【正文】 B三基色技術(shù)和大功率白光技術(shù)是當(dāng)前半導(dǎo)體光器件與照明應(yīng)用研究的熱點(diǎn)，也是最主要的難點(diǎn)所在。，及對(duì)混色光的光色動(dòng)態(tài)調(diào)校技術(shù)研究很重要。，具體表現(xiàn)為驅(qū)動(dòng)電壓相差大、三色發(fā)光波長(zhǎng)半幅值狹窄、及個(gè)別單色LED的劣化將導(dǎo)致發(fā)光色不純或不均勻。其次，良好的散熱設(shè)計(jì)是封裝技術(shù)的重要課題。因?yàn)榇蠊β蔐ED都必須在極小的封裝中處理極高的熱量，若散熱不理想，除了各種封裝材料會(huì)因?yàn)楸舜碎g膨脹系數(shù)的不同而有產(chǎn)品可靠度的問(wèn)題外，芯片的發(fā)光效能也會(huì)隨著溫度的上升而明顯下降，并造成壽命縮短，同時(shí)更高的溫度負(fù)載還會(huì)帶來(lái)色移問(wèn)題。面向半導(dǎo)體照明應(yīng)用的光形設(shè)計(jì)也是產(chǎn)業(yè)化技術(shù)中的一個(gè)重點(diǎn)，因?yàn)長(zhǎng)ED有與常規(guī)燈源完全不同的發(fā)光特性，除了本身芯片尺寸極小外，各種LED不同的封裝類型也會(huì)造成完全不同的發(fā)光光形，因此相對(duì)于LED照明應(yīng)用的設(shè)計(jì)將不能再簡(jiǎn)單地在光源上套上聚光透鏡或是反射鏡，而是必須經(jīng)過(guò)更針對(duì)性的光學(xué)設(shè)計(jì)。目前,獲取白光的途徑大約有三種，即光轉(zhuǎn)換型、多量子阱型和多色組合型。為了用光轉(zhuǎn)換型得到白光，日本的日亞化學(xué)公司（Nichia）以460nm波長(zhǎng)的藍(lán)光芯片涂上一層YAG熒光粉，利用藍(lán)光LED照射此熒光物質(zhì)以產(chǎn)生與藍(lán)光互補(bǔ)的555nm波長(zhǎng)的黃色光，再利用透鏡原理將互補(bǔ)的黃光和藍(lán)光混合以得到所需的白光。其次是日本住友電工開(kāi)發(fā)的以ZnSe為材料的白光LED，不過(guò)發(fā)光效率稍差。再是豐田合成公司（ToyodaGosei）與東芝共同開(kāi)發(fā)的白光LED，他們采用紫外光UV LED與RGB熒光體組合的方式得到白光。多量子阱型是在芯片發(fā)光層的生長(zhǎng)過(guò)程中摻雜不同的雜質(zhì)以控制結(jié)構(gòu)不同的量子阱,通過(guò)不同量子阱發(fā)出的多種光子復(fù)合直接發(fā)出白光。我國(guó)臺(tái)灣有企業(yè)在PN結(jié)二極管中生長(zhǎng)量子阱結(jié)構(gòu)，在特定的參數(shù)范圍內(nèi)使量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)射出不同能量的光子，調(diào)變出白光。該方法的優(yōu)點(diǎn)是可以提高發(fā)光效率、降低成本、降低封裝及控制電路的難度，但工藝控制過(guò)程的技術(shù)難度相對(duì)較大。雖然說(shuō)利用藍(lán)光芯片配合黃光YAG熒光粉的白光LED封裝技術(shù)是目前較成熟的技術(shù)，但是利用這樣方法封裝出來(lái)的白光LED有幾個(gè)嚴(yán)重的問(wèn)題遲遲無(wú)法解決：首先是均勻度的問(wèn)題，因?yàn)榧ぐl(fā)黃光熒光粉的藍(lán)光芯片實(shí)際上參與白光的配色，因此藍(lán)光芯片發(fā)光波長(zhǎng)的偏移、強(qiáng)度的變化及熒光粉涂布厚度的改變都會(huì)影響白光的均勻度。而每一顆白光LED的顏色更不盡相同。另一方面，發(fā)展此技術(shù)的日亞公司擁有大部分相關(guān)于藍(lán)光芯片工藝技術(shù)與黃光YAG熒光粉相關(guān)白光LED的專利，而日亞公司對(duì)于專利是采取寡占市場(chǎng)的態(tài)度，因此對(duì)于利用藍(lán)光芯片配合黃光熒光粉生產(chǎn)白光LED的廠商都存在一定風(fēng)險(xiǎn)。而利用藍(lán)光芯片配上黃光熒光粉的白光LED技術(shù)，更有白光色溫偏高、演色性偏低等問(wèn)題。