圖。 ? 內(nèi)部地址計(jì)數(shù)器： AT89C2051內(nèi)部包含一個(gè) PEROM編程地址計(jì)數(shù)器，它總在 RST 上升沿來時(shí)復(fù)位到 00H，并在 XTAL1引腳上出現(xiàn)正跳變脈沖時(shí)進(jìn)行加 1計(jì)數(shù)。 ? 編程方法：要對 AT89C2051進(jìn)行編程，使用以下方法。 1. 上電次 序： 在 VCC和 GND引腳之間加上電源。 設(shè)置 RST和 XTAL1為 GND電平。 其它引腳置空，等待至少 10Ms以上。 2. 置 RST引腳為高電平，置 。 3. 對引腳 、 、 、 按下表正確組合上邏輯高 “H” 或低 “L” 電平可對PEROM進(jìn)行編程操作。 表 1— 4 編程和校驗(yàn)方法如下： 4．在 000H地址單元對 。 5．置 RST端為 +12V，激活編程。 6．使 PEROM陣列中的一字節(jié) 或者加密位，寫字節(jié)周期是自身定時(shí)的，一般需時(shí) 。 7．當(dāng)校驗(yàn)已編程的數(shù)據(jù)，使 RST從 +12V 降到邏輯電平“ H”，置 即可從 P1口讀取數(shù)據(jù)。 8．對下一地址單元編程字節(jié)，使 XTAL1引腳正脈沖跳變依次使地址計(jì)數(shù)器加 1，在 P1口輸入新的書字節(jié)。 9．重復(fù) 5至 8，可對整個(gè) 2K字節(jié)陣列全部編程，直到目標(biāo)文件結(jié)束。 10．下電次序： 置 XTAL1為低“ L”電平 置 RST為“ L”電平 9 置空所有其它 I/O引腳 關(guān)閉 VCC電源 ? 數(shù)據(jù)查詢： AT89C2051 具有寫周期結(jié)束的數(shù)據(jù)查詢功能，在寫周期期間，對最后寫入的字節(jié)嘗試讀降令 上寫入數(shù)據(jù)的操作結(jié)束。當(dāng)寫周期完成，全部輸出端的真實(shí)數(shù)據(jù)有效，同時(shí)下一個(gè)周期開始，數(shù)據(jù)查詢可在寫周期被初始化的任一時(shí)刻開始。 ? Ready/busy:字節(jié)編程的進(jìn)度通過“ RDY/BSY輸出信號監(jiān)測，編程期間， 高“ H”后被拉低來指“ BSY”， “ H”來指示“ RDY”。 ? 程序校驗(yàn)：如果加密位 LB LB2沒有進(jìn)行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過校驗(yàn)數(shù)據(jù)線讀?。? 1. 使 RST從“ L”變?yōu)椤?H”，復(fù) 位內(nèi)部的地址計(jì)數(shù)器為 000H。 2. 對代碼數(shù)據(jù)加上正確的控制信號即可在 P1 口引腳上讀取數(shù)據(jù)。 3. XTAL1引腳跳變一次使內(nèi)部地址計(jì)數(shù)器加 1。 4. 從 P1口讀取下一個(gè)代碼字節(jié)。 5. 重復(fù) 3到 4步驟，即可將全部單元的數(shù)據(jù)讀