模電復(fù)習(xí)要點(diǎn)總結(jié)-文庫吧
2025-04-02 04:47 本頁面
【正文】 和V CC’點(diǎn) V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直線。 3. 靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真（1）截止失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過低 *失真現(xiàn)象NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法減小Rb，提高Q。（2） 飽和失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過高 *失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC 。 4. 放大器的動(dòng)態(tài)范圍（1） Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。 （2）范圍 *當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （UCEQ－UCES）。*當(dāng)（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。 六. 放大電路的等效電路法1. 靜態(tài)分析（1）靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算（2）Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件 欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc 。2. 放大電路的動(dòng)態(tài)分析 * 放大倍數(shù) * 輸入電阻* 輸出電阻7. 分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)共射 放大電路的等效電路法1．靜態(tài)分析2．動(dòng)態(tài)分析*電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后* 輸出電阻八. 共集電極基本放大電路1．靜態(tài)分析2．動(dòng)態(tài)分析* 電壓放大倍數(shù)* 輸入電阻* 輸出電阻3. 電路特點(diǎn) * 電壓放大倍數(shù)為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。 * 輸入電阻高，輸出電阻低。 第三章 場效應(yīng)管及其基本放大電路 一. 結(jié)型場效應(yīng)管（ JFET ） 2. 輸出特性曲線 （可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）轉(zhuǎn)移特性曲線UP 截止電壓 二. 絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）分為增強(qiáng)型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號2. 特性曲線*NEMOS的輸出特性曲線* NEMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對應(yīng)的iD值。* NDMOS的輸出特性曲線注意：uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應(yīng)管一致。三. 場效應(yīng)管的主要參數(shù) (表明場效應(yīng)管是電壓控制器件)四. 場效應(yīng)管的小信號等效模型EMOS 的跨導(dǎo)gm 五. 共源極基本放大電路* 靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析 若帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析* 動(dòng)態(tài)分析 若源極帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析或* 動(dòng)態(tài)分析 第四章 多級放大電路1. 級間耦合方式1. 阻容耦合各級靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。 2. 變壓器耦合 各級靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號。 3. 直接耦合低頻特性好，便于集成。各級靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。存在“零點(diǎn)漂移”現(xiàn)象。 *零點(diǎn)漂移當(dāng)溫度變化
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