因此開(kāi)發(fā)一個(gè)效果更好且沒(méi)有專利問(wèn)題的技術(shù)是研究的重大課題。UV LED配上三色（R、G、B）熒光粉提供了另一個(gè)研究方向。其方法主要是利用實(shí)際上不參與配出白光的UV LED激發(fā)紅、綠、藍(lán)三色熒光粉，通過(guò)三色熒光粉發(fā)出的三色光配成白光。這樣的方法因?yàn)閁V LED不實(shí)際參與白光的配色，因此UV LED波長(zhǎng)與強(qiáng)度的波動(dòng)對(duì)于配出的白光而言不會(huì)特別的敏感。并可通過(guò)各色熒光粉的選擇及配比，調(diào)制出可接受色溫及演色性的白光。而在專利方面，利用UV LED＋RGB熒光粉相關(guān)的研發(fā)仍有相當(dāng)?shù)陌l(fā)揮空間。但是這樣的技術(shù)雖然有種種的優(yōu)點(diǎn)，但是UV LED光效偏低，且激發(fā)效率不高。 項(xiàng)目組建后對(duì)我省相關(guān)行業(yè)的重要意義結(jié)合國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光器件與照明產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)的實(shí)際，再借鑒臺(tái)灣的發(fā)展模式，本項(xiàng)目重點(diǎn)在于對(duì)應(yīng)用于半導(dǎo)體照明的核心LED器件封裝研究并著力于產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)化，對(duì)于提升我省乃至我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)地位，進(jìn)而向上下游延伸和發(fā)展具有重大作用和意義。（1）發(fā)展LED封裝是我省和我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突破點(diǎn)LED業(yè)的發(fā)展在技術(shù)上寄希望于上游，在產(chǎn)業(yè)推廣上寄希望于中游封裝。我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)，LED封裝是突破點(diǎn)。在上游，盡管有相當(dāng)部分科研類的論文很樂(lè)觀的認(rèn)為國(guó)內(nèi)的LED晶片技術(shù)只落后國(guó)際最高水平23年，理論依據(jù)是在1961年國(guó)外最早在實(shí)驗(yàn)室推出LED晶片后不到三年，我國(guó)也在實(shí)驗(yàn)室制造出了LED晶片，而且其后國(guó)外每一階段的成果我們也似乎都在不長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)緊緊跟上了。在這個(gè)問(wèn)題上，我公司作為目前國(guó)內(nèi)企業(yè)中最大的LED晶片采購(gòu)和使用廠家有著很多實(shí)際的體會(huì)，這種論斷忽視了或者說(shuō)故意回避了除實(shí)驗(yàn)室技術(shù)外兩個(gè)最重要的問(wèn)題，一是產(chǎn)業(yè)化水平的問(wèn)題，二是國(guó)外機(jī)構(gòu)和企業(yè)對(duì)未產(chǎn)業(yè)化的技術(shù)做技術(shù)儲(chǔ)備和保密的問(wèn)題，這兩點(diǎn)其實(shí)在LED發(fā)展的每一階段都在印證，從黃、紅、綠晶片到藍(lán)晶片到白光技術(shù)到SMD技術(shù)再到功率管技術(shù)等等，技術(shù)上落后美國(guó)日本、產(chǎn)業(yè)化水平落后臺(tái)灣都有六、七年甚至十年以上的差距。相比之下，國(guó)內(nèi)的中游封裝與國(guó)外的差距要小得多，原因是目前全球LED封裝產(chǎn)業(yè)做得最好的是我國(guó)的臺(tái)灣地區(qū)，而臺(tái)灣LED封裝企業(yè)出于生產(chǎn)成本的考慮從20世紀(jì)90年代起就大量的將生產(chǎn)基地設(shè)到國(guó)內(nèi)，這樣一來(lái)實(shí)際上我國(guó)就成了全球最大的LED封裝器件生產(chǎn)基地，也培養(yǎng)了大批的本地LED封裝技術(shù)人才，加上比較良好的商業(yè)交往和同業(yè)交流，使得內(nèi)資的LED封裝企業(yè)在信息、技術(shù)等方面都不落后，差距很大程度上只體現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)規(guī)模和優(yōu)勢(shì)整合上。從LED封裝突破進(jìn)而全面發(fā)展LED，在國(guó)際上有成功范例，同時(shí)也是我國(guó)發(fā)展LED的必由之路。最典型的莫過(guò)于臺(tái)灣島內(nèi)的LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展：臺(tái)灣的芯片企業(yè)是在封裝產(chǎn)業(yè)首先形成規(guī)模、形成人才積淀的基礎(chǔ)上成功崛起的，這其中有技術(shù)、人才、市場(chǎng)培育等等多方面的綜合因素。對(duì)于我國(guó)LED業(yè)發(fā)展而言，因?yàn)樯嫌蜭ED芯片業(yè)需要高度專業(yè)化和團(tuán)隊(duì)化的人才積淀、以及很高的市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)承受能力；同時(shí)下游的應(yīng)用由于絕大部分技術(shù)含量較低或技術(shù)側(cè)重點(diǎn)不同，在封裝業(yè)發(fā)展良好的基礎(chǔ)上，會(huì)有很自然的發(fā)展，這其中行業(yè)規(guī)范倒是一個(gè)重點(diǎn)，另外部分關(guān)鍵技術(shù)，如面向普通照明的燈具開(kāi)發(fā)和設(shè)計(jì)，形成一定的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)也很重要；所以，以發(fā)展較成熟的封裝產(chǎn)業(yè)為基礎(chǔ)進(jìn)而向上游延伸就是最可行的發(fā)展思路。國(guó)內(nèi)由于市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)起步較晚，民用產(chǎn)品的科研投資體制在很大程度上與國(guó)外的企業(yè)主導(dǎo)不同，讓企業(yè)做顯得實(shí)力不足，讓政府做則方向很難明確，評(píng)估和管理都是問(wèn)題，所以最終這個(gè)問(wèn)題的最佳解決方式還是市場(chǎng)化運(yùn)作、政府資助。（2）項(xiàng)目實(shí)施有利于我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展首先在LED封裝方面做大做強(qiáng)國(guó)內(nèi)的封裝同類企業(yè)已有約400家，產(chǎn)業(yè)布局上非常分散。我公司通過(guò)近幾年的發(fā)展，；，累計(jì)各投資分公司業(yè)績(jī)和銷售代理處增值業(yè)績(jī)，總銷售業(yè)績(jī)近3億元。這個(gè)業(yè)績(jī)約占國(guó)內(nèi)本土封裝企業(yè)（不含國(guó)內(nèi)臺(tái)商獨(dú)資企業(yè)）總業(yè)績(jī)的8%左右，居國(guó)內(nèi)同業(yè)首位。但國(guó)內(nèi)LED封裝的這種業(yè)態(tài)，還不足以帶來(lái)在國(guó)內(nèi)的人才、技術(shù)的優(yōu)勢(shì)集聚和整合，通過(guò)本項(xiàng)目的實(shí)施，我公司計(jì)劃到2010年實(shí)現(xiàn)總銷售10億元，封裝產(chǎn)品的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率提高到1518%，擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，引導(dǎo)新一輪產(chǎn)業(yè)整合，這是做大。同時(shí)，在封裝技術(shù)上定位于消化吸收國(guó)際最新的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，如目前實(shí)施的白光LED、功率管、SMD功率管、一體化太陽(yáng)能半導(dǎo)體照明燈生產(chǎn)線等，建設(shè)國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、裝備最先進(jìn)、自動(dòng)化程度最高、器件序列化程度最好的研發(fā)和生產(chǎn)基地，積極參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)，這是做強(qiáng)。（3）項(xiàng)目實(shí)施有利于半導(dǎo)體照明業(yè)上游技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展在做大做強(qiáng)封裝的基礎(chǔ)上，我們將積極向LED業(yè)上下游延伸。在上游芯片方面，公司的策略是分階段切入，計(jì)劃在2007年完成第一條芯片切割線的建設(shè)（月產(chǎn)50KK），視項(xiàng)目進(jìn)展再?zèng)Q定是否擴(kuò)大規(guī)模及在何時(shí)機(jī)進(jìn)入LED外延生長(zhǎng)領(lǐng)域。在下游的應(yīng)用技術(shù)方面，公司近年已取得較好發(fā)展，而且獲得了國(guó)家信息產(chǎn)業(yè)部、科技部和XX省科技廳的數(shù)個(gè)重大項(xiàng)目立項(xiàng)支持，目前項(xiàng)目進(jìn)展非常順利。同時(shí)，本項(xiàng)目的實(shí)施，將為下游應(yīng)用行業(yè)提供產(chǎn)品，有利于應(yīng)用行業(yè)的發(fā)展。XX省半導(dǎo)體光器件與照明工程技術(shù)研究中心的功能就是作為凝聚技術(shù)、人才及企業(yè)的重要載體，為眾多中小企業(yè)提供人才培養(yǎng)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、檢測(cè)等多方位服務(wù)，拉動(dòng)全省半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提高新產(chǎn)品的研發(fā)能力和技術(shù)水平，逐步形成具有顯著規(guī)模效益、成熟的新型工業(yè)結(jié)構(gòu)體系。綜合而言，本項(xiàng)目的實(shí)施對(duì)提高半導(dǎo)體照明民族產(chǎn)業(yè)在國(guó)際上的地位及以一定高度和規(guī)模參與全球競(jìng)爭(zhēng)具有重要意義，并將對(duì)我省、我國(guó)LED業(yè)整個(gè)上中下游產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)調(diào)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。三、項(xiàng)目組建的可行性 技術(shù)可行性九十年代中期以來(lái)，氮化鎵（GaN）基材料及其合金在材料制備和發(fā)光器件制作等方面取得重大技術(shù)突破，成了全球半導(dǎo)體研究領(lǐng)域的前沿和熱點(diǎn)。目前紅、普綠、黃、橙黃等發(fā)光二極管的技術(shù)已經(jīng)成熟而且已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化，構(gòu)成全彩色的三原色光分別為RGB（Red、Green、Blue），即純紅光、純綠光、純藍(lán)光，而純綠、純藍(lán)發(fā)光二極管是長(zhǎng)期困擾本行業(yè)的難題。 藍(lán)色發(fā)光二極管制作工藝上可分為三步：（1）發(fā)光晶體（上游產(chǎn)品）氮化鎵（GaN）基材料制作；（2）管芯（中游產(chǎn)品）制作；（3）管芯的封裝。而從上游產(chǎn)品氮化鎵（GaN）基材料到中游產(chǎn)品藍(lán)、綠發(fā)光二極管LED和激光二極管LD（又稱激光器）之間存在著很高的技術(shù)壁壘。 國(guó)內(nèi)外都對(duì)該領(lǐng)域投入了大量的研究，美國(guó)和日本現(xiàn)已掌握生產(chǎn)純藍(lán)和純綠光的氮化鎵（GaN）基材料的生長(zhǎng)工藝。目前只有日本日亞公司Nichia、豐田合成Toyota Gosei、美國(guó)克雷Cree、惠普HP、德國(guó)西門子Siemens等幾家公司生產(chǎn)和銷售藍(lán)、綠光LED。亞太地區(qū)，韓國(guó)三星先進(jìn)技術(shù)研究所最近公布了采用多量子阱技術(shù)的高亮度藍(lán)光和綠光LED的開(kāi)發(fā)情況，并預(yù)計(jì)近期可以面市。臺(tái)灣許多大的光電公司，如國(guó)聯(lián)、光磊、億光、李洲、漢光、光寶、光鼎、天如、旭嘉、松下產(chǎn)業(yè)等，在原有的成熟下游封裝工藝基礎(chǔ)上，積極向藍(lán)、綠光LED中游產(chǎn)品領(lǐng)域進(jìn)軍。在我國(guó)，氮化鎵（GaN）基半導(dǎo)體材料及器件被列為國(guó)家863計(jì)劃項(xiàng)目。我國(guó)已在實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)出氮化鎵（GaN）基藍(lán)色發(fā)光材料，目前正在進(jìn)行產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)方面的研究。我國(guó)總體在LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展低于日本、美國(guó)和歐洲各國(guó)，也沒(méi)有臺(tái)灣的發(fā)展規(guī)模。目前在外延晶片生長(zhǎng)方面，我國(guó)只能生長(zhǎng)很少一部分高亮度的紅光和黃光，盡管有幾家公司在藍(lán)光LED生產(chǎn)上經(jīng)過(guò)的不少的努力，但還沒(méi)有形成批量生產(chǎn)。我國(guó)最多的廠商是一些小規(guī)模的封裝公司，接近400家，但往往是為了單一的應(yīng)用而生產(chǎn)，在產(chǎn)品序列化程度和生產(chǎn)規(guī)模上都很欠缺。在封裝領(lǐng)域，鑒于LED產(chǎn)品難以取代的優(yōu)異特性及伴隨著近10年以來(lái)的技術(shù)進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)界對(duì)LED行業(yè)的發(fā)展在兩個(gè)方面寄予厚望，一是特殊照明應(yīng)用和取代普通照明的半導(dǎo)體照明技術(shù)發(fā)展，二是進(jìn)一步的微型化以適合更廣泛領(lǐng)域的應(yīng)用（實(shí)際上也包含了拓展半導(dǎo)體照明應(yīng)用的另一重要實(shí)現(xiàn)途徑）?；谝陨系姆治?，在我公司制定的發(fā)展規(guī)劃中，研發(fā)、技改和擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目的實(shí)施都是以照明應(yīng)用和微型化封裝為中心，而本項(xiàng)目的建設(shè)和實(shí)施總體上也是以LED照明應(yīng)用技術(shù)的實(shí)現(xiàn)和封裝器件的SMD技術(shù)為兩大主線。按實(shí)現(xiàn)的技術(shù)路線分，則可以分成四大類別：★大功率、高亮度LED（白光為主，包括其它色別）★SMD微型化封裝技術(shù)（其中功率芯片的SMD封裝是重點(diǎn)）★太陽(yáng)能半導(dǎo)體照明一體化技術(shù)★特殊照明燈產(chǎn)品直接封裝技術(shù)（以信號(hào)指示燈為代表）（1）大功率、高亮度LED工藝路線與技術(shù)特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體照明的光源中，最重要、最常用的是白光LED光源，恰恰也是實(shí)現(xiàn)難度最大的，白光LED封裝又分為普通型和功率型封裝。其中功率型的白光封裝實(shí)際上涵蓋了兩大技術(shù)，一是基于藍(lán)光或紫光LED芯片（在本項(xiàng)目的產(chǎn)業(yè)化實(shí)施中以藍(lán)光為重點(diǎn)）的熒光粉激發(fā)再混合成白光的技術(shù)；二是功率型芯片的高散熱封裝，包括各個(gè)色別的功率型LED芯片。這兩項(xiàng)技術(shù)是LED器件在特定領(lǐng)域率先實(shí)現(xiàn)照明技術(shù)應(yīng)用的代表、也是今后取代普通照明的最重要路線，白光LED則是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體照明的核心技術(shù)和核心器件。LED發(fā)光顏色豐富，目前已形成全色系，但對(duì)于一般照明而言,人們更需要白色的LED。在白光技術(shù)的實(shí)現(xiàn)上，我公司是消化吸收了日本日亞公司的技術(shù)，即將InGaN或GaN藍(lán)光LED芯片和釔鋁石榴石(YAG)熒光粉封裝在一起做成。LED芯片發(fā)藍(lán)光(λp=465納米,半寬度30納米)，YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光，芯片的藍(lán)光和熒光粉的黃光混合在一起形成白光。普通型白光LED分別在GaN和InGaN 兩種藍(lán)色芯片上與光致發(fā)光熒光粉結(jié)合得到，熒光粉的配比與調(diào)節(jié)涂敷方式、以及在此基礎(chǔ)上通過(guò)添加紅色硫化物調(diào)節(jié)白光色溫是創(chuàng)新之處。產(chǎn)品使用標(biāo)準(zhǔn)引線支架裝配GaN或InGaN藍(lán)色芯片，然后同時(shí)通過(guò)對(duì)藍(lán)色芯片的防靜電加工和低溫壓焊，在用高透光率的環(huán)氧樹(shù)脂灌封前，按照所用藍(lán)色芯片的發(fā)光波長(zhǎng)選用與其匹配的黃磷與適當(dāng)比例的ML粉（根據(jù)用途的不同，對(duì)色溫值要求低的產(chǎn)品，還將添加含硫化物的紅色熒光粉）進(jìn)行調(diào)配后在藍(lán)色芯片上用自主設(shè)計(jì)研制的旋轉(zhuǎn)式點(diǎn)膠頭進(jìn)行涂敷，通過(guò)精確控制對(duì)芯片的包封程度，獲得色度極佳的白光LED。傳統(tǒng)的指示燈型LED封裝結(jié)構(gòu)，通常用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠將芯片裝在小尺寸的反射杯中或載片臺(tái)上，由金絲完成器件的內(nèi)外連接后用環(huán)氧樹(shù)脂封裝而成，其熱阻高達(dá)250℃/W～300℃/W。而大功率芯片若采用傳統(tǒng)封裝形式，將會(huì)因散熱不良而導(dǎo)致芯片結(jié)溫迅速上升和環(huán)氧碳化變黃，從而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因?yàn)檠杆俚臒崤蛎浰a(chǎn)生的應(yīng)力造成開(kāi)路而失效。因此對(duì)于大功率高亮度LED芯片，低熱阻、散熱良好及低應(yīng)力的新的封裝結(jié)構(gòu)是大功率LED器件的技術(shù)關(guān)鍵。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對(duì)大功率高亮度LED的封裝技術(shù)提出了更高的要求。大功率高亮度LED封裝技術(shù)主要應(yīng)滿足以下兩點(diǎn)要求：一是封裝結(jié)構(gòu)要有高的取光效率，二是熱量要盡可能低，這樣才能保證功率LED的光電性能和可靠性。因此除了芯片本身外，器件封裝技術(shù)也舉足輕重。大功率高亮度LED以封裝散熱結(jié)構(gòu)為核心，要解決封裝材料選擇技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用問(wèn)題，并特別針對(duì)白光產(chǎn)品繼續(xù)提高熒光粉配比技術(shù)與涂敷工藝水平，實(shí)現(xiàn)完整的共晶焊封裝工藝流程。在封裝過(guò)程中LED照明光源需要解決如下二個(gè)環(huán)節(jié)的散熱問(wèn)題：一是芯片到封裝基板的散熱；二是封裝基板到外部冷卻裝置的導(dǎo)熱。這二個(gè)環(huán)節(jié)構(gòu)成LED照明光源熱傳導(dǎo)的通道，熱傳導(dǎo)通道上任何薄弱環(huán)節(jié)都會(huì)使熱導(dǎo)設(shè)計(jì)毀于一旦。在這個(gè)環(huán)節(jié)上我們計(jì)劃采用美國(guó)Lamina陶瓷公司研究開(kāi)發(fā)的Cu/Mo/Cu（銅/鉬/銅復(fù)合金屬）基板材料技術(shù)，將金屬基多層低溫?zé)Y(jié)陶瓷技術(shù)（LTCCM）應(yīng)用于LED封裝，相比之下